摘要：IGBT是经济实惠的半导体器件,其具备低导通压降与高输入抗阻的特性,可以在牵引传动、开关电源、交流电机、照明电路、变频器等变流系统以及600V的直流电压中被广泛应用。通常会使用IGBT并联的方式达到所需要的功率标准,但是同时也会面临电流不均衡的问题。通常出现电流不均衡的因素是IGBT自身特性、驱动电路与主电路。对于动态电流不均衡在关闭时主要对其会造成较大影响的因素是IGBT自身特性的结温、驱动电流的输出阻抗、驱动电流的栅极连线、主电流的主流母线侧;在开通时主要对其会造成较大影响的因素是IGBT自身特性的结温、输出阻抗、栅极连线,主流母线侧对均流的影响较小;对于稳态电流不均衡在负载电流变化较快时,只有主电路的负载侧对均流有大的影响;当负载电流变化较慢时,IGBT自身特性的结温与饱和压降对均流的影响大。通过选择同一厂家与批次的器件以及调整电路结构,可以解决IGBT并联的均流问题。

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