摘要：氮化硼（BN）作为宽带隙材料具有优异的物理性质和良好的化学惰性，是制作高可靠性器件与电路的理想电子材料之一。而实现BN纳米管的掺杂，诱导其半导体特性，是实现该材料在纳电子学领域应用的关键。近日，中科院物理所微加工实验室的研究人员与日本物质材料研究机构的同事合作，采用化学气相沉积方法，在生长BN纳米管的同时实现了F的均匀掺杂，获得了N型的BN半导体纳米管。

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