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Journal Of Nanoelectronics And Optoelectronics
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Journal Of Nanoelectronics And Optoelectronics

SCISCIE

纳米电子学与光电子学杂志杂志

中科院分区：4区 JCR分区：Q4 预计审稿周期：约1.0个月

《Journal Of Nanoelectronics And Optoelectronics》是一本由AMER SCIENTIFIC PUBLISHERS出版商出版的工程技术国际刊物，国际简称为J NANOELECTRON OPTOE，中文名称纳米电子学与光电子学杂志。该刊创刊于2006年，出版周期为Tri-annual。 《Journal Of Nanoelectronics And Optoelectronics》2026年影响因子为0.6，被收录于国际知名权威数据库SCI、SCIE。

ISSN：1555-130X
研究方向：工程技术-工程：电子与电气
是否预警：否
E-ISSN：1555-1318
出版地区：UNITED STATES
Gold OA文章占比：0.00%
语言：English
是否OA：未开放
OA被引用占比：0
出版商：AMER SCIENTIFIC PUBLISHERS
出版周期：Tri-annual
影响因子：0.6
创刊时间：2006
年发文量：132
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Journal Of Nanoelectronics And Optoelectronics 杂志简介

《Journal Of Nanoelectronics And Optoelectronics》重点专注发布工程技术-工程：电子与电气领域的新研究，旨在促进和传播该领域相关的新技术和新知识。鼓励该领域研究者详细地发表他们的高质量实验研究和理论结果。该杂志创刊至今，在工程技术-工程：电子与电气领域，有较高影响力，对来稿文章质量要求较高，稿件投稿过审难度较大。欢迎广大同领域研究者投稿该杂志。

Journal Of Nanoelectronics And Optoelectronics 杂志中科院分区

中科院SCI分区数据
《新锐期刊分区表》（2026年3月发布）
大类学科 分区 小类学科 分区 Top期刊 综述期刊
工程技术 4区 ENGINEERING, ELECTRICAL & ELECTRONIC 工程：电子与电气 NANOSCIENCE & NANOTECHNOLOGY 纳米科技 PHYSICS, APPLIED 物理：应用 4区 4区 4区 否 否
期刊分区表（2025年3月升级版）
大类学科 分区 小类学科 分区 Top期刊 综述期刊
工程技术 4区 ENGINEERING, ELECTRICAL & ELECTRONIC 工程：电子与电气 NANOSCIENCE & NANOTECHNOLOGY 纳米科技 PHYSICS, APPLIED 物理：应用 4区 4区 4区 否 否
期刊分区表（2023年12月升级版）
大类学科 分区 小类学科 分区 Top期刊 综述期刊
工程技术 4区 ENGINEERING, ELECTRICAL & ELECTRONIC 工程：电子与电气 NANOSCIENCE & NANOTECHNOLOGY 纳米科技 PHYSICS, APPLIED 物理：应用 4区 4区 4区 否 否
期刊分区表（2022年12月升级版）
大类学科 分区 小类学科 分区 Top期刊 综述期刊
工程技术 4区 ENGINEERING, ELECTRICAL & ELECTRONIC 工程：电子与电气 NANOSCIENCE & NANOTECHNOLOGY 纳米科技 PHYSICS, APPLIED 物理：应用 4区 4区 4区 否 否
期刊分区表（2021年12月升级版）
大类学科 分区 小类学科 分区 Top期刊 综述期刊
工程技术 4区 ENGINEERING, ELECTRICAL & ELECTRONIC 工程：电子与电气 NANOSCIENCE & NANOTECHNOLOGY 纳米科技 PHYSICS, APPLIED 物理：应用 4区 4区 4区 否 否
期刊分区表（2021年12月基础版）
大类学科 分区 小类学科 分区 Top期刊 综述期刊
工程技术 4区 ENGINEERING, ELECTRICAL & ELECTRONIC 工程：电子与电气 NANOSCIENCE & NANOTECHNOLOGY 纳米科技 PHYSICS, APPLIED 物理：应用 4区 4区 4区 否 否
期刊分区表（2020年12月升级版）
大类学科 分区 小类学科 分区 Top期刊 综述期刊
工程技术 4区 ENGINEERING, ELECTRICAL & ELECTRONIC 工程：电子与电气 NANOSCIENCE & NANOTECHNOLOGY 纳米科技 PHYSICS, APPLIED 物理：应用 4区 4区 4区 否 否
中科院分区趋势图
影响因子趋势图

中科院JCR分区：中科院JCR期刊分区（又称分区表、分区数据）是中国科学院文献情报中心世界科学前沿分析中心的科学研究成果，是衡量学术期刊影响力的一个重要指标，一般而言，发表在1区和2区的SCI论文，通常被认为是该学科领域的比较重要的成果。

影响因子：是汤森路透(Thomson Reuters)出品的期刊引证报告(Journal Citation Reports,JCR)中的一项数据，现已成为国际上通用的期刊评价指标，不仅是一种测度期刊有用性和显示度的指标，而且也是测度期刊的学术水平，乃至论文质量的重要指标。

Journal Of Nanoelectronics And Optoelectronics 杂志JCR分区

Web of Science 数据库
2025-2026年最新版
按JCI指标学科分区 收录子集 分区 排名 百分位
学科：ENGINEERING, ELECTRICAL & ELECTRONIC SCIE Q4 350 / 369

5.3
学科：NANOSCIENCE & NANOTECHNOLOGY SCIE Q4 143 / 148

3.7
学科：PHYSICS, APPLIED SCIE Q4 184 / 191

3.9
学科：ENGINEERING, ELECTRICAL & ELECTRONIC SCIE Q4 354 / 371

4.72
学科：NANOSCIENCE & NANOTECHNOLOGY SCIE Q4 142 / 148

4.39
学科：PHYSICS, APPLIED SCIE Q4 183 / 191

4.45
2024-2025年最新版
按JCI指标学科分区 收录子集 分区 排名 百分位
学科：ENGINEERING, ELECTRICAL & ELECTRONIC SCIE Q4 348 / 368

5.6
学科：NANOSCIENCE & NANOTECHNOLOGY SCIE Q4 143 / 147

3.1
学科：PHYSICS, APPLIED SCIE Q4 183 / 187

2.4
学科：ENGINEERING, ELECTRICAL & ELECTRONIC SCIE Q4 346 / 368

6.11
学科：NANOSCIENCE & NANOTECHNOLOGY SCIE Q4 138 / 147

6.46
学科：PHYSICS, APPLIED SCIE Q4 178 / 187

5.08
2023-2024年最新版
按JCI指标学科分区 收录子集 分区 排名 百分位
学科：ENGINEERING, ELECTRICAL & ELECTRONIC SCIE Q4 319 / 352

9.5
学科：NANOSCIENCE & NANOTECHNOLOGY SCIE Q4 134 / 140

4.6
学科：PHYSICS, APPLIED SCIE Q4 171 / 179

4.7
学科：ENGINEERING, ELECTRICAL & ELECTRONIC SCIE Q4 336 / 354

5.23
学科：NANOSCIENCE & NANOTECHNOLOGY SCIE Q4 133 / 140

5.36
学科：PHYSICS, APPLIED SCIE Q4 175 / 179

2.51

Journal Of Nanoelectronics And Optoelectronics 杂志发文统计

文章名称引用次数

  • Electrical Sensor Based on Hollow ZnO Spheres for Hydrazine Detection8
  • High UV-to-Visible Rejection Ratio and Low Cost UV Photodetector Based on Co-Doped ZnO Nanorods Grown on Polyethylene Terephthalate Substrate6
  • Comparative Analysis Among Single Material Gate, Double Material Gate, and Triple Material Gate FinFETs: RF/Analog and Digital Inverter Performance6
  • Growth of ZnO Nanorods on Different Seed Layer Thickness Using the Hydrothermal Method for UV Detection5
  • An Electronic Synapse Device Based on TiO2 Thin Film Memristor5
  • Adsorption of CH4 Molecules on Pt-Doped ZnO(001) Surfaces: A Density Functional Theory Study4
  • Microstructure and Mechanical Properties of MoSi2 Coating Deposited on Mo Substrate by Hot Dipping Processes4
  • Reliable, High-Performance, and Nonvolatile Hybrid SRAM/MRAM-Based Structures for Reconfigurable Nanoscale Logic Devices4
  • Experimental Investigation of Corrosion Improvement Implanted Ta by Ar-Ni Ions3
  • Performance Enhancement of Junctionless Tunnel Field Effect Transistor Using Dual-k Spacers3

国家/地区发文量

  • CHINA MAINLAND322
  • India133
  • South Korea50
  • Saudi Arabia44
  • Iran41
  • Egypt31
  • Pakistan30
  • Malaysia27
  • Turkey26
  • Algeria24

机构发文发文量

  • NATIONAL INSTITUTE OF TECHNOLOGY (NIT SYSTEM)47
  • ISLAMIC AZAD UNIVERSITY16
  • COMSATS UNIVERSITY ISLAMABAD (CUI)15
  • ZHENGZHOU UNIVERSITY OF LIGHT INDUSTRY15
  • CHONGQING UNIVERSITY14
  • UNIVERSITI TEKNOLOGI MALAYSIA14
  • KING KHALID UNIVERSITY12
  • KING SAUD UNIVERSITY10
  • ASSIUT UNIVERSITY9
  • CHINESE ACADEMY OF SCIENCES9

Journal Of Nanoelectronics And Optoelectronics 杂志社通讯方式

《Journal Of Nanoelectronics And Optoelectronics》杂志通讯方式为：AMER SCIENTIFIC PUBLISHERS, 25650 NORTH LEWIS WAY, STEVENSON RANCH, USA, CA, 91381-1439。详细征稿细则请查阅杂志社征稿要求。本站可提供SCI投稿辅导服务，SCI检索，确保稿件信息安全保密，合乎学术规范，详情请咨询客服。

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