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Solid-state Electronics
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Solid-state Electronics

SCISCIE

固态电子杂志

中科院分区：4区 JCR分区：Q4 预计审稿周期：一般,3-6周

《Solid-state Electronics》是一本由Elsevier Ltd出版商出版的物理与天体物理国际刊物，国际简称为SOLID STATE ELECTRON，中文名称固态电子。该刊创刊于1960年，出版周期为Monthly。 《Solid-state Electronics》2026年影响因子为1.4，被收录于国际知名权威数据库SCI、SCIE。

ISSN：0038-1101
研究方向：物理-工程：电子与电气
是否预警：否
E-ISSN：1879-2405
出版地区：UNITED STATES
Gold OA文章占比：18.85%
语言：English
是否OA：未开放
OA被引用占比：
出版商：Elsevier Ltd
出版周期：Monthly
影响因子：1.4
创刊时间：1960
年发文量：198
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杂志简介 中科院分区 JCR分区 CiteScore 发文统计 通讯方式 相关杂志 期刊导航

Solid-state Electronics 杂志简介

《Solid-state Electronics》重点专注发布物理-工程：电子与电气领域的新研究，旨在促进和传播该领域相关的新技术和新知识。鼓励该领域研究者详细地发表他们的高质量实验研究和理论结果。该杂志创刊至今，在物理-工程：电子与电气领域，有较高影响力，对来稿文章质量要求较高，稿件投稿过审难度较大。欢迎广大同领域研究者投稿该杂志。

Solid-state Electronics 杂志中科院分区

中科院SCI分区数据
《新锐期刊分区表》（2026年3月发布）
大类学科 分区 小类学科 分区 Top期刊 综述期刊
物理与天体物理 4区 ENGINEERING, ELECTRICAL & ELECTRONIC 工程：电子与电气 PHYSICS, APPLIED 物理：应用 PHYSICS, CONDENSED MATTER 物理：凝聚态物理 4区 4区 4区 否 否
期刊分区表（2025年3月升级版）
大类学科 分区 小类学科 分区 Top期刊 综述期刊
物理与天体物理 4区 ENGINEERING, ELECTRICAL & ELECTRONIC 工程：电子与电气 PHYSICS, APPLIED 物理：应用 PHYSICS, CONDENSED MATTER 物理：凝聚态物理 4区 4区 4区 否 否
期刊分区表（2023年12月升级版）
大类学科 分区 小类学科 分区 Top期刊 综述期刊
物理与天体物理 4区 ENGINEERING, ELECTRICAL & ELECTRONIC 工程：电子与电气 PHYSICS, APPLIED 物理：应用 PHYSICS, CONDENSED MATTER 物理：凝聚态物理 4区 4区 4区 否 否
期刊分区表（2022年12月升级版）
大类学科 分区 小类学科 分区 Top期刊 综述期刊
物理与天体物理 3区 PHYSICS, CONDENSED MATTER 物理：凝聚态物理 ENGINEERING, ELECTRICAL & ELECTRONIC 工程：电子与电气 PHYSICS, APPLIED 物理：应用 3区 4区 4区 否 否
期刊分区表（2021年12月升级版）
大类学科 分区 小类学科 分区 Top期刊 综述期刊
物理与天体物理 3区 PHYSICS, CONDENSED MATTER 物理：凝聚态物理 ENGINEERING, ELECTRICAL & ELECTRONIC 工程：电子与电气 PHYSICS, APPLIED 物理：应用 3区 4区 4区 否 否
期刊分区表（2021年12月基础版）
大类学科 分区 小类学科 分区 Top期刊 综述期刊
物理 4区 ENGINEERING, ELECTRICAL & ELECTRONIC 工程：电子与电气 PHYSICS, APPLIED 物理：应用 PHYSICS, CONDENSED MATTER 物理：凝聚态物理 4区 4区 4区 否 否
期刊分区表（2020年12月升级版）
大类学科 分区 小类学科 分区 Top期刊 综述期刊
物理与天体物理 3区 ENGINEERING, ELECTRICAL & ELECTRONIC 工程：电子与电气 PHYSICS, APPLIED 物理：应用 PHYSICS, CONDENSED MATTER 物理：凝聚态物理 4区 4区 4区 否 否
中科院分区趋势图
影响因子趋势图

中科院JCR分区：中科院JCR期刊分区（又称分区表、分区数据）是中国科学院文献情报中心世界科学前沿分析中心的科学研究成果，是衡量学术期刊影响力的一个重要指标，一般而言，发表在1区和2区的SCI论文，通常被认为是该学科领域的比较重要的成果。

影响因子：是汤森路透(Thomson Reuters)出品的期刊引证报告(Journal Citation Reports,JCR)中的一项数据，现已成为国际上通用的期刊评价指标，不仅是一种测度期刊有用性和显示度的指标，而且也是测度期刊的学术水平，乃至论文质量的重要指标。

Solid-state Electronics 杂志JCR分区

Web of Science 数据库
2025-2026年最新版
按JCI指标学科分区 收录子集 分区 排名 百分位
学科：ENGINEERING, ELECTRICAL & ELECTRONIC SCIE Q4 294 / 369

20.5
学科：PHYSICS, APPLIED SCIE Q4 155 / 191

19.1
学科：PHYSICS, CONDENSED MATTER SCIE Q4 64 / 81

21.6
学科：ENGINEERING, ELECTRICAL & ELECTRONIC SCIE Q4 299 / 371

19.54
学科：PHYSICS, APPLIED SCIE Q4 154 / 191

19.63
学科：PHYSICS, CONDENSED MATTER SCIE Q3 60 / 81

26.54
2024-2025年最新版
按JCI指标学科分区 收录子集 分区 排名 百分位
学科：ENGINEERING, ELECTRICAL & ELECTRONIC SCIE Q4 277 / 368

24.9
学科：PHYSICS, APPLIED SCIE Q4 146 / 187

22.2
学科：PHYSICS, CONDENSED MATTER SCIE Q4 63 / 80

21.9
学科：ENGINEERING, ELECTRICAL & ELECTRONIC SCIE Q4 285 / 368

22.69
学科：PHYSICS, APPLIED SCIE Q4 149 / 187

20.59
学科：PHYSICS, CONDENSED MATTER SCIE Q3 58 / 80

28.13
2023-2024年最新版
按JCI指标学科分区 收录子集 分区 排名 百分位
学科：ENGINEERING, ELECTRICAL & ELECTRONIC SCIE Q3 259 / 352

26.6
学科：PHYSICS, APPLIED SCIE Q4 138 / 179

23.2
学科：PHYSICS, CONDENSED MATTER SCIE Q4 61 / 79

23.4
学科：ENGINEERING, ELECTRICAL & ELECTRONIC SCIE Q3 261 / 354

26.41
学科：PHYSICS, APPLIED SCIE Q3 133 / 179

25.98
学科：PHYSICS, CONDENSED MATTER SCIE Q3 54 / 79

32.28

Solid-state Electronics CiteScore 评价数据（2026年6月最新版）

  • CiteScore：3.1
  • SJR：0.335
  • SNIP：0.685

CiteScore 排名

学科类别 分区 排名 百分位
大类：Engineering 小类：Electrical and Electronic Engineering Q2 474 / 1030

54%
大类：Engineering 小类：Electronic, Optical and Magnetic Materials Q3 183 / 318

42%
大类：Engineering 小类：Condensed Matter Physics Q3 267 / 446

40%
大类：Engineering 小类：Materials Chemistry Q3 204 / 327

37%
CiteScore趋势图
年发文量趋势图

CiteScore：是由Elsevier2016年发布的一个评价学术期刊质量的指标，该指标是指期刊发表的单篇文章平均被引用次数。CiteScore和影响因子的作用是一样的，都是可以体现期刊质量的重要指标，给选刊的作者了解期刊水平提供帮助。

Solid-state Electronics 杂志发文统计

文章名称引用次数

  • Current-voltage analytical model and multiobjective optimization of design of a short channel gate-all-around-junctionless MOSFET11
  • Characterization and modeling of 28-nm FDSOI CMOS technology down to cryogenic temperatures10
  • Multi-layer WSe2 field effect transistor with improved carrier-injection contact by using oxygen plasma treatment8
  • Degradation and failure mechanism of AlGaN-based UVC-LEDs7
  • Wide band gap semiconductor technology: State-of-the-art7
  • Tunable-Sensitivity flexible pressure sensor based on graphene transparent electrode6
  • Design and fabrication of very small MEMS microphone with silicon diaphragm supported by Z-shape arms using SOI wafer5
  • Investigation on single pulse avalanche failure of SiC MOSFET and Si IGBT5
  • A new method for determination of PAD capacitances for GaAs HBTs based on scalable small signal equivalent circuit model5
  • Sensing properties of separative paper-based extended-gate ion-sensitive field-effect transistor for cost effective pH sensor applications4

国家/地区发文量

  • South Korea131
  • CHINA MAINLAND104
  • France76
  • USA53
  • GERMANY (FED REP GER)36
  • India24
  • Spain21
  • England17
  • Belgium16
  • Japan16

机构发文发文量

  • CENTRE NATIONAL DE LA RECHERCHE SCIENTIFIQUE (CNRS)55
  • COMMUNAUTE UNIVERSITE GRENOBLE ALPES38
  • UNIVERSITE DE SAVOIE33
  • CEA32
  • SEOUL NATIONAL UNIVERSITY (SNU)26
  • CHINESE ACADEMY OF SCIENCES23
  • KYUNGPOOK NATIONAL UNIVERSITY17
  • STMICROELECTRONICS16
  • POHANG UNIVERSITY OF SCIENCE & TECHNOLOGY (POSTECH)12
  • INDIAN INSTITUTE OF TECHNOLOGY SYSTEM (IIT SYSTEM)11

Solid-state Electronics 杂志社通讯方式

《Solid-state Electronics》杂志通讯方式为：PERGAMON-ELSEVIER SCIENCE LTD, THE BOULEVARD, LANGFORD LANE, KIDLINGTON, OXFORD, ENGLAND, OX5 1GB。详细征稿细则请查阅杂志社征稿要求。本站可提供SCI投稿辅导服务，SCI检索，确保稿件信息安全保密，合乎学术规范，详情请咨询客服。

Solid-state Electronics杂志问答

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