摘要：采用碳热还原法,以单质Si粉和活性炭为原料,Fe2O3为添加剂,研究了还原气氛下热处理温度(1200~1700℃)对Si C纳米材料形貌和发光性能的影响。结果表明:不同热处理温度下,单质Si粉和活性炭均可反应生成Si C纳米材料,但当热处理温度为1200℃和1300℃时,二者反应不完全;当热处理温度由1400℃增至1700℃时,单质Si粉和活性炭的反应增强,并在1600℃热处理后完全转化为Si C,其形貌由棒状和颗粒状的混合体转化为单一的短棒状,进而又发育为纤维状。此外,不同热处理温度下获得的Si C纳米材料均具有较宽的发射带宽,经1600℃热处理后Si C纳米材料的发光性能较优,其发光峰强度优于其它热处理温度下的产物,这是因为此温度下所获Si C纳米材料呈纤维状,其长径比较高,有利于发光性能的改善所致。

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