摘要：利用量子化学的密度泛函理论,计算GaN的MOVPE生长中主要的表面反应前体NH3、GaCH3（简写为MMG）在GaN（0001）面台阶处的吸附特性,并与理想平台表面对比。结果表明,在台阶吸附时,NH3有分子吸附和分解吸附两种结构,MMG只有两种分子吸附结构。NH3分子吸附时,吸附能在台阶处大于在平台表面;NH3分解吸附时,吸附能在平台表面大于在台阶处。说明NH3在台阶处容易发生分子吸附,而在平台表面容易发生分解吸附。MMG在台阶处的吸附能均大于在平台表面,说明它们在台阶处吸附比理想表面更容易。

注：因版权方要求，不能公开全文，如需全文，请咨询杂志社