摘要：采用有籽晶的高压垂直布里奇曼法（HPVB）生长了直径35 mm的大尺寸CdSe单晶。使用X射线衍射仪测试了晶体的结晶质量,结果表明生长的晶体为纯六方相CdSe单晶,（002）晶面的摇摆曲线峰型尖锐且对称性好,峰值半高宽（FWHM）可达0.082°。使用辉光放电质谱法（GDMS）、霍尔效应测试、傅里叶变换红外光谱仪（FTIR）对晶体生长轴向的微量杂质含量及分布、电学性能和光学性能进行测试和分析,结果表明微量杂质在晶体轴向方向呈现出不同的分凝特性,杂质的不均匀分布影响晶体的电学性能和光学性能。晶体呈现出较高的电阻率（108Ω·cm）和优良的红外透过性能,在812μm范围内平均透过率约为70%,吸收系数小于0.058 cm^-1。

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