摘要：采用AFORS-HET软件对Cs Ge I3空穴传输层（Hole Transport Material,HTM）平面异质结钙钛矿太阳电池进行了模拟,Ti O2作为电子传输层,CH3NH3Pb I3作为光吸收层,C作为背电极,分别讨论了钙钛矿光吸收层厚度、缺陷浓度,光吸收层/HTM界面态密度和HTM对太阳电池性能参数的影响。模拟优化得到Cs Ge I3HTM的PSCs最佳性能参数为：Voc=1.199 V,Jsc=22.2 m A·cm-2,FF=86.22%,PCE=22.95%,效率虽略低于spiro作为HTM的器件,但考虑生产工艺和制备成本,Cs Ge I3作为HTM的PSCs将具有更好的应用前景。

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