首页 期刊 人工晶体学报 氧化镁陶瓷的烧结工艺研究 【正文】

氧化镁陶瓷的烧结工艺研究

作者:智顺华 曹林洪 王超 李海燕 王宁会 西南科技大学材料科学与工程学院 绵阳621010 四川世纪双虹显示器件有限公司北京PDP研发中心 北京100085 大连理工大学电气工程系 大连116024
mgo陶瓷   烧结温度   均相沉淀法  

摘要:以硝酸镁、碳酸氢氨为原料,采用均相沉淀法制备碱式碳酸镁,经过不同温度煅烧制得MgO粉体,将粉体压制成型后,经不同温度下烧结,制备MgO陶瓷。TG-DTA、XRD和SEM分析结果表明:碱式碳酸镁的最佳煅烧温度为750℃左右,所制得的MgO粉体的晶粒大小为22.25 nm。MgO陶瓷最佳烧结温度为1500℃,所得到的陶瓷结构致密、气孔较少、收缩率较高、透光性最好。随着烧结温度的升高,MgO陶瓷中的晶粒有沿(200)晶面择优生长的趋势。

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