摘要：CsI(Tl)闪烁晶体光产额高于BGO晶体4倍多，辐照长度较NaI(Tl)晶体短，机械性能好，是一种优良实用的闪烁晶体材料。CsI(Tl)晶体的发光中心包括激活剂发光中心[Tl(I)和Tl(Ⅱ)]和辐照诱导缺陷发光中心。CsI(Tl)晶体的发射谱峰值位于550nm，能与硅光二极管配合组成性能优良的探测器，广泛应用于核技术和高能物理等领域。目前主要采用坩埚下降法和连续加料法生长。本文综述了CsI(Tl)闪烁晶体的生长、缺陷、闪烁性能及其应用领域的研究与发展趋势。

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