首页 期刊 齐鲁工业大学学报 烧结温度对BN/Si3 N4透波材料性能和显微结构的影响 【正文】

烧结温度对BN/Si3 N4透波材料性能和显微结构的影响

作者:赵玉军; 沈建兴; 张玉军 山东大学材料科学与工程学院; 山东济南250014; 齐鲁工业大学材料科学与工程学院; 山东济南250353
n4   烧结温度   力学性能   介电性能   显微结构  

摘要:利用无压烧结技术,制备BN/Si3 N4透波材料;研究了1400℃、1500℃、1600℃和1680℃四个烧结温度对BN/Si3 N4透波材料致密化、弯曲强度、介电性能和显微结构的影响。结果表明:温度升高有利于β-Si3 N4晶相的生成,烧结温度为1600℃时,BN/Si3 N4透波材料中针状β-Si3 N4相和h-BN相并存;随着烧结温度的升高,气孔率单调降低,相对密度单调升高;弯曲强度、断裂韧性、介电常数和介电损耗逐渐增大;当烧结温度为1600℃时,相对密度为74.2%,弯曲强度和断裂韧性分别为281.3 MPa和2.74 MPa/m2,介电常数和介电损耗分别为5.01和0.0102,可以作为航空航天飞行器的候选材料。

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