摘要:通过选择性离子注入,在硅片表面形成P区、N区紧密接触的PN结结构.实验发现,在黑暗条件下,PN结N型区域可被HF酸或BOE溶液选择性腐蚀;该腐蚀速率与HF酸溶液浓度有关,随环境温度升高而加快,腐蚀速率范围为0.25~3.5nm/min;腐蚀后硅片表面平整.对腐蚀机理进行了初步讨论.结合氧化硅蚀刻缓冲液(BOE溶液)氧化硅牺牲层腐蚀技术,发展出一套硅纳米线加工工艺;利用该工艺,加工出特征尺寸小于100nm的硅纳米线.
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