首页 期刊 南开大学学报·自然科学版 一种基于BICMOS工艺的低温度系数带隙基准电压源 【正文】

一种基于BICMOS工艺的低温度系数带隙基准电压源

作者:郭振义; 林长龙; 刘畅; 孙帅; 梁科; 王锦; 李国峰 南开大学电子信息与光学工程学院; 天津300071
电压基准   bicmos   低温度系数  

摘要:提出了一种高精度带隙基准电压源,电路采用了与温度成正比的电压补偿二极管压降的负温度特性,得到了与温度无关的基准电压源,并且利用双二极管串联模式提高了带隙结构的精度,并给出了计算和分析.电路采用0.5μmBICMOS工艺实现,仿真的结果表明,在3.3V电压下,电路的功耗为25μW,在温度-40—125℃范围内,输出的电压为1.239V,温度系数为10ppm/℃.

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