摘要：氮化硅薄膜刻蚀是制造微电子器件的关键技术之一,刻蚀的效果直接影响电子元器件的性能。采用反应离子法对氮化硅薄膜进行了刻蚀,并借助原子力显微镜（AFM）、光学显微镜（OM）、表面轮廓仪表征方法对刻蚀的氮化硅薄膜进行分析。结果表明：反应气体为NH3∶Si H4=40∶10时,制备出的氮化硅薄膜的厚度均匀,薄膜颜色一致;氮化硅薄膜的最佳刻蚀时间为3min,此时氮化硅薄膜的表面较平整,粗糙度较小,氮化硅薄膜与Si基底表面的分界线明显。

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