摘要：利用光谱诊断方法深入研究了介质阻挡放电（DBD）中气体分子温度分布，OH自由基促进NO分子氧化过程的光谱特性，获得了NO（A^2∑^＋→X^2П，0—3，1—4）、N2（C^3Пu→B^3Пg，0—0）和OH（A^2∑^＋→X^2П，0—0）的高分辨率发射光谱。通过拟舍得到NO（A^2∑^＋→X^2П）转动带253—260nm的谱线，将其与实验谱线进行比较，获得了DBD放电区域的气体分子温度；发现在放电通道内气体分子温度分布较为均衡，但靠近内电极气体分子温度约为330K，略高于介质附近的310K。研究了N2与NO谱线强度的一维分布，发现在放电通道中间位置处谱线强度最高，从中间往内外电极方向谱线强度均逐渐降低。随着交流电压的升高，NO与OH谱线强度均升高，高能电子能有效地激发OH与NO基团。随着相对湿度从20％升高到100％，NO谱线强度降低约93％；随着NO浓度升高，OH谱线强度呈现下降的趋势，NO浓度从200mL／m^3升高到600mL／m^3时，OH谱线强度下降约27％。说明OH基团对NO氧化过程中起到重要作用。

注：因版权方要求，不能公开全文，如需全文，请咨询杂志社