作者:王城; 钟智勇 期刊:《压电与声光》 2019年第05期
为降低制备ZnO/YIG用于研究声表面波(SAW)对自旋波的激励和传播特性的研究成本,采用射频磁控溅射技术在更低成本的钆镓石榴石(GGG)上沉积ZnO薄膜,对ZnO/GGG准2-2型单端口SAW谐振器进行初探。使用X线衍射(XRD)仪、原子力显微镜(AFM)以及扫描电镜(SEM)对薄膜的微观结构和形貌进行了表征和分析。结果表明,当在氧气流量4 cm 3/min、450℃下退火处理时,ZnO薄膜呈现出表面平滑、残余应力小及具有高度c轴择优取向等优点。经测试声表面波频...
作者:王玉新; 王磊; 王媛媛; 李真; 赵帅; 张巍 期刊:《光电子激光》 2019年第09期
本文利用溶胶-凝胶旋涂法在玻璃衬底上制备了本征、N单掺和Li-N共掺的ZnO薄膜。研究Li掺杂量的改变对薄膜的晶体结构、表面形貌、透过性能和发光性能的影响。采用了紫外-可见分光光度计(UV-VIS)、光致发光谱(PL)、扫描电子显微镜(SEM)和X射线衍射仪(XRD)等表征手段对样品进行了测试。结果表明:Li掺杂量的改变对薄膜的结构和性能都有一定的影响,随着Li掺杂量的增加,(002)衍射峰强度增大,晶粒尺寸先增加后减小,紫外发射峰的强度和薄...
作者:甄万宝; 朱世富; 赵北君; 宋志棠; 封松林 期刊:《工程科学与技术》 2004年第06期
采用等离子束辅助沉积的方法在n-Si(001)衬底上制备出ZnO薄膜.X射线衍射谱显示,所制备的ZnO薄膜有较强的(002)晶面衍射峰,表明ZnO薄膜为c轴择优取向生长的,并且随着退火温度升高,晶粒逐渐增大,衍射峰逐渐增强.光致发光谱测量发现,样品分别在3.28 eV和2.48 eV存在紫外发射和深能级发射两个较强的发射峰,并且随着退火温度升高,深能级发射逐渐减弱,紫外发射峰得到进一步改善.四探针测试电阻率结果表明,随着退火温度的升高,ZnO薄膜的电...
作者:胡春香; 吴瑜之 期刊:《江科学术研究》 2008年第02期
利用有限差分法对脉冲激光沉积(PLD)技术制备ZnO薄膜过程中等离子体在等温和绝热两个阶段的速度演化进行了模拟,并给出了其中主要粒子在空间的具体演化规律,对等离子体在空间膨胀的物理机制,进行了深入的讨论。
作者:张林森; 白庆玲; 宋铁峰; 刘赟; 王力臻; 李素珍 期刊:《轻工学报》 2013年第06期
对染料敏化太阳能电池光阳极TiO2和ZnO薄膜制备的常用方法溶胶凝胶法、水热合成法、磁控溅射法、电化学沉积法以及脉冲激光沉积法、金属有机物化学气相沉积法、化学气相沉积法、喷雾热解法和化学沉淀法进行了述评,指出:半导体薄膜的制备和优化,减少电子在其传输过程中的损失,探索多种半导体材料的复合薄膜,优化半导体薄膜的能级结构和与光敏染料能级的匹配性,以及制备更为紧凑有序的纳米阵列光阳极材料和适合规模化生产的工...
作者:薛书文; 梅芳; 肖世发; 莫东; 黄子康 期刊:《岭南师范学院学报》 2008年第06期
利用溶胶凝胶方法在石英玻璃衬底上制备了ZnO:Mg薄膜,将能量56 keV、剂量1×1017ions/cm2的N离子注入到薄膜中.离子注入后,将样品在500-900℃的氮气中退火,利用X射线衍射(XRD)和光吸收研究了薄膜中缺陷的恢复过程.结果显示,离子注入层在600-900℃的退火过程中分解和蒸发现象明显,这个结果对利用离子注入技术制备p型ZnO有很重要的意义.
作者:陈薇薇; 岳冬辉; 杜忠奎; 李道胜; 田雷 期刊:《科学技术创新》 2013年第11期
采用磁控溅射技术在玻璃基底上制备出了ZnO/Cu/ZnO、ZnO/Cu、ZnO单层三种透明导电薄膜,利用几种表征手段分析了Cu层位置对ZnO薄膜的结构形貌、光电性能的影响。结果表明,Cu层的加入会降低薄膜的透射率和提高导电性,其中ZnO/Cu/ZnO结构的透射率略高,ZnO/Cu结构的电阻率最低。
作者:王莉; 何俊刚; 陈环; 刘志宇; 傅刚 期刊:《科技创新导报》 2009年第25期
通过Ag掺杂和磁控溅射方法生长ZnO:Ag薄膜,分析了氧气氛退火温度后薄膜的微结构和电阻率等电学性能。退火前薄膜的晶拉大小为l5nm,经过600℃氧气氛热处理后,晶拉增大到35nm左右;霍耳洲试结果表明,氧气氛后ZnO:Ag薄膜转变为p型电导。薄膜对可见光的透过率大于83%,有陡峭的截止吸收限,对小于378nm的紫外光有强烈的吸收。
作者:徐哈宁; 肖慧; 黎正根 期刊:《广州化工》 2008年第05期
采用磁控溅射技术在SiO2基底上制备了ZnO薄膜。通过椭偏仪和X射线衍射仪(XRD)对薄膜光学特性、内部结构的表征,分析了氧气浓度和溅射功率对薄膜折射率、消光系数以及C轴晶格生长的影响。结果表明:氧气浓度的增加使薄膜的折射率变大,消光系数减小;氧气浓度从20%增至40%时,C轴晶向生长增强,当氧气浓度继续增加,C轴晶向生长受抑;溅射功率对薄膜的光学特性影响较小,对薄膜生长结构影响显著;当工作电流由1.0A增加至1.5A...
作者:段恒勇 期刊:《黑龙江大学自然科学学报》 2004年第02期
为了研究全色显示中的蓝光问题,用电子束蒸发的方法生长了ZnO薄膜,不同温度对ZnO膜进行退火处理结果表明:退火对电致发光的影响比对光致发光更明显,O2气氛中高温退火样品的发光强度不如低温退火样品,合适的退火温度和退火气氛可以改善ZnO膜薄的结晶状态,使电致发光显著蓝移。
作者:戴建明; 冯建强; 张瑞丽; 袁广宇; 刘强春; 王红艳; 戴建明; 冯建强; 张瑞丽; 袁广宇; 刘强春; 王红艳 期刊:《淮北师范大学学报·自然科学版》 2004年第01期
采用射频磁控溅射方法分别在蓝宝石(Al2O3)(0001)和硅(100)衬底上制备ZnO薄膜.通过X-光衍射测量与分析表明两者都沿C轴方向生长,在Al2O3衬底上的ZnO薄膜结晶质量优于在Si衬底上的薄膜样品.然而,由原子力显微镜观测发现在Al2O3衬底上的薄膜晶粒呈不规则形状,且有孔洞,致密性较差;而在Si衬底上的ZnO薄膜表面呈较规则的三维晶柱,致密性好.光致发光测量表明,不同衬底上生长的ZnO薄膜表现出明显不同的发光行为.
作者:孙彦清; 娄本浊 期刊:《热加工工艺》 2018年第16期
采用脉冲激光沉积法在玻璃基板上制备Zn O薄膜。利用XRD与SEM分析脉冲能量与基板温度对薄膜微观结构的影响。结果表明:脉冲强度为100 m J时,轰击下来的颗粒数量与尺寸适于沉积出(002)面结晶强度最大的Zn O薄膜;基板温度为300℃时,Zn O薄膜表面呈颗粒状堆叠形貌,且具有良好的(002)面择优取向。在脉冲强度100 m J、基板温度300℃及沉积时间3 h下以脉冲激光沉积法在玻璃基板上成长所得的Zn O薄膜的结晶效果最佳。
作者:苏清磊; 董伟伟; 陶汝华; 邓赞红; 方晓东 期刊:《有色金属工程》 2007年第03期
采用脉冲激光沉积法在蓝宝石(001)衬底上沉积ZnO薄膜,研究衬底温度、激光能量和氧气压力对样品结构和表面形貌以及光致发光的影响.X射线衍射(XRD)表明,在沉积温度范围内(600~900℃)所有样品都具有c轴高度择优取向.扫描电镜(SEM)的测试结果表明,激光能量和氧气压力对薄膜表面形貌的影响显著.在所有样品的室温光致发光谱(PL)均观察到单一 的380nm紫外光发射,深能级发射被强烈抑制.
作者:王英连; 孙汪典; 任思雨; 卢希龙 期刊: 2005年第01期
采用溶胶-凝胶法在石英玻璃基底上制备出性能优良的ZnO薄膜.并通过XRD、AFM和UV-VIS吸收光谱对薄膜的结构及形貌进行表征,研究了降解温度、苯酚溶液的初始浓度和空气流量对ZnO薄膜光催化性能的影响,ZnO薄膜光催化降解苯酚的最佳条件:降解温度25~45 ℃,空气流量40 mL*min-1.起始浓度越低,降解效果越显著,同时实现了ZnO薄膜催化剂的固载,催化效果显著.同时研究了ZnO薄膜催化剂的固载.固载后的ZnO薄膜催化剂催化效果显著,且便于回收...
作者:李万程; 杜国同; 杨小天; 刘博阳; 张源涛; 赵佰军; 姜秀英 期刊:《高等学校化学学报》 2004年第11期
用MOCVD方法在Al2O3衬底c面生长ZnO薄膜, 用XPS对薄膜进行了测量.结果显示, 与O1s和Zn2p态相比, Zn3d态有更大的化学位移, 可用于更有效地分析ZnO薄膜变化; 随着Zn3d+Zn4s态和Zn3d态电子与O2p态电子耦合的增强, Zn3d态电子的结合能变大; 二乙基锌(DEZn)源温是影响ZnO成键的重要因素.
作者:王英连; 孙汪典 期刊:《传感器世界》 2004年第06期
ZnO薄膜是一种新型的、性能优良的半导体材料.本文详细介绍了ZnO薄膜在声光器件、压电器件、气敏元件、声表面波器件、压力元件、湿敏元件和紫外探测器等方面的最新应用进展,并对该材料的发展趋势进行了展望.
作者:潘志峰; 袁一方; 王志坚 期刊:《曲阜师范大学学报·自然科学版》 2004年第02期
ZnO是一种直接带半导体材料,在光电领域中和GaN一样受到关注.ZnO不仅有与GaN相似的晶体结构,而且它的激子结合能高达60meV,是GaN的2.4倍.采用射频(RF)磁控溅射法在n-Si(001)衬底上生长ZnO薄膜,XRD谱测量显示出氧压对ZnO薄膜的晶体结构有显著影响.用波长为325nm的激光激发,观察到在445 nm处有一强的光致发光峰,它来自于氧空位浅施主能级上的电子跃迁到价带,分析了发光峰与氧压的关系以及退火对它的影响.
作者:赵玉岭 期刊:《信阳师范学院学报·自然科学版》 2005年第03期
ZnO作为一种新型的宽禁带半导体材料,具有很好的化学稳定性和热稳定性,抗辐射损伤能力强,在光电器件、压电器件、表面声波器件等诸多领域有着很好的应用潜力.本文介绍了ZnO薄膜的基本性质以及喷雾热分解、脉冲激光沉积、金属有机物化学气相沉积等制备ZnO薄膜的技术和方法,并着重介绍了在ZnO紫外受激发射和p型掺杂等方面的研究进展.
作者:解玉鹏; 王显德 期刊:《大学物理实验》 2018年第06期
采用磁控溅射方法在石英衬底上制备ZnO薄膜,利用XRD对薄膜结构进行表征,SEM表征薄膜的表面形貌,讨论了退火温度对薄膜结构和电学性质的影响。结果表明,在750℃快退火后,磷受主被激活,得到了p型ZnO:P薄膜。
作者:李丽; 王万录; 廖克俊; 陈秀东; 杨丰帆; 曹春兰; 张瑞俭 期刊:《真空》 2005年第03期
采用直流反应磁控溅射方法在玻璃基底上成功地沉积了C轴取向性能良好的ZnO薄膜.本文研究了C轴取向性良好的ZnO薄膜在光学方面的一些性质以及ZnO薄膜的塞贝克效应,并从理论上进行了分析.