作者:沈师泽; 许立军 期刊:《信息技术与信息化》 2020年第01期
人们以前从电流机制出发来构建环栅肖特基势垒MOSFET漏源电流模型,目前还缺乏基于阈值电压的电流模型。将掺杂漏源环栅NMOSFET漏源电流模型中的阈值电压替换成环栅肖特基势垒NMOSFET阈值电压,得到基于阈值电压的环栅肖特基势垒NMOSFET漏源电流模型。与Sentaurus TCAD仿真结果对比,发现基于阈值电压的模型比基于电流机制的有更高精度。对比两种器件的仿真结果,结果表明,在0.04V的电子本征肖特基势垒高度下,环栅肖特基势垒NMOSFET的...
安森美半导体推出了业内首个250V肖特基整流器,应用于等离子体/LCD电视、电源、消费类和汽车电子,把原有的肖特基势垒电压超越200V。公司为了进一步扩展其高压肖特基产品系列,还推出了两款全新的200VSMC封装肖特基整流器。
作者:梁海峰; 王东兴; 薛严冰 期刊:《大连交通大学学报》 2004年第03期
利用有机半导体酞菁铜制作的静电感应三极管(OSIT)进行测试所得的数据,分析了酞菁铜/铝-肖特基势垒的整流特性和静态特性.利用线性插值的方法得到反向偏压下的整流关系式,对OSIT的不饱和静态特性作了进一步的解析,分析了VGS影响OSIT特性的原因.
作者:苑吉河; 张曦; 黄雪昀; 王远平; 潘成刚 期刊:《电瓷避雷器》 2018年第01期
针对氧化锌压敏电阻直流作用下的老化问题。利用氧化锌压敏电阻肖特基势垒理论,对氧化锌压敏电阻在正极性和正、负极性直流交替作用下,氧化锌压敏电阻老化规律进行研究,得出以下结论:1)氧化锌压敏电阻在单一极性直流作用下,产生明显的极性效应。此外,极性效应和老化程度均随电流的增加而增大,当达到最高点时,出现减慢的现象。2)正、负极性电流交替作用时,ZnO压敏电阻出现极性补偿现象,使得肖特基势垒高度下降变慢,导...
作者:袁伟; 石锐 期刊:《传感器与微系统》 2017年第11期
对于气体传感器获得的样本数据,常规的处理方法是基于样本的表象来提取特征进行分类,具有固有的局限性。基于热电子发射理论和等温吸附理论,对气体传感器的电压响应值与温度、样本浓度等参数建立数学方程,将方程简化,构造了简易的响应动力学模型。通过主成分分析,降低样本维数。将模型向降维后的样本数据拟合,可得到模型的一组系数,作为样本的特征值。将特征值集合运用模式识别方法进行训练,测试分类性能。实验结果显示:分类预测...
TN364.2 2005021317 InGaAs-APD门模单光子探测及其应用=Gated-mode sin- gle-photon detection and its applications using InGaAs- APD[刊,中]/周金运(广东工业大学应用物理学院.广东, 广州(510090)),彭孝东…//量子电子学报.-2004,21 (4).-401-405 对单光子探测使用InGaAs-APD并采用门模控制的 核心问题进行了阐述,总结了探测器件的特性和门模控制 系统的特点,归纳了在这种探测方式中实际存在的问题和 可能解决的方法,最...
作者:王强文; 郭育华 期刊:《半导体技术》 2018年第11期
研究了Pt/Nb∶SrTiO3/In结构器件的异常双极性电阻变换特性,并对其物理机理进行了讨论。用直流磁控溅射的方法在不同组分Nb掺杂SrTiO3(NSTO)(001)单晶衬底上制备了Pt和In电极,构建了Pt/NSTO/In异质结。该异质结的I-V特性测试结果表明,该异质结具有不同寻常的双极性阻变特性。随着Nb在SrTiO3中掺杂浓度的改变,决定样品在正电压扫描过程中由高电阻状态(HRS)向低电阻状态(LRS)或由LRS向HRS转换的阈值电压也呈现出规律性变化。...
作者:徐峰; 于国浩; 邓旭光; 李军帅; 张丽; 宋亮; 范亚明; 张宝顺 期刊:《物理学报》 2018年第21期
基于热电子发射和热电子场发射模式,利用I-V方法研究了Pt/Au/n-InGaN肖特基接触的势垒特性和电流输运机理,结果表明,在不同背景载流子浓度下, Pt/Au/n-InGaN肖特基势垒特性差异明显.研究发现,较低生长温度制备的InGaN中存在的高密度施主态氮空位(VN)缺陷导致背景载流子浓度增高,同时通过热电子发射模式拟合得到高背景载流子浓度的InGaN肖特基势垒高度和理想因子与热电子场发射模式下的结果差别很大,表明VN缺陷诱发了隧穿机理并降...
作者:袁涛; 陈炳若; 吴牧; 郑若成 期刊:《光电子技术》 2004年第01期
实验发现某些UV-110硅紫外增强型光伏探测器件的开路电压值随入射光强增大反而下降,在一定入射光强下出现峰值.实验和理论分析指出,这种异常光电特性的产生是由于器件中存在一个与主结方向相反的寄生PN结,寄生结是Al电极和n-Si衬底之间合金化工艺控制不当而引入的肖特基结.
作者:亢勇; 李雪; 肖继荣; 靳秀芳; 李向阳; 龚海梅; 方家熊 期刊:《红外与激光工程》 2005年第01期
利用金属有机化学气相沉积生长的非故意掺杂GaN单晶制备了金属-半导体-金属交叉指型肖特基紫外探测器.用肖特基势垒的热电子发射理论研究了低真空下不同热退火条件对器件伏安特性的影响.Au-GaN肖特基势垒由退火前的0.36 eV升高到400℃0.5 h的0.57 eV,退火延长为1 h势垒反而开始下降.分析结果表明:由工艺造成的填隙Au原子引入的缺陷是器件势垒偏低的主要原因,Au填充N空位形成了施主型杂质是退火后势垒升高的主要原因.
作者:杨建平; 吴敢; 王瑞; 陈学康 期刊:《半导体光电》 2005年第03期
采用脉冲激光薄膜沉积技术制备了超薄连续的铱硅化合物肖特基势垒薄膜,利用X射线光电子能谱、原子力显微镜、半导体性能自动测量系统对薄膜进行了分析.获得的样品在界面层为单相IrSi3,并对人体红外辐射有很好的响应特性,通过I-V曲线估算样品的势垒高度约为0.116 eV.
作者:陈文彬; 刘继琨 期刊:《半导体光电》 2005年第B03期
研究了PtSi—SBD的结构和光产额。由光产额模型可知,采用薄PtSi光腔结构和降低肖特基势垒可提高量子效率。利用光的共振吸收模型,通过计算机模拟计算表明,引入抗反射层,优化光腔结构可以大大提高光的吸收率。同时,PtSi膜厚在1~2nm时,PtSi—SBD的量子效率系数最大。
作者:刘修锋; 葛洋洋; 葛大勇; 李佳慧; 郭聪; 代秀红; 刘保亭 期刊:《机械工程材料》 2018年第05期
采用射频磁控溅射法在[001]取向的掺铌钛酸锶(Nb:STO)单晶衬底上制备Na0.5Y0.5TiO3(NYT)铁电薄膜,研究了该铁电薄膜的物相组成、显微结构、铁电性能、电输运性能。结果表明:NYT薄膜具有[001]取向的外延结构,其表面平整,界面清晰,结晶质量良好;NYT薄膜具有铁电性能,其剩余极化强度为0.3μC·cm^-2,矫顽场为178kV·cm^-1;NYT薄膜/电极界面存在肖特基势垒,反偏状态的肖特基结能够显著降低NYT薄膜的漏电流密度,提高其耐压强度,肖特...
作者:苏现军; 王武杰; 赵岚; 王宏杰; 吕福云 期刊:《量子电子学报》 2004年第04期
介绍了GaN基的3种可见盲紫外光探测器:p-i-n结、肖特基势垒和金属-半导体-金属紫外光探测器,并对其工作原理、特性和发展现状进行了综述.
作者:闫欣; 汪韬; 尹飞; 倪海桥; 牛智川; 辛丽伟; 田进寿 期刊:《光子学报》 2015年第06期
MSM(金属-半导体-金属)型光电探测器的较低寄生电容和高带宽的特点使得其应用广泛,可用于空间通信、遥感等多方面,但暗电流偏大仍是制约其发展的重要因素.为此,本文研制了100×100μm。面积的InGaAs-MSM光电探测器,通过设计InAlGaAs/InGaAs短周期超晶格和InAlAs肖特基势垒增强结构,将器件暗电流密度降至0.6pA/μm。(5V偏置),改善了目前同类器件的信噪比.对器件光电参数进行了表征:3dB带宽6.8GHz,上升沿58.8ps,155...
功率肖特基势垒整流二极管属新型电子元器件,具有高速和大电流低正向压降等特点,将科技成果转化为产业化大规模生产,可满足日益增长的国内外市场需求.
作者:陶鹏程; 黄燕; 周孝好; 陈效双; 陆卫 期刊:《物理学报》 2017年第11期
采用基于密度泛函理论的第一性原理赝势平面波方法,计算了卤族元素掺杂对金属-MoS2界面性质的影响,包括缺陷形成能、电子能带结构、差分电荷密度以及电荷布居分布.计算结果表明:卤族元素原子倾向于占据单层MoS2表面的S原子位置;对于单层MoS2而言,卤族元素的掺杂将在禁带中引入杂质能级以及导致费米能级位置的移动.对于金属-MoS2界面体系,结合Schottky-Mott模型,证明了卤族元素的掺杂可以有效地调制金属.MoS2界面间的肖特...
作者:吴孔平; 孙昌旭; 马文飞; 王杰; 魏巍; 蔡俊; 陈昌兆; 任斌; 桑立雯; 廖梅勇 期刊:《物理学报》 2017年第08期
宽带隙半导体金刚石具有突出的电学与热学特性,近年来,基于金刚石的高频大功率器件受到广泛关注,对于金属-金刚石肖特基结而言,具有较高的击穿电压和较小的串联电阻,所以金属-金刚石这种金半结具有非常好的发展前景.本文通过第一性原理方法去研究金属铝-金刚石界面电子特性与肖特基势垒的高度.界面附近原子轨道的投影态密度的计算表明:金属诱导带隙态会在金刚石一侧产生,并且具有典型的局域化特征,同时可以发现电子电荷转移使得Fer...
作者:贾纪强; 赵高扬; 雷黎; 严富学 期刊:《低温与超导》 2016年第12期
该研究通过溶胶-凝胶结合PLD的方法,在LaAlO3(LAO)基板上制备了具有良好的C轴取向的Pb(Zr0,52Ti0.48)O3/YBa2Cu3O7-x(PZT/YBCO)双层薄膜。采用溅射法制备了Pt顶电极,在300K-50K温度范围内,对Pt/PZT/YBCO的电滞回线和J-V特性曲线进行研究,结果表明:300K时,Pt/PZT/YBCO的剩余极化强度约为22μ/cm^2,随着温度的降低,剩余极化强度基本保持不变同时矫顽场和临界导通电压(K)增大、漏电流减小,当YBCO进入超导态时...
作者:徐乐; 游志远; 胡玉玲; 张洁茹; 柏杨 期刊:《中国电力》 2016年第11期
针对ZnO压敏电阻在交、直流老化作用后,其宏观电容量随时间变化特性的问题,基于砖块模型(block model)对影响ZnO压敏电阻宏观电容量的相关参数进行了理论分析,通过对ZnO压敏电阻样品分别施加不同时长的交流以及直流老化试验时,发现ZnO压敏电阻的宏观电容量在接受交、直流老化后随着时间的延长呈现先降低后增长的趋势;当交、直流老化时间较短时,宏观电容量相较初始值存在小幅降低,而当交、直流老化时间较长时,宏观电容量相较初始...