作者:杜斌; 伍军; 吴宏滨 期刊:《数字印刷》 2013年第01期
共轭聚合物[9,9-二辛基芴-9,9-双(N,N-二甲基胺丙基)芴](PFN)及其电解质衍生物具有与高功函数金属形成有效电子注入的能力,可以用作电子注入层与高功函数金属(如Al、Au等)组成复合阴极,应用在聚合物发光二极管(PLED)中。这类含新型复合阴极的PLED器件具有与目前广泛应用的低功函数金属(如Ba、Ca等)器件相同甚至更高的发光效率。该类电子注入型共轭聚合物及其前驱体只溶解于水、醇等极性溶剂中,而不溶于发光聚合物所易溶...
在车载二极管市场,200 V产品的需求量越来越大,传统是整流二极管和快恢复二极管主导的领域;不过,现在出现了颠覆者,通过改进肖特基势垒二极管的阻挡金属材料,肖特基势垒二极管可实现高达200 V的耐压,从而显著改善正向电压VF特性(比以往FRD低约11%)。例如,ROHM已推出了这种新型肖特基势垒二极管(SBD),实现了小型化、耐高温、低功耗。
整流桥是一种常用的整流元器件,它利用二极管具有单向导电的特性,将交流电压整流为直流电压以供给电路使用的元器件,其广泛用于LED照明、大中小型计算机、微机外设、程控交换机、广播电视通讯、工控仪器仪表行业的电源整流;随着各行业整机的小型化、使用寿命延长化、低功耗节能等,相对应对整流元器件提出了小型化、扁平化、耐高压反偏、微功耗等要求。本文以ABS110肖特基整流桥为例介绍了其超薄封装思路、封装工艺探讨、封装原材料...
作者:刘乃生; 苑龙军 期刊:《潍坊学院学报》 2018年第06期
基于宽禁带半导体碳化硅材料,设计了一款4H-SiC基肖特基二极管,并利用Sentaurus模拟器对器件的正向特性和反向击穿特性进行了模拟研究。一方面介绍了Sentaurus模拟器在本文模拟中应着重解决的器件结构设计及网格优化问题,另一方面,模拟结果表明设计的4H-SiC肖特基二极管正向开启电压达到2.24V,反向击穿电压达到1278V,反向击穿电流达到12A。因此,碳化硅材料在肖特基二极管制造领域将具有极大的应用潜力及优势。
<正> 在2003年8月底举行的日本应用物理学会秋季会议上,日本的一些知名公司和大学报告了其最新GaN基器件研究概况。三菱电气公司描述了用5分钟600℃快速热退火来减小AlGaN/GaN HEMT器件的肖特基栅泄漏。最大漏电流为1A/mm,gm为140mS/mm的HEMT的关断电压由105V提高到178V。德岛大学的一个研究小组报告了他们
<正>在移动通信和消费电子领域,器件小型化的趋势已蔚然成风。为了帮助制造商满足器件更小、功能更丰富的市场要求,飞利浦电子公司了一系列MEGA肖特基整流二极管产品。这些新型整流器产品采用扁平引脚SOD323F封装,比工业标准SMA封装的整流器小 75%,而效率则比采用SOD323封装的MEGA肖特基整流器高60%。这种紧凑型SOD323F
<正>吉林华微电子股份有限公司主营半导体分立器件设计、芯片加工、封装及销售,为部级高新技术企业,是中国最大的功率半导体分立器件制造公司。具有丰富的功率器件制造经验,彩电用功率晶体管、节能灯用功率晶体管、PC机箱电源用功率晶体管和芯片等产品在国内市场有较强的竞争力,通过积极引进技术,与皇家飞利浦、美国快捷公司等国际巨头的合资合作,形成3英寸线36万片/年,4英寸线163万片/年,5英寸线27万片/年和6英寸线7.2万...
<正>Vishay Intertechnology公司推出三种新的双芯片高压肖特基整流器。据称,这些整流器的反向电压为200 V,是现行硅肖特基整流器中最高的。其额定正向电流为20 A,最大工作结温175℃。该公司声称上述产品性能超过用SiC技术制造的200 V正向电压肖特基整流器,而价格是后者的几分之一。
皇家飞利浦电子公司了MEGA肖特基整流二极管新产品,帮助亚洲的移动通信和消费电子生产商,生产出体积更小、功能更齐全的设备。这些更紧凑的设计是通过飞利浦采用紧凑扁平引线SOD323F封装的新型小巧高效的整流器实现的。
作者:黄文超; 王晓芳; 陈效双; 薛玉雄; 杨生胜 期刊:《红外与毫米波学报》 2018年第06期
目前对于纳米尺度半导体材料的局域电导与对应载流子浓度关系的描述主要以参数拟合为主。其关系模型主要依赖人工拟合参数,例如理想因子。所以无法从测得局域电导分布来推出载流子浓度分布。为此,提出了一种获取量子阱中载流子浓度的模型。通过小于10 nm分辨的截面扫描分布电阻显微术,测得了GaAs/AlGaAs量子阱(110)截面的局域电导分布。基于实验设置,提出了只含有掺杂浓度参量的实验描述模型。通过模型,由测得的量子阱(掺杂浓度从1...
ZrO/W肖特基式场发射阴极具有高亮度、高稳定、长寿命等显著优势,广泛应用于电子束光刻、电子显微镜领域。本文从基本原理出发,系统分析了其主要特点,并对其使用中的注意事项进行了介绍,讨论了其热稳定性和环境适应性。
高电压肖特基整流管。MBR60100CT肖特基整流管最适合100至300W供电应用,具有100V反向电压和60A正向电流,封装形式是TO-220AB。该器件典型正向电压是0.64V,最大反向漏电流20mA,典型漏电流仅8.5mA。
作者:李英; 王玉花; 王燕; 田立林 期刊:《固体电子学研究与进展》 2005年第01期
采用金属离子注入法形式CoSi2/Si肖特基结并分析电学特性.分别测量不同退火条件下样品的I-V、C-V特性,得出了各样品的势垒高度、串联电阻和理想因子.结果表明,采用快速热退火方法形成的结性能较好.
飞利浦日前了MEGA肖特基整流二极管新产品,帮助移动通信和消费电子生产商,生产出体积更小、功能更齐全的设备。这些更紧凑的设计是通过飞利浦采用紧凑扁平引线SOD323F封装的新型小巧高效的整流器而实现。
作者:邹崇文; 孙柏; 王国栋; 张文华; 徐彭寿; 潘海斌; 徐法强; 尹志军; 邱凯 期刊:《物理学报》 2005年第08期
利用同步辐射光电子能谱研究了低覆盖度Au在GaN(0001)表面的初始生长模式,肖特基势垒高度以及界面的电子结构.结果表明,Au沉积初始阶段有界面的化学反应,随后呈三维岛状生长.由光电子能谱实验确定的肖特基势垒高度为1.4 eV.通过对界面价带谱和Au 4f芯能级谱的分析,确定了界面化学反应的存在.利用线性缀加平面波方法计算了GaN(0001)和Au的价带态密度并分析了化学反应产生的机理,认为在初始阶段界面形成了Au-Ga合金.
作者:许甫任; 颜诚廷; 洪建中; 李传英 期刊:《电力电子技术》 2017年第08期
介绍了结势垒控制肖特基整流器(JBS)和JBS集成碳化硅金属氧化物半导体场效应晶体管(MOSFET)(SiCJMOS)的特性。JMOS通过将DMOS和JBS合并于单片SiC器件,无需任何额外的工艺和面积。当SiCMOSFET中的寄生体二极管导通时,集成的JBS还可以防止由于注入的少数载流子的复合而导致的位错缺陷转变为堆垛层错的潜在风险。进行特征比较,并构建一个测试平台,以验证SiCJMOS比传统SiCDMOS的效率和可靠性有所提高。实验结果表明,SiCJMOS...
作者:方勇; 檀汤亮 期刊:《赤峰学院学报·自然科学版》 2017年第13期
本文通过水热法制备ZnO纳米阵列,基于不同生长时间的ZnO阵列构建了Pt-ZnO-Pt型紫外探测器,对器件性能进行了研究.研究表明,器件对紫外线有明显的光响应,响应度为0.13~0.77A/W;响应时间为20~150s.生长24小时制备的ZnO纳米阵列组建的器件性能最优,ZnO纳米阵列缺陷峰低,结晶性能好,阵列缺陷少;生长16h的缺陷峰最高,结晶性较差.
作者:樊启哲; 钟立钦; 冯庐平; 余长林; 廖春发 期刊:《材料导报》 2017年第09期
贵金属与半导体复合形成的催化剂具备肖特基结结构,该结构具有整流特性和较低的界面电压,可以调控光生电子的产生和流向,使电子和空穴更有效地分离,提升光催化性能。综述了近年来肖特基半导体光催化剂的研究进展,分析了晶面沉积、形貌结构、表面等离子体效应及共掺杂等因素对该类催化剂性能的影响,从降解污染物、制氢、二氧化碳还原等方面阐述了这类催化剂在环境控制领域的实际应用,并提出了势垒高度、产物控制及催化剂循环...
作者:张建芳; 特木尔巴根 期刊:《固体电子学研究与进展》 2016年第05期
用蒙特卡罗方法计算不同能量的X射线在Schottky-TiOPc-Schottky界面处产生的剂量增强系数(DEF)与肖特基(Schottky)和酞菁氧钛(TiOPc)厚度的关系。结果表明,界面下的DEF随TiOPc厚度的增加而增大,随Schottky厚度的增加而减小。同时模拟了Schottky-TiOPc单层与Schottky-TiOPc-Schottky双层结构在TiOPc一侧的DEF,对于Schottky-TiOPc-Schottky结构,界面下产生的剂量增强效应更明显。此外还研究了X射线从不同角度照射Schottky-TiOPc器件...