作者: 期刊:《百科知识》 2005年第10X期
固-液分界面的本质是了解诸如液相的外延生长、润湿、液相的结合、晶体生长及润滑等过程的关键。由于金属熔化时温度升高,详细地研究金属的固-液分界面是很困难的。
据《今日半导体》2019年5月2日报道,美国海军研究实验室(NRL)的一组研究人员声称,他们记录了氮化铝镓(AlGaN)势垒高电子迁移率晶体管(HEMT)的直流功率密度。研究人员用金刚石替换外延生长III族氮化物器件层的硅衬底,来实现晶体管的髙功率,增强热管理能力。
作者:陈晓梅; 王会强; 翟一潼; 张淼; 邢艳秋; 郝策; 王浩伟; 柯稳 期刊:《金属热处理》 2019年第11期
采用中频反应磁控溅射技术在SrTiO3衬底上外延生长TiCN薄膜,通过正交试验方案、单因素试验方案以及性能测试来探究磁控溅射工艺参数对薄膜结构和性能的影响,并且优化了工艺参数。利用X射线衍射仪、扫描电子显微镜及EDS能谱分析仪对TiCN薄膜的物相结构、微观形貌以及成分进行分析。结果表明:为了获得疏水性能与疏油性能较好的薄膜,溅射过程中最优工艺参数应选择溅射功率5 kW,溅射偏压150 V,溅射时间10 min,N2流量10 sccm,CH4流量20 ...
自首次从石墨中剥离出石墨烯以来,只有原子级厚度的层状(或二维)材料因其丰富奇特的物性占据着当今凝聚态物理和材料科学的中心舞台。不断扩大的二维材料家族,包括石墨烯、硅烯、磷烯、硼烯、六方氮化硼、过渡金属二硫族化合物、甚至强拓扑绝缘体等,不仅每个成员有其鲜明的个性,如独特的物性与制备方法,而且整个大家族又有其共性,如单层材料与衬底之间、层与层之间几乎都是依赖弱的范德瓦尔斯力耦合在一起。对任一个二维家族成员...
作者:刘益春; 陈艳伟; 申德振 期刊:《物理》 2005年第09期
一维纳米结构因其优异的光、电特性,在纳米电子学,光电子学器件等方面有重要的应用价值而倍受关注.在一维半导体纳米材料中,ZnO因激子束缚能大(60 meV),可在室温获得高效的紫外发光而成为近年来继GaN材料后的又一研究热点.外延生长一维纳米结构ZnO及其量子阱材料除因量子尺寸效应更适宜做室温紫外发光、激光材料与器件外,还因界面和量子限制效应而具有许多新奇的光、电、和力学特性,可应用于纳米光电子学器件,传感器及存储器件,纳...
作者:张朝晖; 住友弘二; 中村淳 期刊:《物理》 2004年第10期
基于对Ge在Si(113)上外延生长的扫描隧道显微学观察和第一性原理总能量和能带的计算,作者确定了Ge/Si(113)-(2×2)表面的结构.它是由沿[1-10]方向的反键增原子列和倾斜五聚体列交替排列而成.其中五聚体的形成是由于处于亚表面的自间隙原子的作用.这一发现说明自间隙原子的存在是(113)取向表面的固有属性.
石墨烯是一种由碳原子构成的单层片状结构的新材料。2004年,英国曼彻斯特大学的两位科学家安德烈·杰姆和克斯特亚·诺沃消洛夫发现他们能用一种非常简单的方法得到越来越薄的石墨薄片。他们从石墨中剥离出石墨片,然后将薄片的两面粘在一种特殊的胶带上,撕开胶带,就能把石墨片一分为二。不断地这样操作,于是薄片越来越薄,最后,他们得到了仅由一层碳原子构成的薄片,这就是石墨烯。凭借此项发明,两人在2010年获得诺贝尔物理学奖。
作者:马春 期刊:《有色金属材料与工程》 2006年第01期
日本Air Water公司和大阪府立大学共同开发了8英寸大直径SiC单晶的制造技术,这在世界上尚属首次。该技术是用化学气相沉积法(CVD)在SOI基板上生长SiC晶体层。制造工艺如下:①在Si基板上嵌入SiO2氧化层(形成SOI)基板;②使表面Si层减至极薄;③生成SiC种层;④进行SiC单晶层的外延生长。生长SiC单晶层使用的是该公司自制的高真空外延生长装置“VCE”。
<正>Aixtron AG公司宣布中科院北京半导体研究所采用一台Thomas插口式致密耦合喷头MOCVD生长炉开发出第一支近紫外(UV)激光二极管。二年前,中科院北京半导体研究所安装了这台MOCVD生长炉。这台3×2 GaN/蓝宝石和1×4 GaN/Si MOCVD生长炉最初是用于开发短波长激光二极管和紫外光电探测器器件的。
作者:罗毅; 邵嘉平; 郭文平; 韩彦军; 胡卉; 薛松; 孙长征; 郝智彪 期刊:《中国有色金属学报》 2004年第F01期
通过对氮化镓(Gallium nitride,GaN)基蓝色高亮度发光二极管(High brightness light emitting diode,HB-LED)材料金属有机气相外延(Metal organic vapor phase epitaxy,MOVPE)生长技术的研究和优化以及在有源区内引入新型InxGa1-xN/GaN多量子阱(Multiple quantum wells,MQWs)结构,获得了高性能的HB-LED外延片材料。高分辨率X射线衍射(High resolution X-ray diffraction,HR-XRD)和变温光致荧光谱(Temperature dependent pho...
近年来,构建以二维材料为基础的异质结由于其在光电子器件、热电子器件以及催化等领域的潜在应用,受到研究者的广泛关注。
作者:刘龙涛; 陈超越; 李霞; 王江; 任忠鸣 期刊:《精密成形工程》 2019年第04期
镍基单晶高温合金具有良好的高温强度、抗氧化和抗腐蚀性能、抗蠕变性能和组织稳定性,被广泛应用于制造航空发动机和燃气轮机叶片。由于其工作条件复杂恶劣,采用有效手段修复单晶叶片可以大大提高其使用寿命。综述了激光增材制造技术制备单晶高温合金的研究现状,介绍了激光增材制造技术制备单晶合金的理论基础,以及控制其单晶凝固组织的困难和不足,着重综述了激光增材制造技术控制单晶高温合金凝固制造的方法,主要包括通过激光参数...
作者:安康; 刘金龙; 林亮珍; 张博弈; 赵云; 郭彦召; Tomasz; Ochalski; 陈良贤; 魏俊俊; 李成明 期刊:《表面技术》 2018年第11期
目的研究高质量单晶金刚石外延生长工艺。方法使用X射线白光形貌束分析了等离子体表面刻蚀处理前后单晶金刚石位错密度的变化,随后使用等离子体刻蚀预处理工艺,通过改变沉积温度研究了其对金刚石质量的影响。为了表征温度对单晶金刚石质量的影响程度,使用拉曼光谱和X射线衍射摇摆曲线等方法分析了单晶金刚石质量以及位错密度的变化情况,进而确定沉积高质量单晶金刚石最佳的沉积温度。结果X射线白光形貌束结果显示,未进行氢氧等离子...
作者:巩小亮; 陈峰武; 罗才旺; 鲍苹; 魏唯; 彭立波; 程文进 期刊:《电子工业专用设备》 2018年第04期
针对Si衬底GaN外延生长中由于张应力引起的表面裂纹问题,采用AlN/Al GaN多缓冲层结构和低温AlN插入层技术,在标准厚度Si(111)衬底上制备了100 mm(4英寸)无裂纹GaN外延材料。试验结果表明,AlN/Al GaN各层厚度的合理搭配和低温AlN插入层可以起到良好的应力调控效果,无裂纹GaN层生长厚度达到1.6μm,晶体质量良好,表面粗糙度低于2 nm;HEMT结构外延片电学性能测试结果表明Si衬底GaN的生长质量满足制备器件的要求。
作者:谢新根; 程凯; 李鑫; 孙林 期刊:《固体电子学研究与进展》 2019年第02期
通过功率外壳金硅(AuSi)焊接失效案例,研究了铜-钼铜-铜(CPC)、铜-钼-铜(CMC)为热沉材料的功率外壳镀覆工艺,包括在CPC(或CMC)材料无氧铜表面高温重新形成晶格,采用外延生长型NiCo/Au替代Ni/Au镀层。镀覆工艺优化后,功率外壳金锡(AuSn)或AuSi芯片焊接可靠性得到了显著改善。
清华大学物理系张定助理教授、徐勇助理教授和薛其坤教授研究团队报道了在薄至两个原子层厚度的灰锡-锡烯-中,发现了二维超导电性,并揭示了其拓扑非平庸物性,研究成果以薄层锡烯中的超导电性为题发表于《自然-物理》.锡烯的态密度受到了衬底的调制,导致了超导电性的出现.通过改变衬底厚度,实现了锡烯从单带超导体到双带超导体的转变.外延生长的锡烯薄膜极其稳定,在没有任何保护层的情况下其超导电性可以长久保持(超过1年).
作者:汪潇涵; 何倩眉; 芦政; 金韬; 郑分刚; 熊杰; 邹贵付 期刊:《科学通报》 2019年第20期
中国科学技术大学俞书宏教授课题组等设计了一种“脉冲式轴向外延生长”方法,成功制备了尺寸、结构可调的一维胶体量子点-纳米线分段异质结,利用硫化锌(ZnS)纳米线对硫化镉(CdS)量子点的晶面选择性钝化作用,可同时实现量子点表面的有效钝化和光生载流子的有效转移。
作者:翁瑶; 符跃春; 林国涛; 吴世翀 期刊:《微纳电子技术》 2018年第11期
Si(110)衬底与III族氮化物独特的取向关系使AlN和GaN薄膜的外延生长及其LED器件受到广泛关注。详细分析了AlN和GaN薄膜与Si(110)衬底的取向关系,指出了薄膜与Si(110)衬底在[1100]AlN//[001]Si方向上的高晶格匹配度不仅可以有效降低薄膜的位错密度,还将提高薄膜在[1120]AlN//[110]Si方向上的生长速度;综述了Si(110)衬底上薄膜的制备方法及研究进展,从薄膜的显微组织结构方面,说明Si(110)衬底具有可以提高AlN和GaN薄膜结晶...
作者:赵丽霞 期刊:《电子工业专用设备》 2005年第11期
使用单片式外延炉生产的硅外延材料具有良好的厚度和电阻率均匀性.该外延炉具有良好的系统气密性、较大的生产能力、大直径外延(150~300mm)加工能力、较广阔的应用范围等优点,已经成为国际上硅外延片生产的发展主流.利用单片炉的各种优点,在150~200mm重掺砷和P型衬底上外延、150 mm BiCMOS薄层外延、150 mm SiGe和SOI外延等领域进行了生产应用.将所得性能参数和批式外延炉性能参数进行比较,获得的性能参数试验结果在原有基础上得...