作者:胡保付; 刘丙国; 徐坚; 汪舰; 杜保立 期刊:《河南理工大学学报·自然科学版》 2019年第01期
为研究退火气氛对氧化锌(AZO)薄膜光电性能的影响,采用溶胶-凝胶法在石英基片上制备铝掺杂AZO薄膜。利用X射线衍射、场发射电子扫描显微镜对薄膜的物相结构和形貌进行表征;采用霍尔效应测试仪、紫外-可见-红外分光光度计分析AZO薄膜的光电性能。结果表明:退火气氛对AZO薄膜电导的影响机制有明显差异。相较于空气中退火,在N2中退火的AZO薄膜中载流子迁移率变化不明显,薄膜电导性能改善得益于氧空位增加引起的载流子浓度提高;而在...
作者:郭艳敏; 房玉龙; 尹甲运; 刘沛; 张志荣; 王波; 高楠; 冯志红 期刊:《半导体技术》 2018年第07期
利用金属有机化学气相沉积(MOCVD)制备了Mg掺杂的p-GaN外延材料,并在不同气氛下对其进行退火,系统研究了不同退火气氛对p-GaN材料性质及欧姆接触性能的影响。利用X射线衍射(XRD)、光致发光(PL)谱和原子力显微镜(AFM)对样品进行测试和表征。结果表明,不同气氛退火均能降低p-GaN材料的XRD半高宽,改善其晶体质量,并提高其迁移率;此外,相较于纯N2和纯O2,空气气氛退火的p-GaN材料的空穴浓度最高,欧姆接触性能最优,其比接触电阻...
作者:邹军; 彭观良; 陈俊华; 钱晓波; 李抒智; 杨卫桥; 周国清; 徐军; 周圣明 期刊:《人工晶体学报》 2004年第06期
利用温度梯度法生长出了透明的γ-LiAlO2单晶,通过扫描电镜和X射线薄膜衍射分析了不同退火气氛对所切得的(001)晶片表面结构的影响.结果表明:1100℃/70h空气和真空中的退火处理使γ-LiAlO2晶片表层变成LiAl5O8多晶,而同温度富锂气氛退火可以有效地抑制锂的挥发,保持了晶格完整性并且提高了晶体质量.
作者:更藏多杰; 才让措; 陈万军; 张国恒; 陈琼; 安秀加 期刊:《功能材料》 2018年第04期
采用射频磁控溅射法在Si衬底上制备了Fe掺杂ZnO纳米薄膜,并在真空和空气中对其进行热处理,利用X射线衍射(XRD)、扫描电子显微(SEM)、对其微结构、表面和断面形貌进行测试。结果表明,样品均呈现六角纤锌矿结构,薄膜沿c轴方向择优生长,发现退火气氛对薄膜的微结构有一定影响,当空气中退火时,出现了最强的(002)衍射峰,晶粒变为最大,薄膜的结晶度和取向性都明显变好。利用振动样品强磁计(VSM)对样品的铁磁性进行测试,发现真空中退火的...
作者:陈祝; 张树人; 杨成韬; 李金龙; 王升; 张水琴 期刊:《真空科学与技术学报》 2004年第05期
通过醋酸铅、硝酸锆、钛酸丁酯分别制备独立稳定的前驱单体,采用Sol-Gel反提拉涂膜技术在基片Pt/Ti/SiO2/Si上制备PZT铁电薄膜.本文讨论了制备工艺对薄膜质量的影响,比较了在不同的退火速率,退火温度及退火气氛工艺中,制备的PZT铁电薄膜结构、性能的差异,并对其形成原因进行了分析.
作者:周丽萍; 呂珺; 汪冬梅; 陈雯雯; 吴玉程; 郑治祥 期刊:《功能材料》 2007年第A02期
通过溶胶.凝胶法,采用Al、F共掺杂的方法在4种不同的气氛下制备ZnO薄膜,研究了薄膜的晶体结构、表面形貌、电阻率和透光性随退火气氛的变化关系.制备的Al:F:ZnO薄膜是具有六角纤锌矿结构的多晶薄膜.4种退火气氛相比,在空气气氛下退火时,平均晶粒尺寸最大,为43.4nm,导电性能最好,电阻率可低达6.5×10^-2Ω·cm。4种退火气氛下,薄膜在可见光范围内的平均透过率均达到了75%以上,其中,空气气氛下退火时薄膜的透光性最好...
作者:欧阳紫靛 刘芳洋 张治安 赖延清 李劼 刘业翔 期刊:《粉末冶金材料科学与工程》 2011年第03期
采用直流磁控溅射法在玻璃衬底上制备ZnO:Al透明导电薄膜,研究生长温度和退火气氛对薄膜结构、形貌、光学和电学性能的影响。结果表明:不同温度下生长的ZnO:Al薄膜均为高度c轴取向的六角铅锌矿结构,400~900 nm波长范围内薄膜的平均透过率均超过85%。ZnO:Al薄膜的电学性能强烈依赖于生长温度,室温~500℃范围内,500℃下生长的薄膜具有最大的载流子浓度(2.294×1021 cm-3)和最低电阻率(4.095×10-4-.cm)。退火气氛对薄膜的性能...
作者:邹晓 徐静平 期刊:《压电与声光》 2009年第01期
采用反应磁控溅射法在Ge衬底上制备了HfTiO高介电常数K栅介质薄膜,研究了不同气体(N2、NO、N2O)淀积后退火对Ge金属-氧化物-半导体(MOS)电容性能的影响。透射电子显微镜和电特性测量表明,湿N2退火能有效抑制界面层的生长,提高界面质量,改善栅极漏电流特性,从而得到最优的器件性能,即Al/HfTiO/n-GeMOS电容的栅介质等效氧化物厚0.81nm,K=34.5,带隙中央界面态密度为2.4×10^11cm-2·eV-1,1V栅偏压下的栅极漏电流为2....
作者:王华 燕红 许积文 江民红 杨玲 期刊:《人工晶体学报》 2011年第06期
摘要:以自制Mg0.2Zn0.8O:Al陶瓷为靶材,采用室温溅射后续退火磁控溅射工艺制备了Mg0.2Zn0.8O:Al紫外透明导电薄膜。研究了溅射压强和退火气氛对Mg0.2Zn0.8O:Al薄膜结构和光电性能的影响。结果表明:溅射氩气压强不影响薄膜的相结构,但对薄膜的取向生长和结晶质量有一定影响;薄膜的方块电阻随溅射压强的增加先大幅减小后有所增大,溅射气压为2.0Pa时,薄膜的方块电阻最低;不同溅射气压下制备薄膜的透光范围均已扩展到了紫...
作者:佟路 戴姜平 谢自力 修向前 赵红 陈鹏 张荣 施毅 韩平 郑有炓 期刊:《半导体光电》 2015年第05期
采用真空蒸镀方法在Si衬底上制备了Si/Au、Si/Ni/Au和Si/Ti/Au结构多层膜,进行多种条件下的退火实验,研究了不同黏附层对Au/Si共晶体系中硅扩散的影响。实验结果表明,黏附层对硅的扩散起到阻挡作用,Ti层与Ni层作为阻挡层在较低温度下发生失效,退火气氛对阻挡层的失效具有显著影响。这表明Au/Si体系中扩散阻挡层失效的机制并不是直接的固相反应。文章提出势垒模型来解释扩散阻挡层的失效机制。