作者:王秀章 期刊:《湖北师范大学学报·哲学社会科学版》 2007年第01期
采用溶胶-凝胶法在Si(111)衬底上制备了LaNiO3薄膜,采用相同方法在LaNiO3/Si(111)上制备了SrBi4Ti4O15(SBT)薄膜,对SrBi4Ti4O15(SBT)薄膜的结晶性,厚度和电性能进行了研究.
作者:李延青; 吴曼; 杨静 期刊:《红外与毫米波学报》 2019年第05期
通过透射光谱研究了锰掺杂量对钛酸锶铅铁电薄膜光学特性尤其是带-带跃迁和带尾吸收特性的影响,并利用柯西色散关系获得了光学透明区的光学常数.研究表明:随着锰掺杂量的增加,钛酸锶铅铁电薄膜的禁带宽度减小而带尾能增加.禁带宽度随锰掺杂的收缩可以归因为锰3d轨道降低了导带底的能级及掺杂后晶格的减小.掺杂锰离子的随机占位和非等价掺杂后氧空位浓度的增加则是导致局域带尾态拓宽的主要原因.
作者:麦满芳; 朱传云; 李矩明; 马信洲 期刊:《电子元件与材料》 2019年第11期
采用旋涂法制备了基于铁电聚合物薄膜的Al/PVDF/SiO2/n-Si(MFIS)结构.通过测量MFIS结构的电容-频率特性和电容-电压特性,观察到负电容效应.测量频率越低,正向偏压越大,负电容效应越显著.在时域中,施加脉冲电压,出现瞬态电流随时间增大的电感现象.研究结果表明,MFIS结构中的负电容效应是一种电感现象.构建能带图分析MFIS结构中负电容效应的产生原因,是由于大量电子注入到界面中被捕获使得电流的相位落后于电压导致.基于铁电薄膜的负...
作者:刘治国; 李爱东; 吴迪; 朱信华; 闵乃本 期刊:《物理》 2007年第01期
铁电体独特的自发电极化双稳性质和非线性光学性质使其在光电子器件中得到广泛应用.为了实现器件的小型化和与微电子、光电子工艺兼容,铁电薄膜已成为一个研究热点.自发电极化的大小和取向以及外电场、缺陷和铁电薄膜/电极界面与自发电极化的交互作用决定了铁电薄膜的性质和服役行为.文章以铁电存储器和光电子器件应用为背景,选择了具有重大应用前景的Bi4-xLaxTi3O12(BLT)、SrBi2Ta2O9(SBT)、PbZrxTi1-xO3(PET)和LiNbO...
作者:李建康 期刊:《苏州科技大学学报·自然科学版》 2005年第04期
采用一种修正的溶胶-凝胶技术制备出Pb[Zr0.52Ti0.48]O3(PZT)铁电薄膜.对溶胶的整个制备过程进行了红外透射光谱分析,对制备的铁电薄膜结构和性能进行了表征.由XRD图可以看出,退火温度在600℃以上时,薄膜结构为纯的钙钛矿结构.由P-E曲线可以看出,经600℃退火处理的PZT薄膜具有良好的铁电性能.
作者:侯芳 期刊:《苏州科技大学学报·自然科学版》 2004年第04期
采用溶胶-凝胶法在Pt/Ti/SiO/Si基片上制备了掺钕(Nd)的Bi4Ti3O12薄膜(Bi4-xNdx)Ti3O12(x=0.85),将薄膜于空气中710℃退火0.5 h,形成BNT多晶薄膜.系统研究了薄膜的结构、电学性质、表面形貌、漏电流、疲劳特性等.结果表明薄膜呈(117)和(00l)的混合取向,显示良好的铁电性(2 Pr=60.8μC/cm2),并呈现良好的抗疲劳特性.
作者:李淑红; 穆健; 高学喜; 王文军; 张山彪 期刊:《物理实验》 2004年第10期
扼要叙述了有机铁电LB膜的制备方法,着重介绍了近几年来有机LB膜的铁电性应用与研究的进展.
作者:吴强; 宋玉洁; 李俊 期刊:《高分子材料科学与工程》 2019年第08期
有机铁电聚合物P(VDF-TrFE)是聚偏氟乙烯(PVDF)的衍生物,因具有良好的铁电性能、光学性能、化学稳定性、柔性等优点,在电子器件领域有广阔的应用前景。文中综述了P(VDF-TrFE)的铁电性的根源以及一些影响铁电性能的因素——TrFE摩尔含量、薄膜厚度、退火温度、电极材料;综述了2种典型的薄膜制备方法和铁电薄膜在电子器件中的应用;最后根据其不足之处提出了有机铁电薄膜的研究方向和发展趋势。
作者:李立本; 李雪玲; 张运强 期刊:《周口师范学院学报》 2005年第02期
运用铁电的Thomas和Landau理论,研究了外延铁电膜中极化分布受表面和界面的影响.结果表明:由于膜中存在表面和界面效应的竞争,对于超薄膜,表面效应占优,界面处极化强度(极化)变小;反之对于厚膜,界面效应占优,界面处极化变大.外推长度δ大于零、正比于膜中电偶极子间的关联长度η,δ/η与偶极子倔强系数的大小有关、与温度无关.
作者:文雄伟; 李路明; 江兴流; 韩丽君; 潭轶平 期刊:《航空制造技术》 2004年第Z1期
介绍了在不同衬底温度下,用强脉冲电子束在单晶硅(110)衬底上沉积LiNbO3薄膜的工艺过程,以及用脉冲电子束进行薄膜晶化处理的试验结果.使用扫描电子显微镜(SEM)、X射线衍射(XRD)、光电子能谱(XPS)等方法,对薄膜的成份、晶体结构及表面形貌进行分析测试.采用表面轮廓仪测定LN薄膜的膜厚分布均匀性等.
作者:王敏; 郭会勇; 李文芳 期刊:《有色金属工程》 2014年第02期
以纳米BaTiO3、纳米TiO2、乙二醇、甘油和三乙醇胺分别作为添加剂,在0.5mol/LBa(OH)2基础溶液中,采用徽弧氧化在钛板表面原位生长铁电薄膜,利用XRD、SEM、EDS和HP4284型电容探测仪等对薄模的物相构成、厚度、表面粗糙度、元素分布及介电性能进行表征。结果表明,所得薄膜的物相组成均主要是四方相BaTiO3,添加剂的加入对物相无影响。甘油可显著改善薄膜的表面形貌,降低表面粗糙度值,所得薄膜介电性能优越,100Hz条件下其...
作者:丁历; 廖恒成; 姜云峰 期刊:《化工时刊》 2005年第11期
综述了钛酸锶钡(BST)铁电薄膜的4种制备工艺:磁控溅射(Magnetron sputtering)法、金属有机物化学气相沉积(MOCVD)法、脉冲激光淀积(PLD)法,以及溶胶-凝胶(Sol-Gel)法.并介绍了BST铁电薄膜在动态随机存储器、非致冷红外探测器热成像、移相器等方面的应用及其研究进展.
作者:李建康; 姚熹 期刊:《无机化学学报》 2005年第05期
0引言 铁电薄膜在现代高新技术中起着越来越重要的作用而成为国内外研究的热点,通常高介电常数、高剩余极化和低介电损耗是铁电薄膜在铁电存储器等许多领域应用的基础,所以人们不断努力去研制高性能的铁电薄膜.
作者:成宏卜; 欧阳俊; 张伟; 胡芳仁 期刊:《现代技术陶瓷》 2019年第04期
综述了储能用铁电薄膜电容器的国内外研究进展。首先简要介绍了铁电材料储能的概念与其测试方法;其次分别对铁电高聚物薄膜、含铅钙钛矿铁电、反铁电薄膜和无铅钙钛矿铁电薄膜的研究进展进行了综述;最后对高储能密度铁电薄膜在今后的研究与应用中存在的问题进行了总结与展望。
作者:张思瑞; 唐云龙; 朱银莲; 李爽; 马秀良 期刊:《电子显微学报》 2018年第04期
本文利用球差校正透射电子显微镜研究了异质界面结构对PbTiO_3/La_(0.7)Sr_(0.3)MnO_3/NdGaO_3(110)_O以及PbTiO_3/NdGaO_3(110)_O超薄薄膜体系中铁电PbTiO_3层四方性的影响。结果表明,在NdGaO_3(110)_O衬底上生长的具有化学价态不连续异质界面(La_(0.7)Sr_(0.3)MnO_3/PbTiO_3)的PbTiO_3薄膜体系中四方性比直接在NdGaO_3(110)_O衬底上生长超薄PbTiO_3薄膜的四方性明显增强,XPS谱分析显示出界面Mn元素价态发生了...
作者:曹良足; 王莉雅; 殷丽霞 期刊:《电子元件与材料》 2019年第01期
电调滤波器是当前微波滤波器的研究热点,它们取代滤波器组可减小整机体积和降低设计复杂度。本文从电调滤波器的分类着手,分别综述变容管电调滤波器、铁电薄膜电调滤波器、微机电系统(MEMS)电调滤波器和压电换能器电调滤波器的结构和性能,并分析各自的特点。最后,提出电调滤波器的发展趋势。
作者:陈含笑; 盛苏 期刊:《功能材料》 2019年第04期
利用射频磁控溅射法和快速热退火处理,在高电阻Si基片上制备了具有较低介电损耗的MgO掺杂Ba0.25Sr0.75TiO3(BST)铁电薄膜。通过XRD和SEM,分别对BST铁电薄膜的微结构和表面形貌进行了分析。利用铁电分析仪和低频阻抗分析仪分别测试了BST薄膜样品的铁电特性和介电性能。研究表明,MgO掺杂的BST薄膜的介电损耗要低于纯的BST薄膜,并且在掺杂浓度为5%(摩尔分数)时,获得最佳的实验结果。在室温和250Hz的条件下,测得700℃退火的BST铁电薄膜...
作者:孔祥蓉; 刘俊亮; 曾燕伟 期刊:《化学进展》 2005年第05期
高性能铁电氧化物薄膜是当今功能材料的研究热点之一.随着新型MO源的不断研究与开发,利用MOCVD技术制备高质量铁电薄膜材料得到了快速的发展.本文在分析金属醇盐和金属β-二酮化合物等MO源的结构与其物性依赖关系基础上,分类综述了近年来在用于MOCVD方法生长铁电氧化物薄膜的新型MO源研究和开发方面的发展动态与趋势,为MOCVD方法制备铁电薄膜材料MO源的选择提供有用的参考与借鉴.
将铁电薄膜与CMOS工艺相集成是实现铁电存储器制备的关键所在,采用PZT材料的铁电随机存储器的工作原理、工艺流程,以及铝连线在还原性氢气氛中退火对于铁电电容特性的影响在本文中被探讨,还原性气体隔离层的几种适用材料的特性,以及隔离层制备的工艺集成这一关键问题被着重研究.
作者:王茂祥; 陈淑燕; 孙平 期刊:《固体电子学研究与进展》 2004年第01期
性能优良的Si衬底铁电薄膜的制备对制作Si基单片集成非制冷焦平面阵列(UFPA)器件意义重大.文中采用磁控测射技术在Si衬底上成功地制备了(Pb1-xSrx)TiO3系铁电薄膜,该薄膜以LSCO/ITO复合薄膜作底电极,Au薄膜作顶电极,其制备工艺可与Si微电子技术兼容.测试结果表明,其微观结构致密.绝缘性较好.电阻率可高达10 11Ω·cm量级,介电常数与热释电系数分别可达102及10-2μC/cm2K量级.