作者:乔婧思; 季威 期刊:《科学观察》 2019年第06期
确定材料和器件的结构是未来电子功能器件发展的关键,而材料的发展决定了未来器件构筑的方向。目前行业普遍认为下一代电子功能器件的特征尺寸将先到达10纳米左右,进而发展到构建几纳米尺度的电子器件和能源转换、存储器件。二维材料是一种新兴的纵向尺寸只有单个或几个原子厚度的纳米薄片状材料.
多年来虽然摩尔定律已走到极限的说法不绝于耳,但是半导体工艺的进步却从来没有停止。目前特征尺寸32nm的半导体工艺已成熟,大量用于高端芯片的制造。在不断缩小工艺尺寸的同时,结构上的改进也在进行。2011年5月4日。
需求总是推动科技前进,也让通信技术越来越发达。对于长距离快速传输信息的需求让光缆代替了电缆;对于短距离更快更大量传送信息的需求使光互连进入专家们的视野,随着集成电路向高集成度、高工作频率和更小特征尺寸的发展,以及超级计算机运算速度的指数式增加,常规电互连已不能满足发展需求,光互连巴成为解决电互连问题的关键技术和研究热点。
作者:Mart; Klein 期刊:《工业和信息化教育》 2005年第09期
随着工艺技术越来越小型化、越来越快速,通常会增加功耗,这时在功耗和效能上往往必须有所取舍,因而器件功耗一直是半导体业的首要课题.来自Xilinx的新型Virtex-4 FPGA采用创新的架构特性和先进的IC设计技术,可以在显著降低功耗的同时,依然不损害其性能,且和90 nm工艺技术特征尺寸减小的趋势不谋而合.本文将探讨Xilinx IC设计者如何在高性能Virtex-4 FPGA中实现很高的功率效率.
作者:陈琦禺; 徐强; 郭烈锦; 叶书艳; 陈艳双 期刊:《工程热物理学报》 2019年第03期
采用图像识别技术,设置喷嘴出口与管道过冷水流向逆流。在圆管直径80 mm,喷嘴直径5 mm下,本文对逆流情况下蒸汽射流凝结流型形态进行了图像定量分析,检测凝结几何形态的边缘并计算其特征尺寸,分析逆流情况下的凝结流型,并探究不同汽水条件下对凝结以及流型的影响规律。
作者:曲迎东; 崔成松; 曹福洋; 陈善本; 李庆春 期刊:《材料工程》 2005年第08期
采用神经网络技术建立了沉积坯特征尺寸模型,该模型描述了喷射成形关键工艺参数对沉积坯尺寸的影响规律,模型输出的相对误差为6.58%,RMS(均方差)为0.372mm.模型的仿真结果给出了沉积坯尺寸的变化规律,其中稳态仿真结果可用于预先确定喷射实验中所采用的合适工艺参数;而动态仿真结果表明,雾化气体压力和沉积器平移速度对沉积坯几何尺寸都有较大影响,其中沉积器平移速度具有调节范围大的优点,成为调节沉积坯几何尺寸较合适的工艺参数...
1.概述 随着1991年碳纳米管的发现,在全世界范围内掀起了研究纳米技术的热潮,而纳米器件及其加工制备水平是衡量纳米科技发展水平的重要标志。纳米器件是指利用微纳米加工技术制备得到的特征尺寸为纳米尺度(通常为1~100 nm)的具有特定功能的器件。因此,纳米器件具有两个显著特征,一是器件处于纳米尺度;二是具有特定功能。
作者:邢轶斌; 康永 期刊:《装备维修技术》 2019年第03期
随着科学技术的不断发展,新兴的科技在生活的不同领域都有了重要的应用。半导体材料在电子科技进步过程中起到了基石的作用,是电子科学技术的基础,决定了电子科学技术的发展高度。从第一代硅半导体材料到第二代半导体材料到现在的第三代化合物半导体材料,半导体也处于不断的变化过程中。本文主要研究了电子科学技术中的半导体材料应用,当下发展状况以及未来发展趋势。
作者:Samuelk; Moore 期刊:《科技纵览》 2018年第11期
近年来,继续缩减晶体管特征尺寸变得越来越昂贵,越来越棘手。现今只有4家逻辑芯片制造商--格罗方德、英特尔、三星和台湾积体电路制造公司(台积电)--继续在这方面投入几十亿美元。这个行业的队伍在缩减.其余公司在计划退出。但是,不要认为摩尔定律将要过时。如果你有钱,可能手上有两部智能手机,它们就能证明摩尔定律的威力。无须再缩小体积就可改善性能的新方法即将出现。
作者:杨金宝; 杨晨; 刘建国; 祝宁华; 于丽娟; 刘亚超 期刊:《光学精密工程》 2018年第01期
为克服传统光电被动测距系统稳定性差、远距离条件下测距精度收敛性差、系统难以小型化等不足,本文提出一种基于目标特征尺寸的可视化光电被动测距系统。建立了被动测距模型并分析测距原理,从理论上分析获得距离反演公式和测距误差精度;设计了被动测距算法并分析相关成像参数获取途径和方法;通过高清成像器、半导体激光器和信号处理器等软硬件设计,实现了系统的可视化被动测距功能和全天候图像信息获取;最后通过目标特征尺寸及其成...
作者:卞宏友; 翟泉星; 曲伸; 杨光; 王伟; 王维 期刊:《红外与激光工程》 2018年第07期
通过正交试验研究了激光功率、扫描速度、送粉速度对GH738合金激光沉积修复单道熔高、熔宽、熔深等特征尺寸的影响规律,优化了工艺参数,获得无缺陷显微组织;分析了多道多层沉积试样熔合不良、裂纹等缺陷产生的原因及组织、硬度分布特点。结果表明:沉积区呈典型的外延生长柱状枝晶,枝晶间析出少量碳化物;相对于基体,热影响区碳化物明显减少,同时热影响区γ′相尺寸明显增大;沉积区硬度为350-470 HV0.3,热影响区硬度为450-480 HV0.3,...
随着半导体工艺的进步和器件的特征尺寸缩短,单粒子多位翻转事件和单粒子瞬态辐射效应事件显著增长,传统多模冗余技术无法满足加固要求。对一款抗辐射存储器进行后端物理设计,在布局和时钟树设计阶段实现了空间交织冗余和时间交织冗余的加固手段,最后对物理设计结果进行了分析。
集成电路是信息产业的基础,系统整机应用的需求与芯片制造技术的发展,使得系统芯片(SoC)的研究和开发成为当今集成电路芯片设计的热点.进入21世纪以来,一方面,随着半导体工艺特征尺寸的不断缩小,芯片复杂度成倍增加,芯片设计周期不断拉长,开发费用直线上升.另一方面,通信系统的发展面临着业务创新而不断加快,产品生命周期缩短,成本压力不断攀升的局面.传统的专用芯片(ASIC)由于开发周期长、芯片功能固化等先天的不足,已不能满足快...
作者:赫荣杰; 张虹 期刊:《微处理机》 2004年第03期
本文介绍以硅为衬底的微细加工技术的发展前景与展望.随着特征尺寸的不断缩小,微细加工技术的水平逐渐提高.当特征尺寸进入到微米、亚微米量级时,需要克服"极限"束缚,增加器件的集成度.
我们发现有两大轮子推动着半导体产业链向前发展,一是不断缩小特征尺寸,二是不断扩大晶圆尺寸.
作者:何恕预; 刘斌 期刊:《机械工程学报》 2017年第21期
针对鞋楦数字化设计中对非线性尺寸的约束要求,提出一种基于微分坐标变形的尺寸驱动曲面变形方法,实现围长驱动的楦型设计。基于足-楦尺寸的对应关系修改鞋楦上的非线性尺寸,将围长尺寸变化映射为围线形状的变化,再由变化后的围线形状通过网格变形技术转化为楦型曲面的形状修改。通过迭代计算,可以保证围度曲线长度的精确约束;同时,根据楦型设计规律增加的位置约束和方向约束使变形后的曲面能够继承原有楦型曲面内在的形状特征;拉...
微影工艺技术在IC制造中一直扮演着举足轻重的角色,随着IC产品技术需求的提升,微影技术也需不断地提高分辨率以制作更微小的特征尺寸(feature size).
作者:闫继红; 宁兆元 期刊:《材料导报》 2005年第06期
目前微电子器件正经历着一场材料结构的变革.由于其特征尺寸进入100nm,由内部金属连线的电阻和线间绝缘介质层的电容构成的阻容延时已经成为限制器件性能的主要因素.用电阻更小的铜取代目前使用的铝作金属连线,用低介电常数(低K)材料取代二氧化硅作线间介质成为重要的、应用价值巨大的研究课题.着重叙述了具有低介电常数的氟化非晶碳薄膜的研究进展.
装备是集成电路产业的基石,是推动集成电路技术创新的引擎。一方面是随着摩尔定律的继续前行,芯片特征尺寸不断缩小,从微米级到纳米级,现在已经开始向7/5nm进军,新结构(从2D~3D)、新材料(High—K、SOI)不断被应用,新技术层出不穷,从而对对设备提出了更多的需求和更高的挑战。
作者:侯志刚; 许新新; 张宪敏; 于英霞; 李惠军 期刊:《电子质量》 2005年第12期
集成电路的集成度不断攀升,集成化器件的特征尺寸已进入超深亚微米层次.小尺寸制造进程、超微细结构及超低功耗的工作环境,使诸多寄生效应、小尺寸效应严重地影响着器件的性能、电路的寿命.本文论述了基于超深亚微米层次小尺寸效应的诱因分析及器件,重点剖析了陷阱效应、短沟效应、热载流子效应和栅氧击穿对器件可靠性的影响.在此基础上,提出了抑制小尺寸效应、提高器件失效阈值、保障器件可靠性的若干工艺措施.