作者:葛海波; 夏昊天; 孙冰冰 期刊:《电子世界》 2019年第23期
当前随着信息科技水平的不断发展,第三代半导体的研发已经成为了当前各个企业的重地,其中,碳化硅由于具有诸多应用优势,被普遍应用于功率器件的生产制作中.本文首先介绍了碳化硅半导体功率器件的产品及相关特点,其次分析了碳化硅扩展产品的应用,以便为相关企业提供科学合理的参考依据.
碳化硅陶瓷由于具有优良的高温强度、耐磨性、耐腐蚀性以及抗热震性而得到越来越多的关注,一种优质陶瓷材料,在航空航天、电力电子、机械工业、石油化工等许多领域得到广泛应用。本文简要介绍了碳化硅陶瓷材料的的特性及几种碳化硅陶瓷合成的新方法,并对其发展趋势进行了讨论与展望。
作者:陈随军 期刊:《河北能源职业技术学院学报》 2005年第02期
结合我公司多年碳化硅粉砂制造及设备改造经验,对碳化硅超细粉制造工艺及装备进行分析并提出改进措施.
作者:刘金婷; 贺瑞; 刘瑞莹; 段兵青; 李娜; 赵路 期刊:《科技创新导报》 2019年第25期
科技的发展促进了各行各业应用技术的创新与进步。近年来,世界范围内的新材料研发一直是科研热点所在。运用新兴的物理材料不仅能够改善特定领域的传统应用与发展方式,还能够极大程度的提升生产、制造等实际应用角度的效率。本文主要针对碳化硅半导体材料的本质属性,新材料特点和优势展开讨论与分析,结合碳化硅材料的应用背景及其在半导体行业的主导性地位进行研究,为新型半导体材料的研发与实际应用提供一定参考依据。
作者:王晓刚; 魏云静; 李晓池 期刊:《西安科技大学学报》 2004年第02期
通过对碳化硅水基浆料相对沉降高度的测量及不同实验条件下浆料粘度的测定,研究了添加剂用量、固相含量及剪切速率对碳化硅泡沫陶瓷用水基浆料稳定性、触变性及粘度的影响.结果表明,浆料的粘度随剪切速率增加而减小,随固相含量增大而增大,而且具有明显的时间依附性.添加剂PAM的最佳质量分数为0.08%,固相含量在62%左右,浆料的稳定性、触变性较优.
作者: 期刊:《生物医学工程与临床》 2019年第06期
美国佐治亚理工学院的研究人员开发出一种碳化硅(SiC)光子集成芯片,可以通过施加电信号对其进行热调谐。尽管大多数光学和计算机芯片都是由硅制成的,但人们对SiC的兴趣却越来越大,因为它具有比硅更好的热、电和机械性能,同时还具有生物相容性并且可以从可见光到红外波长下工作。
作者:何世昆; 白云立; 周于鸣; 张继友; 黄巧林; 王利 期刊:《航天返回与遥感》 2019年第06期
不同的成核材料对金属Ag薄膜生长具有不同的细化作用,材料晶格常数差异会导致不同薄膜材料在生长过程中产生不同的表面弛豫现象,导致薄膜生长模式差异。由于材料特性及制备工艺限制,成型SiC材料表面和坯体中会存在一定的孔洞缺陷,抛光后的SiC,特别是反应烧结SiC基底表面粗糙度依然较大,表面镀制的金属膜由于对基底形貌的复制,具有较大的散射,影响光学系统的成像品质。为改善具有表面孔洞RB-SiC材料的表面特性,利用热蒸发工艺分别在...
作者:钱铭; 宋永丰 期刊:《铁道机车车辆》 2019年第06期
介绍了我国铁路机车、动车组牵引技术现状,分析了目前成熟运用的牵引系统技术特点,受限于IGBT器件和异步电机固有特点,传统牵引系统在轻量化及节能性能上提升空间不大。文中展望了碳化硅器件、永磁电机、电力电子变压器、无速度传感器控制等牵引前沿技术在轨道交通的运用,并对其优点、运用现状、技术实现难点进行了总结,为牵引技术发展方向提供参考。
作者:黄频波; 付成龙; 李斌 期刊:《合成纤维》 2019年第11期
采用有限元方法分析二维正交碳纤维增强碳化硅(C/SiC)复合材料制成的汽车刹车盘/片在刹车过程中引起的非线性热力耦合行为,主要研究在强制对流和热辐射作用下刹车结构的温度变化,讨论不同材料属性对刹车温度场的影响以及在温度场和膨胀系数耦合下C/SiC刹车盘/片中热应力和形变情况。数值结果表明:在双重散热条件下需要更多时间用于降温,而垂直于刹车面的热导率分量对温度传导或者降温影响较大;对于C/SiC刹车盘/片每一次刹车行为等...
作者:周训富; 高琼芝; 杨思源; 方岳平 期刊:《催化学报》 2020年第01期
近年来,光催化裂解水产氢(H2)引起了广泛的关注.储量丰富,环境友好的非金属无机半导体β-SiC(立方相碳化硅)具有适当的带隙(Eg=2.4 eV,ECB=?0.9 V),是一种潜在的光催化剂.受限于SiC光催化剂内部光生电子-空穴对的快速复合,SiC光催化剂的效率较低.已有的关于SiC光催化剂改性的报道主要包括构建纳米SiC,构建SiC异质结,构建碳/SiC材料杂化材料.进一步的研究表明,SiC与碳材料之间通过紧密的界面接触形成了肖特基结,能将SiC表面的光生电...
近日,德尔福科技宣布成为业内首家实现800 V碳化硅(SiC)逆变器量产的公司,该产品是下一代高效电动和混合动力汽车的核心部件之一。新的逆变器可以赋能电压高达800V的电气系统,相比如今最先进的400V 系统,它可以大幅延长电动汽车(EV)的行驶里程并将充电时间缩短一半。
作者:赵欢; 蒲小平; 张越强 期刊:《微处理机》 2019年第06期
随着碳化硅单晶和薄膜制备技术日趋成熟以及相关器件工艺的显著进展,碳化硅肖特基二极管器件制造工艺中的刻蚀技术日趋重要。针对碳化硅和工艺中金属场版的刻蚀进行工艺试验与分析,验证等离子体刻蚀和反应离子刻蚀这两种常用干法刻蚀在碳化硅刻蚀工艺中的表现。实验中多次调节反应条件,包括刻蚀气体、射频功率、气体流量、反应室压力等,最终达到理想的碳化硅界面。采用湿法刻蚀进行金属场版刻蚀,通过细致调整腐蚀液的成分和配比,总...
作者:李宗鉴; 王俊; 余佳俊; 江希; 沈征 期刊:《中国电机工程学报》 2019年第19期
Si IGBT与SiC MOSFET并联组成的Si/SiC混合器件(HyS)因在功率变换器中提供了一种成本与性能的优化折衷而受到广泛关注。其中,SiC MOSFET特性直接影响Si/SiC混合器件的性能,对基于不同类型SiCMOSFET的Si/SiC混合器件的特性差异分析极为必要。该文对比分析基于新型集成结势垒肖特基二极管(JBS)的SiCMOSFET(SiCJMOS)的Si/SiC混合器件(HySJ)和基于传统平面栅SiCMOSFET的传统Si/SiC混合器件(HySD)的特性差异。对比分析2种混合器件的导通...
作者:徐军忠; 查晓宇; 王勇; 韩静文; 唐厚君 期刊:《中国电机工程学报》 2019年第19期
随着电力电子新器件制造技术的发展,基于碳化硅(siliconcarbide, SiC)器件的三相电压源逆变器(voltage source inverters,VSIs)正在得到越来越广泛的应用。然而,随着开关频率的提高,SiC逆变器将会带来更大的电磁干扰以及更多的硬开关损耗,影响SiC逆变器的可靠性以及功率密度的进一步提高。因此,针对上述问题,该文提出一种适用于SiC逆变器的新型脉宽调制(pulsewidthmodulation,PWM)策略,并且通过统一的双极性载波PWM方法,对算法进行...
作者:刘坤; 高帅波; 仇知; 郭静霓; 邢鹏飞; 闫姝; 冯忠宝; 都兴红 期刊:《耐火材料》 2020年第01期
为了综合利用晶体硅砂浆切割废料,以硼酸、d 50=9.168μm石油焦粉为原料,除杂后d 50=2.68μm晶体硅砂浆切割废料为烧结助剂,采用碳热还原法原位合成高品质SiC/B 4C复合陶瓷粉,研究了不同晶体硅砂浆切割废料添加量对经1850℃保温50 min烧后试样的物相组成、显微结构及粒度大小的影响;并与在同样烧制条件下d 50=2.673μm碳化硼和d 50=7.209μm碳化硅机械混合制备的SiC/B 4C复合陶瓷粉进行对比。结果表明:无论是原位合成还是机械混合均制...
作者:刘家栋; 彭志坚; 刘开琪; 刘庆祝; 陈运法 期刊:《耐火材料》 2019年第05期
以d 50=247.0μm的SiC颗粒为主原料,分别加入12.5%、17.5%、22.5%(w)的混合溶胶(由正硅酸乙酯和铝溶胶按1:6质量比配成),或分别加入5%、10%、15%(w)的混合微粉(由d 50=20.9μm的SiC微粉和α-Al 2O 3微粉按质量比1∶2.5配成)作为原位莫来石结合的添加剂,并外加12.5%(w)的d 50=28.1μm的木炭粉为造孔剂,采用模压成型,在1400℃烧结3 h制备多孔SiC陶瓷膜支撑体。研究了两种添加剂对多孔陶瓷膜支撑体显气孔率、抗弯强度、孔径大小分布和透气...
作者:葛海波; 夏昊天; 孙冰冰 期刊:《集成电路应用》 2019年第12期
碳化硅半导体是新型材料,其热导效率高,功率大。采用碳化硅的LED器件,能耗低、亮度高、寿命长、单位面积小,具有良好的衬底效果,可以实现耐压、高功率的应用。主要用于智能网络,太阳能、动力汽车等。相比传统的贵材料,碳化硅的材料费用低,功率低,电力节约效果佳。碳化硅可以用于超200℃以上的稳定环境工作,而且碳化硅还可以有效缩短冷却负担,实现小型一体化。
作者:田明月; 孙润军; 王蕊宁; 王秋实; 陈美玉 期刊:《纺织高校基础科学学报》 2019年第03期
为研究多相剪切增稠液(STFs)的流变行为,以气相二氧化硅(SiO2)、碳化硅(SiC)为分散相,聚乙二醇(PEG200)为分散介质制备多相剪切增稠液。利用旋转流变仪测试不同质量分数SiC的剪切增稠液的流变性能,分析多相剪切增稠液的稳态以及动态流变行为规律。结果表明:SiC颗粒的加入会使得STFs体系的黏度增加。稳态流变情况下,STFs随着剪切速率的增加呈现先变稀再增稠的现象;随SiC含量的增加,临界剪切速率减小,增稠周期缩短,增稠比增大。动态...
作者:田兆波; 陈克新; 孙思源; 张杰; 崔巍; 刘光华 期刊: 2019年第11期
SiC@SiO2纳米电缆作为一种新型的功能性纳米复合材料,以其优异的性能和广泛的应用前景受到了广泛关注。因此,开发一种有效、经济、方便,SiC@SiO2纳米电缆的制备方法具有重要意义。本研究采用无催化剂的碳热还原法在1500℃的Ar气氛下,通过加热硅粉和硅溶胶混合物从而快速高效地制备了SiC@SiO2纳米电缆。该核壳的纳米电缆是由单晶β-SiC核心和无定形SiO2壳组成,其长度达几百微米,直径为60~80 nm,而且通过调节保温时间可以调控核壳的尺...
从热力学角度分析了碳化硅在转炉炼钢生产中作为脱氧剂的可行性,并通过生产实践表明,120t转炉采用碳化硅代替硅铝钡作为预脱氧剂有利于提高硅铁和碳粉的收得率以及降低钢中夹杂物含量,对于提高钢材质量和降低转炉生产成本具有重要作用。