作者:程伟杰; 曾以成; 邓庭 期刊:《太赫兹科学与电子信息学报》 2019年第06期
基于0.5μm CMOS工艺,设计了一种采用新颖分段曲率补偿技术的低温漂带隙基准源,利用2种不同的电流补偿结构,分别在中温和高温阶段引入正温度系数补偿电流,使得基准电压的温度特性曲线在中温和高温阶段各产生2个新的极值点,与一般的分段曲率补偿带隙基准相比,提高了补偿效率。利用Cadence软件对电路进行设计与仿真,仿真结果表明,在-40~190℃温度范围内,输入电压为5 V时,输出基准电压为1.231 V,温漂系数为0.885 ppm/℃,低频时电源抑制...
作者:陈昊; 张彩珍; 王梓淇; 王永功 期刊:《半导体技术》 2019年第12期
基于0.13μm CMOS工艺设计了一个高阶曲率补偿带隙基准电压源,该带隙基准电压源具有低温度系数和高电源抑制比(PSRR)。通过高阶曲率补偿电路得到低温度系数;在该带隙基准电压源的核心电路中,使电流镜管的栅源电压保持恒定值来实现在一定频段下的PSRR增强。利用Cadence工具进行了仿真,并进行了流片验证,测试结果表明,该带隙基准电压源具有恒定的1.2 V基准电压,在-45~165℃内,基准电压的温度系数为3.95×10-6/℃;PSRR在10 kHz下为74.7 ...
作者:胡伟; 方玉明; 吉新村 期刊:《湖北大学学报·哲学社会科学版》 2018年第05期
围绕降低温漂、提高电源抑制比的目标,设计一种带有分段曲率补偿并且具有较好的电源抑制比性能的带隙基准电路.设计带隙基准电路,优化传统的电流求和结构,采用共源共栅结构作为电流源以提高电源抑制比.设计温度补偿电路,改善带隙基准的温度系数.设计采用SMIC 0.18μm CMOS工艺,1.8 V电压供电,输出的基准电压为900 mV,在温度为-45 125℃范围内,仿真显示,温度系数为2.3×10~(-6)/℃,在低频时电源抑制比可以达到-86 dB,电路性能参数满...
作者:蒋祥倩; 杜西亮; 毕克娜; 邹丰谦 期刊:《电子与封装》 2018年第11期
采用高阶补偿方法,设计了一款超低温漂的带隙电压基准,输出电压为1.2V。该带隙基准源在传统带隙基准电压源电路的基础上,通过四输入运算放大器完成VBE和△VBE的加权相加,在运放的输出端产生和温度无关的基准电压。基于CSMC公司0.5μmCMOS工艺,设计了电路版图,版图面积为331.795μm×213.1μm,在-40-100℃的温度范围内进行仿真,温度系数可达1.415×10^-6/℃,输出电压导数的摆幅swing为18.04pN/℃。
作者:肖垣明; 王慧; 刘晨; 杨需哲 期刊:《半导体技术》 2018年第12期
设计了一种带有二阶温度补偿的高精度带隙基准电压源电路。相比传统带隙基准电路,所设计的电路不仅进行了一阶温度补偿,在高温阶段增加了与一阶温度补偿基准电压的温度系数呈负相关的曲率补偿电流,通过电阻将补偿电压叠加到经过一阶补偿的基准电压上,以二阶温度补偿的方式改善了基准电压在高温时的温度特性,降低温度系数,最终输出较低温漂的基准电压。基于0. 5μm BCD工艺进行电路设计,利用Cadence工具进行仿真验证,最终流片,芯片面...
作者:侯德权; 周莉; 陈敏; 肖璟博; 张成彬; 陈杰 期刊:《微电子学》 2019年第01期
设计了一种低功耗曲率补偿带隙基准电压源。利用亚阈值MOS管差分对,产生曲率补偿电流,对输出基准电压进行曲率补偿。采用低功耗运放来增强基准电压源的电源抑制能力,同时降低基准电压源的功耗。采用SMIC 0.18μm混合信号CMOS工艺进行设计。仿真结果表明,在1.5V电源电压下,基准电压源的输出基准电压为1.224V,在-40℃~125℃范围内的温度系数为1.440×10-6/℃~4.076×10-6/℃,电源抑制比为-77.58dB,消耗电流为225.54nA。
基于TSMC40LP工艺设计了一种新颖的温度补偿、高电源抑制比的带隙基准源。本设计采用全MOSFET设计,工作于1.1V电源电压,通过将MOSFET偏置在零温度系数工作点,并结合温度补偿技术和有源衰减电路,实现在-40℃~125℃内温度变化系数为6.6ppm/℃,低频下电源抑制比为93dB,高频下电源抑制比为56dB,与此同时,利用阻抗调试对环路稳定性进行了补偿。
作者:邓庭; 曾以成; 夏俊雅; 崔晶晶 期刊:《电子元件与材料》 2018年第03期
设计了一种具有分段线性补偿的CMOS带隙基准电压源。该电路基于传统带隙基准源,利用MOS晶体管代替双极型晶体管产生正温度系数电流和负温度系数电流,将这两种具有相反温度系数的电流以适当的权重相加到负载电阻,并加入分段补偿电路,在低温阶段,加入一段负温度系数的电流,在高温阶段,抽取部分总电流,从而得到高精度的基准输出电压。在0.5μmCMOS工艺下,使用CadenceSpectre对电路进行仿真,仿真结果表明,在供电电压为5V时,基准输出电压...
作者:周耀; 汪西川; 陈光明 期刊:《科技与创新》 2004年第12期
本文设计了采用曲率补偿.具有较高的温度稳定性的高精度带隙基准电压源。设计中没有使用运算放大器.电路结构简单,且避免运算放大嚣所带来的高失调和必须补偿的缺陷。此外电路又采用了内部负反馈回路.使基准电压源工作一个稳定的电压下.从而提高基准电压源的电源抑制比(PSRR)。文中最后给出了此基准电压源的各种性能的仿真波形。
作者:尹勇生; 汪涛; 邓红辉 期刊:《仪表技术与传感器》 2017年第06期
为了减小基准源输出信号随温度变化的波动,设计了一种基于温度曲率补偿的带隙基准电压源电路结构,采用负反馈箝位技术,简化了电路结构,减小了噪声和失调误差;同时应用β倍增器电流源作为温度曲率补偿电路,有效降低了温度系数。仿真结果表明,在-20-105℃范围内,所设计的带隙基准电压源的温度系数仅为0.904 ppm/℃,低频时电源电压抑制比为46 dB。该电路结构可以有效地提高带隙基准电压源的温度性能。
作者:顾宇晴; 李婷; 王小力 期刊:《微电子学》 2017年第01期
在传统带隙基准电路的基础上,设计了一种带分段曲率补偿的带隙基准电压源。利用亚阈值区MOS管的漏电流与栅-源电压呈指数关系而产生的非线性补偿电流,分别对温度特性曲线的低温段和高温段进行补偿。该电路采用0.18μm标准CMOS工艺进行设计,仿真结果表明,输出基准电压为600mV,在-40℃-125℃温度范围内的温度系数为9.4×10-(-7)/℃。
作者:李燕楠; 廖杰 期刊:《数字技术与应用》 2016年第10期
基于SMIC 0.18μm CMOS工艺,本文采用MOS管工作在亚阈值区的技术设计了一种二阶曲率补偿带隙基准。Cadence仿真结果显示,在1.5 V电源电压下,带隙基准输出电压在-25℃~125℃温度范围内获得了3.18 ppm/℃的温度系数,在1Hz及100KHz的频率处分别获得了-113.2 d B及-52.76d B的电源抑制比。
作者:李攀; 田泽; 强新建; 王进军 期刊:《航空计算技术》 2007年第02期
设计了一种标准CMOS工艺下的低电压带隙基准电路,该电路使用了温度的二阶曲率补偿技术,使输出电压达到了较低的温度系数。HSPICE的仿真结果表明,该电路在-20℃~120℃的温度范围内,输出电压变化为500uV,在1.0V~1.8V的电源电压范围内,输出电压为284.6±0.3mV,电压抑制比约为60dB,最低工作电压接近于1V,在1.3V的电源电压时,总共耗为5uW,适合于低电压低功耗领域的应用。
作者:应建华; 罗鸣; 张姣阳 期刊:《电子技术应用》 2007年第09期
提出了一种利用分支电流的正负温度系数进行温度补偿的新型设计方法。在传统的电流温度补偿的基础上,通过增加一条分支电流对温度特性进行曲率补偿(二阶温度补偿),并且详细地分析了补偿原理。使用XFAB公司的0.61μmCMOS工艺模型进行仿真模拟,得到了较好的仿真结果:在-40℃~135℃温度范围内,其温度系数达到39.8ppm/℃。
作者:李红宝; 胡刚毅; 胡永贵; 余金峰 期刊:《微电子学》 2006年第06期
介绍了一种高精度带隙基准电路结构。采用二阶曲率补偿技术,通过增加一正温度系数项,补偿电路中Vbe(T)展开的负温度系数对数项,改善了基准电压源的温度稳定性。应用该基准电路,设计了一个负输出低压差(LDO)线性稳压器,用高压BIPIC工艺进行流片。测试结果显示,该负LDO线性稳压器的温度系数为85ppm/℃,线性调整率≤0.02%/V,负载调整率≤0.2%。
作者:盛庆华; 张亚君; 王红义 期刊:《微电子学与计算机》 2007年第01期
文章提出一种分段线性补偿的带隙基准,可以大幅减小带隙基准的温度系数。在-40-120℃范围内.仅两级补偿就可以将某工艺条件下一种传统带隙基准的温度系数从15ppm/℃减小到2ppm/℃。如果增加补偿级数,温度系数还可以进一步减小。该补偿方法修正过程简单,并且具有通用性,不受具体工艺参数的限制。
作者:杨瑞聪; 赖松林; 江浩; 于映 期刊:《现代电子技术》 2007年第11期
在分析常规带隙基准电路的基础上,设计了一种带曲率补偿可调节的带隙基准电压电路,并且具有良好的温度系数。电路设计和仿真工具使用Cadence的Spectre。采用SMIC标准0.25μmCMOS工艺。电路中包含的运放为两级放大电路,开环增益为85dB。带隙基准电压电路采用并联电阻的简单电路实现了有效的曲率补偿,在2.5V工作电压下,-25-125℃,TC=3.10ppm/℃,功耗为0.859mW。电路也可以在1.2V电压下工作,-25-125℃,TC=5.34ppm/℃,功耗为0.36mW。
作者:蔡化; 龚敏 期刊:《现代电子技术》 2007年第14期
设计了一个在0.8μm BiCMOS工艺、低于1V电源电压下的带隙基准电压源,能稳定产生0.61V的基准电压。该电路结合当今电压基准主流技术及研究进展,采用了一种系统失调仅912μV的新型运算放大器;采取了T型电阻网络和加入曲率补偿支路的方法,实现了大于59dB电源抑制比和-30~150℃范围内11.7ppm/℃的温度系数。
作者:任若冰; 王亚军; 陶健; 武晓伟; 孙天锡 期刊:《现代电子技术》 2011年第06期
提出了一种新型的低压带隙基准源,与传统的带隙基准不同,该电路引入了第三个电流,以消除双极型晶体管射基电压的温度非线性项,从而实现曲率补偿。采用0.18μmCMOS工艺进行设计验证,HSpice仿真结果表明,室温下的输出电压为623mV,-55~+125℃范围内的温度系数为4.2ppm/℃,1.0~2.1V之间的电源调整率为0.9mV/V。
作者:朱晓宇; 居水荣 期刊:《现代电子技术》 2015年第02期
设计了一种应用于工作电压为1.8 V的流水型模数转换器(ADC)的带隙基准源。与传统电流模式带隙基准源不同,该带隙基准源采用曲率补偿技术,降低了温度系数,提高了精度。分析提高电源抑制比的方法,设计低压共源共栅电流镜偏置的折叠式共源共栅运放,提高了带隙基准源的电源抑制比。采用CSMC 0.18μm CMOS工艺,获得了900 mV的带隙基准, Spectre仿真结果表明,带隙基准源正常启动,在-40~125℃温度范围内温度系数低至3 ppm/℃,...