作者:丁文华; 陈骞; 刘琦; 田欢; 单长玲 期刊:《科学技术创新》 2018年第27期
对于100V以下低压功率MOSFET器件,要实现大电流和低导通电阻,若采用平面结构,芯片面积会很大,不能满足元器件小型化的市场需求。本文针对电压100V、电流180A、导通电阻6.4mΩ的功率MOSFET器件,着重研究了槽栅MOSFET的关键设计和工艺技术,同时利用仿真软件ISE-TCAD对器件的电学特性进行了仿真模拟,产品最终流片、封测结果:技术参数达到了设计要求,并且可以替代国外同类型号产品。
作者:金鑫; 唐民; 于庆奎; 张洪伟; 梅博; 孙毅; 唐路平 期刊:《电子与封装》 2019年第06期
利用器件仿真工具TCAD,建立28nm体硅工艺器件的三维模型,研究了粒子入射条件和器件间距等因素对28nm体硅工艺器件单粒子效应电荷共享的影响规律。结果表明,粒子LET值增大、入射角度的增大、器件间距的减小和浅槽隔离(STI)深度的减少都会增加相邻器件的电荷收集,增强电荷共享效应,影响器件敏感节点产生的瞬态电流大小;SRAM单元内不同敏感节点的翻转阈值不同,粒子LET值和入射角度的改变会对SRAM单元的单粒子翻转造成影响;LET值和粒子...
利用半导体工艺仿真工具 Silvaco TCAD 对局部氧化隔离技术进行了仿真,程序分为三部分:(1)进行器件仿真;(2)绘制 IV 曲线;(3)提取结电压。
作者:李若瑜; 李斌; 罗宏伟 期刊:《微电子学与计算机》 2005年第12期
文章讨论了用MEDICI作基于仿真的ESD保护电路设计方法,并以GGNMOS为例,给出了MEDICI仿真结果与实验数据的对照.结果表明此方法是一种有效仿真ESD保护电路在高温高电压大电流下特性的方法,可使ESD保护器件的设计周期缩短,成功率因此大大增加.
作者:张永战; 孟凡宝; 赵刚 期刊:《强激光与粒子束》 2017年第09期
基于器件物理模拟分析法研究PIN限幅器二极管的微波脉冲热效应,利用Sentaurus-TCAD仿真器建立了PIN二极管二维多物理场仿真模型,研究了在5.3,7.5,9.4GHz的微波脉冲作用下,不同Ⅰ层厚度的二极管模型的峰值温度变化。仿真结果表明:Ⅰ层厚度对PIN二极管微波脉冲热效应的影响分两个阶段,拐点前厚度增加,峰值温度提高,拐点后厚度增加峰值温度降低;一定范围内微波脉冲频率的变化对“拐点”影响不明显。
作者:马丽; 李伟; 李佳豪; 谢加强; 康源; 王馨梅 期刊:《固体电子学研究与进展》 2017年第03期
提出了一种新型的RC-IGBT器件,相比于常规RC-IGBT,新型的RC-IGBT在集电极侧引入了一个类似于栅极的多晶硅沟槽结构,不同之处是沟槽底部结构没有氧化层将多晶硅与硅体区相隔离,于是可将此重掺杂的多晶硅区作为新型的RC-IGBT的集电极的N+短路区,故称为TO-RC-IGBT(Trench oxide reverse conducting IGBT)。由于集电极P+阳极层与N+短路区之间的氧化层隔离,TO-RC-IGBT并未出现常规RC-IGBT导通时的回跳现象。为了避免产生回跳现象,常规RC...
作者:旷明顺; 李长生 期刊:《大众科技》 2016年第09期
随着网络计算技术的日渐发展和成熟,逐渐演变成现今为大家所熟知的云计算,云计算实验平台对于虚拟实验技术的发展起到重要作用。文章基于虚拟科研组织nanoHUB的虚拟计算技术进行云计算实验平台搭建,实现了专业微电子模拟软件在云计算教学实验平台的在线实验,为云计算在器件虚拟仿真实验教学和研究提供了新的解决方案。
为了抑制CCD图像传感器在强光照射时出现光晕和弥散现象,建立了CCD纵向抗晕结构模型,运用半导体器件数值模拟软件MEDICI,对建立的纵向抗晕CCD器件结构进行数值计算。结果表明:1PW层杂质浓度越低,电势越高,则电子势垒越低,则导入衬底的过量载流子越多,对应的抗晕能力越强。得到了CCD纵向抗晕结构的一种优化结构。
作者:王皓陈; 王志明 期刊:《现代电子技术》 2013年第14期
介绍一种在理论计算的基础上,采用ADS软件对射频滤波器进行优化及仿真的方法,重点阐述射频滤波器设计过程中的优化设计、器件仿真以及矩量法分析等相关内容。射频滤波器的测试结果表明其通带内波纹小于3dB,带内输入输出端口反射系数小于-20dB,阻带衰减大于40dB,相比于传统设计方法,此方法具有可行性和有效性。
作者:江朝庆 期刊:《电子技术与软件工程》 2016年第13期
本文利用准分子激光晶化技术制备了低温多晶硅薄膜晶体管,研究了不同激光晶化能量密度对多晶硅薄膜晶粒尺寸以及器件电学特性的影响。为了进一步阐释激光晶化能量密度对多晶硅薄膜晶体管特性产生影响的原因,通过二维器件仿真拟合了多晶硅薄膜晶体管特性并提取了缺陷态密度等参数。通过比较得到态密度随着能量密度变化规律,最终得到最优工艺条件。
作者:魏佳童; 陈立伟; 胡海帆; 刘志远 期刊:《红外与激光工程》 2016年第B05期
提出了一种改进的集成雪崩光电二极管器件结构,由硅和锗材料的雪崩光电二极管结构集成,分别包含吸收区、电荷区和倍增区结构。该改进雪崩光电二极管对光线波长的探测范围扩展到200~1 400 nm。对雪崩光电二极管的关键参数,如器件内电场分布、暗电流、光电流、增益和光响应等进行了分析。仿真结果表明改进雪崩光电二极管的击穿电压为145 V。当阴极偏置电压为140 V时,该器件对900 nm波长光线的峰值响应可以达到22 A/W。在器件击穿之前...
作者:张海鹏 齐瑞生 王德君 王勇 期刊:《电力电子技术》 2011年第09期
4H-SiC JBS器件具有通态电压较高、泄漏电流较大、静态功耗较高等缺点。为探索改善这些缺点的理论方法和技术途径,提出一种沟槽P型PN结肖特基势垒复合4H-SiC二极管。采用Silvaco TCAD对该器件的正向导通特性和反向阻断特性进行仿真,仿真结果表明,与具有类似参数的传统4H-SiC JBS相比,该器件具有更低的通态电阻、更小的反向泄漏电流及更低的静态功耗,更适合高频大功率低功耗电力电子系统应用。
分析和讨论了CCD抗晕结构,并建立了CCD纵向抗晕结构模型。运用半导体器件数值模拟软件MEDICI,对建立的纵向抗晕CCD器件模拟结构进行数值计算,并详细分析和讨论了衬底反偏电压。1PW层硼掺杂浓度、N型沟道磷掺杂浓度和TG转移栅下P杂质掺杂浓度参数对CCD纵向抗晕能力的影响,并得到了CCD纵向抗晕结构的一种优化结构。
作者: 期刊:《单片机与嵌入式系统应用》 2010年第08期
随着ARM的普及和广泛使用,越来越多的用户将会涉及到ARM器件仿真问题。广州致远电子有限公司是国内知名的专业仿真器提供厂商,旗下TKScope仿真器广泛使用在通信、手机、航天、工控、军工、汽车、家电等高要求领域,支持ARM7、ARM9、ARM11、Cortex—M0、Cortex—M1、Cortex—M3、XSeale等多种ARM内核;与当前全部主流IDE环境无缝嵌接,如TKStudio、Keil、ADS、IAR、RealView、GDB等。
TKScope是广州致远电子有限公司2008年隆重推出上市的一款高性能通用型综合仿真开发平台,支持仿真全系列的8051、ARM、DSP、AVR、C166、C251、MX等内核;与当前全部主流IDE环境无缝嵌接,如Keil、ADS、IAR、CCS、RealView、AVRStudio、TKStudio等,保证您的开发平台始终如一,并具备其高级调试功能。
作者:王颖 程超 胡海帆 期刊:《北京工业大学学报》 2011年第03期
为了进一步降低沟槽栅功率MOS器件的导通电阻,提出了一种改进的trench MOSFET结构.借助成熟的器件仿真方法,详细分析了外延层杂质掺杂对器件导通电阻和击穿电压的影响,通过对常规trench MOSFET和这种改进的结构进行仿真和比较,得出了击穿电压和导通电阻折中效果较好的一组器件参数.模拟结果表明,在击穿电压基本相当的情况下,新结构的导通电阻较之于常规结构降低了18.8%.
作者:肖德元 王曦 俞跃辉 袁海江 程新红 陈静 甘甫烷 张苗 季明华 吴汉明 谢志峰 期刊:《科学通报》 2009年第14期
提出一种新型的工作于积累模式、具有混合晶向的圆柱体共包围栅互补金属氧化物场效应晶体管器件结构.与目前其他报道的CMOS器件相比,NMOS和PMOS器件沟道具有不同的晶向,且均有埋层氧化层将其与衬底隔离,器件结构简单、紧凑,集成度增加了一倍.报道了积累型圆柱体全包围栅场效应管器件物理分析、技术仿真结果以及器件制作详细工艺流程.与其他常规鳍形场效应管器件(FinFET)相比,由于克服了不对称场的积聚,如锐角效应导致的漏电,器件...
为了抑制CCD图像传感器在强光照射时出现光晕和弥散现象,运用半导体器件数值模拟软件MEDICI,对建立的纵向抗晕CCD器件模拟结构进行数值计算,并分析1 PW层硼掺杂浓度参数对CCD纵向抗晕能力的影响,并对CCD纵向抗晕结构进行优化结构。而电子快门就是利用纵向抗晕的工作原理而发展的。
作者:张华鑫 王燕 王伟 期刊:《固体电子学研究与进展》 2013年第02期
用非平衡格林函数方法研究一种自旋场效应晶体管的电子输运特性。结果表明,不考虑自旋散射的作用,当漏极电压比较小时该器件能达到很高的磁阻比率。对该器件在考虑自旋散射和不考虑自旋散射下的输出电流进行对比,发现在铁磁平行(反平行)的条件下,考虑自旋散射时的输出电流要比不考虑自旋散射时的输出电流小(大)。研究结果揭示了该器件的物理机制,为该器件的优化设计提供了理论指导。
作者:王晓晗 郭红霞 雷志锋 郭刚 张科营 高丽娟 张战刚 期刊:《物理学报》 2014年第19期
文章提出了一种基于蒙特卡洛和器件仿真的存储器单粒子翻转截面获取方法,可以准确计算存储器单粒子效应,并定位单粒子翻转的灵敏区域.基于该方法,计算了国产静态存储器和现场可编程门阵列(FPGA)存储区的单粒子效应的截面数据,仿真结果和重离子单粒子效应试验结果符合较好.仿真计算揭示了器件单粒子翻转敏感程度与器件n,p截止管区域面积相关的物理机理,并获得了不同线性能量转移(LET)值下单粒子翻转灵敏区域分布.采用蒙特卡洛方...