作者:刘卫兵; 谭秋林; 明安杰; 孙西龙; 毛海央; 岱钦; 张岳; 姚俊; 王玮冰; 熊继军 期刊:《仪表技术与传感器》 2017年第06期
通过制备面向MEMS红外光源的高辐射率多晶硅纳米柱状结构和单晶硅纳米孔结构,以提升红外源表面辐射率,降低器件功耗。制备方法分别为反应离子刻蚀(reactive-ion-etching,RIE)及等离子浸没离子注入(plasma immerse ion implantation,PIII)工艺对单晶硅以及铝电极掩膜的多晶硅表面调控修饰制备。并对2种纳米硅结构进行了吸收率测试,对铝电极掩膜进行了引线键合破坏拉力测试。测试表明,纳米硅结构在3-5μm波段的辐射率可以达到85%...