作者:李享成 杨光 戴能利 陈爱平 龙华 姚凯伦 陆培祥 期刊: 2008年第05期
采用脉冲激光沉积法,在(100)SrTiO3基底上,制备了(La(0.2)Bi(0.8)FeO3)(0.8)-(NiFe2O4)(0.2)(LBFO-NFO)多铁薄膜,通过X射线衍射仪和场发射扫描电子显微镜确定了LBFO-NFO多铁薄膜的显微结构,通过标准铁电测试系统(RT-66A)和振动样品磁强计(VSM)分别测试了LBFO-NFO多铁薄膜的铁电性能和铁磁性能.研究发现:多铁薄膜中LBFO和NFO二相均沿(100)方向外延生长,晶粒尺寸在100~150nm之间;薄膜具有明显的电滞回线(P=...
作者:侯宇 陈执铭 期刊:《中国化工贸易》 2011年第07期
通过对耐压强度试验在设备出厂前检验的必要性进行分析,论述了该检测的测试原理及方法,介绍了测试过程中耐压测试仪漏电流的设定限值,保证了电子设备的安全性。
作者:沈双青 期刊:《中国新技术新产品》 2009年第04期
调节泄漏电流测试仪输出漏电流,设输出漏电流为IN,再由数字多用表读出实际值IN。从而计算出示值误差,本次评定以Ix=1mA为例。
作者:陈永强 刘宗航 张春英 期刊:《广东科技》 2009年第04期
“接触电流”或者“漏电流”都是产品的非功能性电流,是“泄漏电流”在相关安全标准中的不同表达概念。漏电流是医用电气设备安全性能的重要指标之一。文章通过分析比较GB4943—2001、GB8898—2001和GB9706.1—2007对漏电流测试的相关规定,详细介绍了医用电气设备漏电流的特殊分类、所用测量网络和测试设备的特殊要求,并重点介绍了第三方检测机构进行测试设备期间核查的意义及医用电气设备期间核查的特殊要求。
作者:徐亚东 何亦辉 王涛 查钢强 傅莉 介万奇 期刊:《功能材料》 2011年第03期
采用未经准直能量为5.48MeV的241 Amα粒子,研究了温度在230~300K范围内,不同电场作用下CdZnTe晶体的脉冲响应信号,分析了载流子传输特性随温度变化的规律。对比了室温(298K)以及280K下探测器对241 Am@59.5keVγ射线的响应光谱。同时分析了1500V/cm电场作用下探测器漏电流随温度的变化规律。研究表明,对于性能优异的CdZnTe晶体,载流子迁移率寿命积随温度变化较小。而对于存在de-trapping(去俘获)缺陷的CdZnTe样品,光生载流子在...
作者:李安国 曹文智 马晓波 林剑峰 期刊:《电工技术》 2011年第06期
为了高效地考量整机的绝缘、耐压性能,可对整台电气设备进行整机绝缘耐压测试。论述了单个电气元件的绝缘电阻、漏电流与整机的绝缘电阻、漏电流间的关系。
作者:刘尚军 陈广飞 期刊:《中国医学装备》 2011年第04期
目的:设计和开发一种便于携带的高频电刀分析仪,用于测量高频电刀的输出功率和漏电流等性能指标。方法:利用热电转换器件将高频电刀的功率信号转换成直流电压,再对直流电压进行模数转换。结果:模数转换的结果经过系统中单片机运算后,得到功率和漏电流的参数值。上述结果最终通过液晶屏显示。最后,对主要技术指标进行测试,并对测试数据进行分析。结论:我们设计的高频电刀测试仪样机的功率和漏电流测量精度满足设计要求。
作者:秦文峰 熊杰 李言荣 期刊: 2010年第03期
利用脉冲激光沉积法在LaNiO3/LaAlO3(001)基片上生长了Ba0.6Sr0.4TiO3(BST)和Ba(Zr0.2Ti0.8)O3(BZT)单层薄膜,以及Ba(Zr0.2Ti0.8)O3/Ba0.6Sr0.4TiO3/Ba(Zr0.2Ti0.8)O3(BZT/BST/BZT)多层薄膜.X射线衍射(XRD)分析发现,BST、BZT和LNO薄膜都具有高度的(00l)取向.原子力显微镜(AFM)显示三种样品表面光滑无裂纹,晶粒尺寸和表面粗糙度相当.电容测试表明,相对BST、BZT单层薄膜,多层薄膜具有最大的品质因数42.07.表明多...
作者:武宏亮 邵凌云 期刊:《工业计量》 2012年第S2期
超声诊断作为临床诊断的重要手段之一而得到广泛应用。超声诊断设备的安全性和有效性是应用于临床的基本条件。目前,国内实施的JJG 639—1998《医用超声诊断仪超声源检定规程》为计量工作者提供了检测依据,在一定程度上保证了市面上所用超声设备的质量。经过笔者的对比分析,认为当前的规程中存在两个不足之处,并加以阐述。
作者:江晓敏 王锦永 丁丽 汤振鹏 范亚洲 期刊:《广东电力》 2012年第09期
针对110kV川上线电缆终端场金属氧化物避雷器(metaloxidearrester,MOA)存在头部发热、漏电流超标的现象,通过解体检查和直流试验分析,判断MOA缺陷的主要原因是:瓷套表面积污严重、污秽层面不均匀导致电压分布不均匀;内部受潮造成避雷器漏电流增大,加速了电阻片的老化。建议选择复合外套型MOA以提高防污性能,并加强MOA的定期检测工作。
作者:缪旻 许一超 王贯江 孙新 方孺牛 金玉丰 期刊:《测试技术学报》 2012年第06期
硅通孔(TSV)技术是先进的三维系统级封装(3D SIP)集成技术乃至三维集成电路(3D IC)集成技术的核心.TSV绝缘完整性是决定其电性能和长期可靠性的关键因素,在生产过程中对该特性进行在线(inline)测试,及早筛除有缺陷的产品晶圆,可以有效降低总生产成本.本文提出在晶圆减薄前,通过探针与相邻两个TSV盲孔顶部接触进行I-V特性测试,得到两孔间漏电流数据,绘成曲线.若所得I-V曲线在电压为7V~10V时基本呈线性上升,且漏...
作者:袁愿林 姚昌胜 王果 陆敏 期刊:《固体电子学研究与进展》 2012年第02期
成功地制备了有SiO2钝化层和无SiO2钝化层的GaN基PIN结构核辐射探测器,并对二者的I-V特性进行了测试。实验结果表明,SiO2钝化层的存在显著地降低了GaN基PIN结构核辐射探测器的反向漏电流,在-40V的反向偏压情况下,漏电流约有2个数量级的降低。实验过程中观测到随着反向偏压的增大,SiO2钝化层对器件反向漏电流的抑制效应更明显。建立了一种表面沟道模型解释了SiO2钝化层对漏电流的影响。
作者:叶芸 郭太良 蒋亚东 黎威智 期刊:《电子科技大学学报》 2012年第03期
利用傅里叶红外光谱(FTIR)、示差扫描量热分析(DSC)、电滞回线和漏电流的分析,研究热极化和电晕极化对PVDF薄膜电性能的影响。结果表明,热极化和电晕极化都可以提高PVDF薄膜的铁电性能,但是不同的极化温度、极化电场强度和极化时间使得PVDF薄膜具有不同的漏电流性能。在强电场作用下,热极化的温度更高,时间更长,偶极电荷的沿电场取向更完全,晶型向晶型的转变更彻底,因此剩余极化值、结晶度和晶型的含量均高于电晕极化后的薄膜...
作者:高成 杨静 孟祥建 白伟 林铁 孙璟兰 褚君浩 期刊:《红外与毫米波学报》 2012年第01期
采用化学溶液方法,在LaNiO3/Si(100)衬底上生长了Nd掺杂的BiFeO3薄膜.XRD分析结果表明,随着Nd掺杂量的增加,薄膜晶格变小,Nd掺杂量为20%时,薄膜出现杂相.介电测试表明,随着Nd掺杂量的增加,介电常数和损耗减小,Nd掺杂量为2%的薄膜表现出很强的介电色散现象并出现介电损耗弛豫峰,其符合类德拜模型特征.随着Nd掺杂量增加,薄膜的漏电流减小,在低电场下,电流输运遵从SCLC模型,在高场下,电流输运遵循Poole-Frenkel模型.分析结果表明Nd...
作者:郑丹 王中林 期刊:《电子元件与材料》 2012年第05期
利用反应溅射的方法沉积Ta2O5高介电薄膜,研究了溅射过程中氧气与氩气的体积流量比Ψ(O2:Ar)对薄膜电学性能的影响。结果表明,制备的薄膜退火后为多晶态四方结构的β-Ta2O5。随着Ψ(O2:Ar)的增大,薄膜的沉积速率逐渐减小,积累电容逐渐增大,等效氧化层厚度逐渐减小,平带电容增大,氧化层中可动离子电荷密度逐渐减小。当Ψ(O2:Ar)=6:5时,所沉积Ta2O5薄膜的相对介电常数r最大,为38.32;当Ψ(O2:Ar)=2:5时,漏电流密度最小,仅为7...
作者:刘婷 介万奇 查钢强 徐亚东 王涛 期刊:《光电子激光》 2012年第03期
采用垂直布里奇曼法生长的CdZnTe(CZT)单晶,制备出单平面探测器。在210~300K温度范围内,测试了不同外加偏压作用下探测器的漏电流,并计算了低压下CZT的体电阻率。同时,在不同电场作用下,测试了CZT探测器对未经准直的241Am@5.48MeVa粒子脉冲响应信号的上升时间,计算出电子迁移率为1360cm2/v-1 s-1,并进一步推算出电子寿命随温度的变化规律。在220~300K温度范围内,对比了CZT探测器对-241Am@59.5keV γ射线的能谱响应结...
作者:邬伟扬 郭小强 期刊:《中国电机工程学报》 2012年第18期
漏电流抑制是无变压器型光伏并网系统需要解决的关键问题之一。VDE-0126-1-1标准规定,漏电流高于300 mA时光伏并网系统必须在0.3 s内从电网中切除。为了解释漏电流的根源,建立系统共模电压数学模型,在此基础上分析漏电流产生的原因,探讨不同调制策略对漏电流的影响,然后介绍几种典型的、能够有效抑制漏电流的电路拓扑结构,并分析各种拓扑的工作原理和特点。最后对漏电流抑制技术方面的发展趋势做了展望。
作者:杨学龙 陈学康 郭磊 王兰喜 期刊:《真空科学与技术学报》 2012年第09期
漏电流是铁电薄膜应用过程中的关键问题。本文通过磁控溅射法制备了结晶性能良好的铌镁锆钛酸铅(PZT-PMN)铁电薄膜,并在室温下用原子氧对其进行处理,研究了原子氧对PZT-PMN薄膜表层微观结构和漏电流的影响。实验结果表明:经原子氧处理后的PZT-PMN薄膜,①表面粗糙度下降且有非晶层形成;②表层有大量的氧原子进入;③漏电流密度减小了大约一个数量级,外加电压为2.5 V时,未处理样品的漏电流密度为3×10^-5A/cm^2,处理样品的漏电流密...
作者:杜明辉 姜庆华 彭增伟 刘保亭 期刊:《功能材料》 2012年第12期
采用溶胶-凝胶的方法在Pt(111)/Ti/SiO2/Si(001)基片上制备了5%Mn掺杂的BiFeO3(BFMO)薄膜,并构建了Pt/BFMO/Pt对称型电容器,研究了紫光对多晶BFMO薄膜铁电性及J-V特性的影响。实验发现,在紫光的照射下,薄膜的电导增大,这是由于紫光入射在BFMO薄膜上,产生了光生载流子。当外加电压为5V时,漏电流密度由9.1mA/cm2增大到16.3mA/cm2。Pt和BFMO的接触满足金属-半导体理论中的欧姆接触,并且光的存在并没有改变Pt/BF-MO/Pt电容器的漏电流机...
作者:孙中莉 刘发助 裴衍振 期刊:《电子质量》 2012年第10期
本系统上位机程序能满足实时读取下位机的数据,并能对数据进行进一步的分析和处理。即该文运用C#设计的上位机软件具有数据的传输、保存、显示、查询、打印等功能。