作者:朱华平; 戴庆元; 徐健 期刊:《真空电子技术》 2005年第01期
随着CMOS工艺的进一步发展,漏电流在深亚微米CMOS电路的功耗中变得越来越重要.因此,分析和建模漏电流的各种不同组成部分对降低漏电流功耗非常重要,特别是在低功耗应用中.本文分析了纳米级CMOS电路的各种漏电流组成机制并提出了相应的降低技术.
影响因子:1.87
期刊级别:省级期刊
发行周期:月刊
影响因子:1.44
期刊级别:CSSCI南大期刊
影响因子:0.44
发行周期:半月刊
影响因子:0.07
发行周期:旬刊
影响因子:0.65
期刊级别:北大期刊
影响因子:0.35