作者:谢丹丹; 周静; 吴智; 沈杰 期刊:《硅酸盐通报》 2019年第11期
将铌镁酸钡(Ba(Mg1/3Nb2/3)O3,BMN)作为缓冲层,通过溶胶-凝胶法制备了锆钛酸铅(Pb(Zr0.52Ti0.48)O3,PZT)铁电薄膜。探究BMN缓冲层对PZT铁电薄膜介电、铁电性能影响。研究发现:BMN缓冲层不仅可以改善PZT薄膜晶化生长,同时阻碍了PZT与Pt的互扩散而降低了漏电流。由于对漏电流的抑制作用,适当厚度BMN缓冲层的引入可改善PZT的铁电性能,但随着缓冲层厚度的增加,由于其分压作用,复合膜铁电性减弱。当厚度为10nm时,薄膜的综合性能最好:介...
作者:代秀红; 赵红东; 张宇生; 葛大勇; 宋建民; 刘保亭 期刊:《材料导报》 2017年第15期
采用溶胶-凝胶法在Pt/Ti/SiO_2/Si(111)衬底上制备了Bi_(0.975)La_(0.025)Fe_(0.975)Ni_(0.025)O_3(BLFNO)铁电薄膜。利用X射线衍射(XRD)、原子力显微镜(AFM)及其压电模式(PFM)对薄膜的晶体结构、表面形貌以及铁电畴结构进行了研究。研究发现,BLFNO为结晶良好的钙钛矿结构多晶薄膜,且薄膜表面颗粒生长均匀。PFM测试图显示铁电薄膜在自发极化下的铁电畴结构清晰,铁电电容器具有良好的铁电性能。应用铁电测试仪对P...
作者:孙金鼎; 王利利; 姚成宝; 孙文军 期刊:《哈尔滨师范大学自然科学学报》 2016年第03期
利用直流磁控溅射技术在P型Si(100)衬底上制备了TiO_2薄膜,将制备好的TiO_2薄膜分别在700、800、900、1000、1100℃下空气中退火1 h.采用X射线衍射仪(XRD)、扫描电子显微镜(SEM)、安捷伦半导体器件分析仪对薄膜样品进行表征.XRD测试结果表明:原样品为锐钛矿相结构,随着退火温度的升高,样品由锐钛矿相结构逐渐转变为金红石相结构,而经900、1000、1100℃退火后样品为金红石相结构,且退火后样品的晶粒尺寸明显增大;电学性能测...
作者:李万朋 刘秋香 期刊:《广东工业大学学报》 2014年第02期
采用溶胶凝胶方法在Si(100)衬底上生长了SrBi2Ta2O9/LaNiO3(SBT/LNO)异质结薄膜,其中SrBi2Ta2O9薄膜呈高度(115)取向.测量了不同退火温度下异质结的电滞回线和漏电流密度,结果表明,700℃下退火的薄膜剩余极化值最高,漏电流最低,且表现出弱的室温铁磁行为.漏电流机理分析表明薄膜界面为欧姆接触.
一种低介电常数绝缘介质α-SiCOF薄膜(非晶硅碳氧氟薄膜)及其制备方法。现有该类产品介电常数较高、薄膜漏电流密度大、介电强度和电学稳定性不理想,且生产成本偏高。本发明用等离子增强化学气相淀积装置制备了低介电常数绝缘介质α-SiCOF薄膜,主要原料是多氟环氧烷、正硅酸乙酯、等离子激发气体。
作者:莫尚军 张继华 杨传仁 陈宏伟 余为国 期刊:《压电与声光》 2011年第04期
采用磁控溅射法在覆釉95-Al2O3陶瓷基片上制备了BaO-Nd2O2-Sm2O3-TiO2(BNST)微波介质薄膜为介质的金属-绝缘体-金属结构电容器。原子力显微镜(AFM)显示在800℃退火0.5h后的BNST薄膜晶粒形状完整;XRD图谱显示薄膜化后BNST晶体面间距减小;电性能测试表明,1MHz频率下BNST薄膜介电常数为77.2,介电损耗为0.25%,-55~125℃范围内介温系数为-51.8×10^-6/℃,30V偏压下漏电流密度为3.28×10^-8A/cm^2。
作者:郑灼勇 张永爱 张志坚 陈景水 郑隆武 郭太良 期刊:《真空科学与技术学报》 2012年第10期
以联苯四酸二酐和4,4’-二氨基二苯醚为单体原料使用气相沉积聚合(VDP)法制备了聚酰亚胺(PI)绝缘膜,分析不同热亚胺化处理温度对PI薄膜绝缘性能的影响。分别使用红外光谱、俄歇能谱、扫描电镜、原子力显微镜对薄膜成分以及薄膜表面形貌进行了表征;利用超高阻微电流测试仪测试了PI复合绝缘膜漏电流和电压击穿特性。结果表明:热亚胺化300℃/1h真空(1.0×10-2Pa)处理后的PI绝缘膜内部结构致密,当场强为8.0MV/cm时漏电流...
作者:涂慧婕 赵红 董旭峰 谭锁奎 纪松 齐民 陶万勇 期刊:《功能材料》 2014年第04期
以十二烷基苯磺酸钠(SDBS)为表面活性剂,通过水热法对丙三醇氧钛(Gly-O-Ti)电流变颗粒进行表面改性。研究了SDBS对Gly-O-Ti电流变液性能的影响并讨论了其作用机理。结果表明在Gly-O-Ti电流变液制备过程中加入适量SDBS,可有效提高体系的电流变力学性能,并降低其漏电流密度。