国家重大科技成果转化及山东省重点建设项目——山东天岳先进材料科技有限公司功能器材用碳化硅衬底项目顺利完工,标志着我国建成亚洲规模最大的宽禁带碳化硅半导体材料生产基地。据悉,宽禁带碳化硅半导体材料是第三代半导体核心材料,目前正在逐步取代硅(Si)晶等传统材料,成为新一代高端半导体行业的主要生产材料。宽禁带碳化硅半导体材料广泛应用于半导体电力电子器件、微波器件、光电子器件等领域,对我们国家的产业转型升...
2019年3月19日,推动高能效创新的安森美半导体Semiconductor,推出了两款新的碳化硅MOSFET。工业级NTHL080N120SC1和符合AEC-Q101的汽车级NVHL080N120SC1把宽禁带技术的使能、广泛性能优势带到重要的高增长终端应用领域如汽车DC-DC、电动汽车车载充电机、太阳能、不间断电源及服务器电源。
<正>据称法国的封底供应商Picogia国际公司制成了被认为是世界上首个单晶绝缘体上的GaN晶圆。该公司的Soitec分支部门认为,这一技术会使GaN基器件的性能得到提高,如高功率微波器件、蓝光和白光LED等。绝缘硅(Silicon-on- insulator)技术已经成为电子器件市场的主流,并有效地改善了器件的性能。
随着功率电子器件在国防领域应用的不断扩展,功率电子技术控制和调节复杂航空和国防集成系统电力,其依赖新的体系架构方法来实现更小的尺寸、重量和功耗和成本(SWAP—C)。新的设计和开放系统架构使功率器件制造商能够为各种陆地、飞机和太空应用提供小型、轻量和高功效的器件。
市场趋势和更严格的行业标准推动电子产品向更高能效和更紧凑的方向发展。宽禁带产品有出色的性能优势,有助于高频应用实现高能效、高功率密度。
作者:谢修华; 李炳辉; 张振中; 刘雷; 刘可为; 单崇新; 申德振 期刊:《物理学报》 2019年第16期
宽禁带Ⅱ族氧化物半导体材料体系,包括氧化铍(BeO)、氧化镁(MgO)、氧化锌(ZnO)及合金,拥有较大的激子结合能(ZnO 60 meV, MgO 80 meV),较高的光学增益(ZnO 300 cm-1)以及较宽的可调带隙(ZnO3.37 eV, MgO 7.8 eV, BeO 10.6 eV),具有实现紫外及深紫外波段低阈值激光器的独特优势,同时也是取代传统气体放电灯(汞灯、氘灯、准分子灯、氙灯)成为深紫外乃至真空紫外光源的重要候选材料之一.虽然经过20余年的研究历程, ZnO基pn同质结近紫...
作者:闫美存 期刊:《信息技术与标准化》 2018年第04期
阐述碳化硅功率器件的性能优势、应用领域及国内外发展情况,分析碳化硅衬底、外延、器件、封装等关键技术,基于碳化硅功率器件标准适用性研究,提出围绕技术热点制修订标准,建立快速响应标准机制。
作者:王丽玉; 谢家纯; 刘文齐 期刊:《半导体光电》 2004年第01期
采用微电子平面工艺,用宽禁带半导体n-4H-SiC和金属Au(或Ni)形成肖特基接触,Ti、Ni、Ag合金在背底作欧姆接触,制备出Au/n-4H-SiC和Ni/n-4H-SiC肖特基紫外光电探测器.测试分析了这两种器件的光谱响应特性及其I-V特性.其光谱响应范围均是200~400 nm,室温无偏压下,Au/n-4H-SiC的光谱响应峰值在310 nm,光谱响应半宽是73 nm,室温7 V偏压下光谱响应峰值86.72 mA/W,量子效率可达37.15%,Ni/n-4H-SiC相应的参数分别为300 nm、83 nm、45.84 ...
作者:李春; 方国家; 赵兴中 期刊:《功能材料》 2005年第02期
MgxZn1-xO薄膜是一种新型宽禁带半导体薄膜,在兼顾ZnO、MgO材料性能的同时,具有带隙连续可调的特点,近年来逐渐成为半导体光电功能材料与器件的研究热点之一.本文从MgxZn1-xO薄膜的基本特性、制备方法、应用研究等方面进行了分析和评述,并对其应用前景进行了展望.
作者:邓孝祥; 李鹏; 戴超凡; 杨荣浩 期刊:《大功率变流技术》 2017年第06期
为分析宽禁带半导体器件GaN MOSFET与Si MOSFET栅极驱动损耗、开关损耗的成因及关联参数,利用单相全桥逆变拓扑结构搭建功率开关器件应用测试平台,对GaN MOSFET和Si MOSFET在不同开关频率及器件工作温度下的效率进行测试比较。实验结果显示,开关频率为50 k Hz和120 k Hz时,基于增强型Ga N MOSFET的逆变器比基于Si MOSFET的效率分别高1.47%和1.6%;40℃,50℃,60℃,70℃温度对比实验时,基于增强型GaN MOSFET的逆变器效率比基于Si MOSF...
作者:王利; 王占山; 吴永刚; 王少伟; 陈玲燕 期刊:《光子学报》 2004年第02期
提出了介质的光学厚度系数成圆形分布的一维光子晶体结构,与周期结构的光子晶体相比,该结构具有禁带展宽特性,同时讨论了起止膜层及膜层的光学厚度对该结构禁带特性的影响.优化出了在所选材料的介电常数所允许的频率范围内,具有完全禁带特征的光子晶体结构.
作者:张光义; 王炳如 期刊:《现代雷达》 2005年第02期
讨论对有源相控阵雷达和T/R组件的一些新要求.宽禁带半导体材料与器件的主要性能与特点在文中作了简要介绍.宽禁带半导体器件在有源相控阵雷达中的潜在应用在文中也进行了讨论.
作者:李发宁; 张鹤鸣; 戴显英; 朱国良; 吕懿 期刊:《电子科技》 2004年第07期
较详细地叙述了当前国内外正处在研究热潮中的金刚石半导体的优越性质、发展状况及其应用和潜在的应用前景.同时分析和比较了金刚石薄膜的各种制备方法,可以看出微波等离子体化学汽相沉积法是较好的制备金刚石薄膜的生长技术,并且分析了该技术的特点和优势.该法在保持适当氩气氛和施加衬底负偏压下还可进一步提高金刚石膜的生长速率和质量.对于金刚石异质(在硅衬底上)成核的基本机理也进行了分析.最后,阐述了研究金刚石半导体薄膜...
作者:王征; 刘文; 梅云辉; 陆国权 期刊:《电力电子技术》 2017年第08期
选择合适的电子封装材料对充分发挥半导体器件的性能有着十分重要的影响。详细概述了电力电子器件.尤其是宽禁带电力电子器件的高温可靠封装关键材料的研究进展及发展趋势,并对其发展前景进行了展望。其中封装材料主要涉及互连材料、基板材料和底板材料三方面。
5月16日至17日,哈工大航天学院和俄罗斯科学院普通物理研究所联合主办的第三届中俄双边“CVD金刚石的趋势和挑战:制备、性能和先进应用”高层论坛暨第一届新型宽禁带半导体探测器国际学术会议在校召开。
作者:贾辉; 石璐珊; 梁征; 黄鑫 期刊:《江西科学》 2017年第02期
紫外光电探测器无论在军用还是民用领域均有广泛应用,详细阐述了紫外光电探测器的用途和原理,比较了宽禁带半导体紫外探测器、紫外光电倍增管和Si基紫外探测器的优劣,并重点介绍了不同结构类型的宽禁带半导体紫外探测器与几种提高器件性能的方法。
作者:付方彬; 金鹏; 刘雅丽; 龚猛; 吴巨; 王占国 期刊:《微纳电子技术》 2016年第09期
简要介绍了半导体金刚石材料优异的电学和光学性质、主要制备方法以及采用微波等离子体化学气相沉积(MPCVD)技术在制备高质量半导体金刚石材料方面的优势。重点就MPCVD技术在半导体金刚石材料的高速率生长、大尺寸生长、高质量生长以及电学掺杂等四个方面的研究现状进行了详细总结。详细探讨了目前半导体金刚石材料在大尺寸单晶金刚石衬底制备、高质量单晶金刚石外延层生长以及金刚石电学掺杂等方面还存在的一些基本问题。指出在...
作者:刘学超; 黄建立; 叶春显 期刊:《电源学报》 2016年第04期
研究了基于新一代宽禁带1 200 V碳化硅(SiC)MOSFET三相双向逆变器,由于SiC MOSFET的高耐压、低损耗、高开关频率特性,逆变电路的拓扑结构得到简化,并提高了功率密度和可靠性。同时,利用碳化硅MOSFET的双向第三象限导通特性,与硅基IGBT相比省略了开关器件的反并联二极管。20 k VA实验样机验证了在该中大功率三相双向逆变器中SiC MOSFET相比硅基IGBT方案的优势。