一、项目单位简介实现第三代半导体高性能器件产业化和规模化应用的关键是要获得价格合理的低缺陷密度GaN晶体基片。本项目技术团队所拥有的高技术和低成本优势在国内外是独一无二的,技术领先、工艺成熟,已经具备大规模量产的条件。本项目长远目标是建成世界最大规模的氮化镓衬底生产基地,提供GaN衬底以及集成GaN基光电子器件和微电子器件的晶片等。
据国家自然科学基金委员会2006年9月13日报道,9月1日,在英国《自然》杂志网站的纳米技术专栏上,来自中国科学院半导体所材料科学重点实验室关于宽禁带半导体氮化铟低维结构研究的科研成果,被作为研究亮点进行重点评论报道。
在声势浩大的新旧动能转换浪潮中,作为济南市唯一位于主城区的省级开发区,槐荫经济开发区布下了“一城两区三园”的产业发展版图:其中,“一城”即生态科技城;“两区”即总部经济区和美里湖商贸物流区;“三园”即3D打印产业园、智能制造产业园、宽禁带半导体产业园.
作者:《固体电子学研究与进展》编辑部 期刊:《固体电子学研究与进展》 2019年第05期
本刊系南京电子器件研究所主办的全国性学术期刊(双月刊)。主要刊登固体物理、宽禁带半导体、射频/微波器件和电路、纳米技术、MEMS、固体光电和电光转换器件、OLED和各种固体电子器件及其应用等文章。设有"学术论文"、"研究报告"、"研究简讯"、"会议报道"等栏目。介绍科研创新成果,探讨不同学术见解,交流工作经验,报道研究动态。本刊自创办以来,深受广大专家、读者好评,在部、省级评比中曾多次获优秀科技期刊奖。
ZnO和TiO2是宽禁带半导体,在紫外波段有良好的光催化产氢能力,但不具备可见光响应能力。若将其吸收光谱拓展到可见光波段,则可充分利用太阳光全光谱能量,实际应用潜力巨大。同时,硫化物体系由于其制备过程简便,化学性质相对稳定,并具有可见光波段响应,能量转化效率较高,且和其他材料体系相容性较好而受到青睐。
作者: 期刊:《电子技术与软件工程》 2018年第19期
近日,由广东省科学院主办,广东省半导体产业技术研究院、中国有色金属学会宽禁带半导体专业委员会承办的“广东省第三代半导体发展战略论坛”在广州举行.来自国内外半导体领域的知名专家以及省内知名高校、科研机构、企业界的代表近100人参加论坛,热议未来第三代半导体领域面临的机遇与挑战.
基于宽禁带半导体氮化镓材料,设计了传统的高一低结构的碰撞电离雪崩渡越时间(IMPATT)二极管,并对其直流特性和高频特性进行了模拟研究。模拟结果显示该IMPATT二极管工作频率达到300GHz,输出功率为1.94W,直流-射频转换效率达到17.2%,结果表明氮化镓材料在太赫兹器件制造领域应用潜力巨大。
2018年4月9-10日,国家集成电路产业投资基金总裁、中国宽禁带功率半导体及应用产业联盟名誉理事长丁文武先生一行密集调研宽禁带半导体产业的情况,调研的单位包括基本半导体、英诺赛科。
6月23日,英诺赛科宽禁带半导体项目在苏州市吴江区举行开工仪式。据悉,该项目总投资60亿,占地368亩,建成后将成为世界一流的集研发、设计、外延生产、芯片制造、分装测试等于一体的第三代半导体全产业链研发生产平台,填补我国高端半导体器件的产业空白。
作者:徐军; 周圣明; 杨卫桥; 夏长泰; 彭观良; 蒋成勇; 周国清; 邓佩珍 期刊:《中国有色金属学报》 2004年第F01期
InN和GaN是宽禁带半导体中最重要的光电子材料,但现在还存在一些技术上的困难阻碍了它们的研究进展,其中一个重要的问题就是缺少合适的衬底材料。虽然现在对衬底材料的要求相对降低了,但为了生长出高质量的外延薄膜,选择合适的衬底材料还是非常必要。本文针对目前使用的InN外延衬底材料分别进行了讨论,评价了它们的优缺点,指出目前实用的InN衬底材料是有限的,应用最多的还是蓝宝石衬底和MgAl2O4晶体,且MgAl2O4晶体比蓝宝石...
12月15日,深圳市德菲诺驱动技术有限公司与上海昌誉电子科技有限公司签订协议,昌誉电子全权销售德菲诺IGBT/MOS/Sic驱动系列产品。
作者: 期刊:《固体电子学研究与进展》 2019年第04期
《固体电子学研究与进展》是全国性学术期刊,向国内外公开发行。办刊宗旨是面向21世纪固体物理和微电子学领域的创新性研究。征稿主要范围是:无机和有机固体物理,硅微电子学,射频器件和微波集成电路,微机电系统(MEMS),纳米技术,固体光电和电光转换器件,有机发光器件(OLED)和有机微电子技术,宽禁带半导体以及各种固体电子器件等方面的创新性科学技术报告和论文。建议作者在投稿的同时介绍一下论文的工作背景、原创性、先进性与指导...
作者:李翔宇; 杨克虎 期刊:《电源学报》 2019年第01期
提出了一种可在零电流开关ZCS(zero-current switch)下仅通过功率开关器件达到直流隔离效果且输出电压在一定范围可调的直流变换器拓扑结构。首先分析了该变换器稳态时的工作原理及电路模型,并推导出了在含有寄生参数下的输出电压数学表达式;然后通过接触电流TC(touch current)对电路的隔离性能进行了评估,并论述了共模漏电流的抑制方案以提升电路隔离效果;最后基于宽禁带WBG(wide bandgap)材料碳化硅MOSFET下设计了原理性实验样机...
由广东省科学技术协会主办,广东省真空学会、广东省真空产业技术创新联盟和信利国际有限公司承办的“粤港澳大湾区真空科技与宽禁带半导体应用高峰论坛”于2017年12月28-30日在信利(惠州)智能显示有限公司召开,会议得到省科协岭南科学论坛基金资助。
6月9~11日,由西安交通大学电子物理与器件教育部重点实验室与单晶金刚石电子材料与器件泛太平洋产业联盟共同主办的“2019单晶金刚石及其电子器件国际研讨会(2019SCDE)”召开。会议由西安交通大学电子物理与器件教育部重点实验室主任、宽禁带半导体研究中心主任王宏兴担任研讨会主席。来自不同国家和地区的130余位专家学者参加会议。
4β-Ga2O3场效应晶体管β-Ga2O3具有有意掺杂的浅能级施主(Si,Ge和Sn)和深能级补偿受主掺杂(Mg和Fe),其n型掺杂可控制材料导电率变化范围达15个数量级以上,即从高导电性(电阻率约为10-3Ω·cm)到半绝缘性(电阻率约为1012Ω·cm)。然而,正如其他氧化物半导体一样,不太可能实现p型掺杂,由于目前尚未找到浅受主掺杂杂质,其空穴的输运受其价带结构的限制而导致空穴的有效质量非常大。
随着新能源产业的快速发展,宽禁带半导体越来越受到人们的关注.其中,碳化硅半导体已经开始在多个工业领域得到了广泛应用.在此,针对宽禁带半导体的材料性能、碳化硅半导体的功率器件进行了介绍.此外,也对碳化硅功率器件的封装技术进行了介绍.然后,对于使用碳化硅功率器件较多的应用领域进行了分析.最后,对于未来碳化硅半导体行业的技术发展趋势提出了展望.
宽禁带、超宽禁带半导体器件已经成为国际半导体器件和材料的研究和产业化热点,概述了半导体材料的划代,综述了宽禁带、超宽禁带半导体器件和材料最新进展,并展望了未来的发展方向和前景。
作者:陈刚 期刊:《固体电子学研究与进展》 2005年第02期
报告了4H-SiC MESFET的研制.通过对SiC关键工艺技术进行研究,设计出初步可行的工艺流程,并且制成单栅宽120 μm n沟道4H-SiC MESFET,其主要直流特性为:在Vds=30 V时,最大漏电流密度Idss为56 mA/mm,最大跨导Gm为15 mS/mm;漏源击穿电压最高达150 V;微波特性测试结果:在fo=1 GHz、Vds=32 V时该器件最大输出功率7.05 mW,在fo=1.8 GHz、Vds=32 V时最大输出功率3.1 mW.