作者:王雪飞; 谢生; 毛陆虹; 王续霏; 杜永超 期刊:《光子学报》 2019年第12期
提出一种SOI基的新型隧穿场效应晶体管(TFET)探测器结构,将光电二极管与TFET结合,实现光信号的探测放大.光电二极管的正极与TFET的栅极互连,感光后光电二极管的光生电势调控TFET的沟道势垒,控制TFET的输出电流,实现光信号到电流信号的转化.陡峭的亚阈值摆幅能有效放大输出电流,提高TFET探测器的响应度.应用SILVACO完成探测器结构和性能的模拟仿真.光电二极管的光生电势通过较薄的BOX区形成了TFET的底部栅压,增强了对沟道势垒的控制...
2000年前后,胡正明教授公布FinFET(鳍式晶体管)与FD-SOI(Fully Depleted Silicon On Insulator,全耗尽型绝缘体上硅)技术,为25纳米及以下半导体工艺发展指明方向。台积电和英特尔都选择了FinFET工艺,这使其成为逻辑工艺的主流方向.
作者:田明; 宋洋; 雷海波 期刊:《微纳电子技术》 2019年第12期
介绍了在全耗尽绝缘体上硅(FDSOI)结构上,通过在SOI表面外延生长形成金属氧化物半导体场效应晶体管(MOSFET)源/漏区抬升结构的方法。研究了不同的工艺参数对外延生长的影响,从而在合适的掺杂浓度下得到均匀的外延生长形貌。提出了两种新的途径来控制SOI的厚度:采用一种新的方法生长垫氧层,以及在源漏区外延生长前,在衬底外延生长硅薄膜层,从而补偿工艺导致的SOI损耗。这两种新的方法使SOI厚度增加了约5 nm。工艺优化后的FDSOI器件...
作者:张苗; 王雪林; 魏星 期刊:《科技创新导报》 2016年第30期
以粒子束技术为基础的材料制造技术,在材料和半导体器件的发展中起着举足轻重的作用,芯片性能的提高将更多地依赖于粒子束与微纳物质作用及其精确调控技术。目前,离子注入技术最成功的应用领域是半导体工业,其被广泛应用于半导体源/漏、阱掺杂工艺中;另一方面,在微电子、光电子领域的前沿-SOI技术领域,离子注入技术同样获得广泛应用,例如:采用氧离子注入合成SOI材料并利用缺陷离子实现对其绝缘埋层厚度的精确调控,氦-氧多种类离...
作者:席善学; 陆妩; 郑齐文; 崔江维; 魏莹; 姚帅; 赵京昊; 郭旗 期刊:《电子学报》 2019年第05期
研究体偏置效应对超深亚微米绝缘体上硅(SOI,Silicon on insulator)器件总剂量效应的影响.在 TG偏置下,辐照 130nmPD(部分耗尽,partiallydepleted)SOINMOSFET(N型金属氧化物半导体场效应晶体管,n typeMet al Oxide SemiconductorField EffectTransistor)器件,监测辐照前后在不同体偏压下器件的电学参数.短沟道器件受到总剂量辐照影响更敏感,且宽长比越大,辐射导致的器件损伤亦更大.在辐射一定剂量后,部分耗尽器件将转变为全耗尽器...
作者:李俊龙; 朱平 期刊:《仪表技术与传感器》 2017年第12期
在SOI晶圆材料的基础上,设计了压力敏感结构,提高了传感器的高温稳定性;采用敏感芯片背孔引线技术,将硅敏感芯片的正面和硼玻璃进行气密性阳极键合,通过在硼玻璃对应位置加工电极连接孔,实现芯片电极与外部管脚的电气连接,形成无引线封装结构;利用ANSYS软件对敏感芯片进行了力学仿真,对高温敏感芯体进行了热应力分析,完成了无引线封装结构的优化及制作。通过性能测试,该传感器测量范围为0~0.2 MPa,灵敏度为55.0 m V/MPa,非线性误...
<正> 0810 半导体物理0530509应力感应迁移空位磁通量模拟=Modeling of vacancyflux due to stress-induced migration[刊,英]/MinoruAoyagi//Journal of Vacuum Science & Technology B.-2003,21(4).—1314-1317(E)
<正> 0810 半导体物理 0500295氮对 InyGal-yAsl-xNx-GaAs 量子阱能带结构和材料增益的影响=Effect of Nitrogen on the Band Structureand Material Gain of InyGal-yAsl-xNx-GaAs QuantumWells〔刊,英〕/J.M.Ulloa,J.L.Sanchez-Rojas//IEEEJournal of Selected Topics in Quantum Electronics.—2003,9(3).—716-722(E)
作者:郭玉刚; 饶浩; 陶茂军; 田雷; 吴佐飞 期刊:《传感器与微系统》 2018年第11期
研制了一种基于微机电系统(MEMS)技术的压阻式绝缘体上硅(SOI)高温压力传感器芯片。压力敏感电阻器与衬底之间采用二氧化硅介质隔离,解决了传统的PN结隔离方式在高温条件下的漏电失效问题。研制的高温压力芯片压力量程为0~2 MPa,室温1 m A条件下满量程输出信号达到100 m V以上,非线性小于0.15%FS,压力迟滞小于0.05%FS。在-55~+150℃温度范围内,零点温度系数小于20μV/℃,灵敏度温度系数小于0.02%FS/℃,零点温度迟滞小于0.1%FS...
作者:齐虹; 丁文波; 张松; 张林超; 田雷; 吴佐飞 期刊:《传感器与微系统》 2019年第02期
针对绝缘体上硅(SOI)异质异构结构特点,提出了两次对准和两次阳极键合工艺方法,实现了圆片级SOI高温压力传感器硅敏感芯片的叠层键合。采用玻璃—硅—玻璃三层结构的SOI压力芯片具有良好的密封性和键合强度。经测试结果表明:SOI高温压力传感器芯片键合界面均匀平整无缺陷,漏率低于5×10-9Pa·m3/s,键合强度大于3 MPa。对芯片进行无引线封装,在500℃下测试得出传感器总精度小于0. 5%FS。
作者:周奉杰; 孔月婵; 顾晓文; 牛斌 期刊:《光电子技术》 2019年第01期
研究了基于绝缘体上硅(SOI)单环以及双环谐振器直通端的滤波特性,分析了直波导-环波导光耦合系数和环间波导光耦合系数对输出特性的影响。本文提出了在谐振器耦合区采用马赫-曾德尔干涉仪(MZI)的改进耦合结构,在微环腔长1 218μm的单环和双环滤波器中,分别在19 mW和9 mW的功率范围内实现谐振器从欠耦合到临界耦合状态的调谐,在0~26 mW的功率范围内,双环滤波器实现了谐振波长一个自由谱范围(FSR)的可调谐滤波特性。
作者:宋文斌; 王莉; 宗杨; 毕津顺; 韩郑生 期刊:《功能材料与器件学报》 2018年第02期
将不同线性能量转移的碳到铜等五种粒子注入晶体管或电路,研究了NMOS和PMOS在不同重离子浓度下的归一化收集电荷。利用TCAD三维仿真研究了体偏置对绝缘体上硅(SOI)CMOS技术单粒子瞬态(SET)的影响。结果发现,单次瞬态特性,包括电荷收集和瞬态脉冲宽度,可以通过合理的体偏置来大幅改善。这一结果可为空间和军事应用中的集成电路加固提供了一种来减轻单粒子瞬态效应的新方法。
作者:邹家轩; 于宗光; 曹晓斌; 袁霄 期刊:《半导体技术》 2019年第08期
针对工业界高速串行接口(SerDes)发射级的驱动器在电离干扰条件下受到单粒子效应(SEE)干扰导致传输出错的问题,分析了经典高速SerDes驱动器结构受SEE干扰的机理,提出了一种采用密勒补偿的互补电流源全差分驱动电路结构,能够显著抑制单粒子效应在驱动器敏感节点上引起的扰动,改善高速SerDes抗SEE干扰的能力。基于所提出的驱动器结构设计了一款3.125 Gbit/s的高速SerDes收发器,并在130 nm部分耗尽型(PD)绝缘体上硅(SOI)CMOS工艺下完...
文章主要写的是芯片存储电路单粒子效应概论,对单粒子效应增加稳定性的方法在芯片存储电路中产生的效应及解决方法进行了调研,外部强磁环境中的高能粒子入射半导体材料时,其轨迹上淀积的电荷将被敏感节点收集,引发单粒子效应。文章针对单粒子效应对电信号的危害,从单粒子效应的建模进行了深入探究。文章主要对一些新型的解决方法给予论述:(1)SEU加固的存储单元结构。(2)电荷共享收集以及对存储单元的影响。完成了从逻辑设计、...
作者:卞玉民; 杨拥军 期刊:《微纳电子技术》 2018年第05期
利用绝缘体上硅(SOI)技术研制了一种可以用于飞行高度测量、气象环境监测和医疗等领域的高精度微电子机械系统(MEMS)电容式压力传感器。利用有限元分析软件对传感器敏感结构进行了结构建模、静力和模态仿真分析。敏感结构为敏感电容和参考电容差动输出形式,可以有效减小温度漂移和重力误差对压力测量准确度的影响。比较了无岛和有岛两种敏感膜的性能差异。为了提高传感器性能,利用成熟的MEMS加工工艺制作了SOI敏感电容极板,并...
作者:杨娇燕; 梁庭; 李鑫; 李旺旺; 林立娜; 李奇思; 赵丹; 雷程; 熊继军 期刊:《微纳电子技术》 2018年第09期
针对绝缘体上硅(SOI)压力传感器平模结构下压敏电阻所在区域应力跨度过大而导致的线性度降低问题,采用了岛膜结构改善敏感膜片表面的应力分布,使压敏电阻能够完全布置在应力集中区,从而提高传感器的灵敏度和线性度。使用有限元分析软件对岛膜结构进行力学性能分析,根据敏感膜片表面应力分布情况确定压敏电阻最优的位置分布,并完成敏感芯片的制备。对完成的敏感芯片进行封装并进行温度-压力的复合测试,测试结果表明在19~200℃、量...
作者:卞玉民; 鲁磊; 杨拥军 期刊:《微纳电子技术》 2018年第06期
基于半导体硅的压阻效应,研制了一种MEMS大量程压力传感器。为了实现大量程压力测量,采用了不锈钢材质制作了压力敏感膜片。利用有限元分析软件对传感器敏感芯体进行了结构建模仿真分析和优化设计。采用玻璃微熔技术将敏感电阻粘结固定在不锈钢敏感膜片上。利用成熟的微电子机械系统(MEMS)加工工艺,完成了可以在高温下工作的绝缘体上硅(SOI)敏感电阻的制作。采用激光焊接方法将敏感芯体焊接到传感器基座上,提高了结构的机...
SOI是指以“工程化的”基板代替传统的体型衬底硅的基板技术,这种基板由以下三层构成:薄的单晶硅顶层,在其上形成蚀刻电路;相当薄的绝缘SiO2中间层;非常厚的体型Si衬底层,其主要作用是为上面的两层提供机械支撑
作者:HOWARDR.HUFF; PETERM.ZEITZOFF; INTERNATIONAL.SEMATECH; 竟成 期刊:《中国集成电路》 2005年第02期
绝缘体上硅(SOI,silicon-on-insillator)作为CMOS的改进技术.于1978年被推出,这种技术能够提高器件速度、降低功耗、减小软误差、抗锁定、减化制造工艺,以及减小器件尺寸。SOI材料最初是用于小规模的利基fniche)市场,主要是军用。而今,已明显扩展了在主流方面的应用。最近几年.SOI已用于各种前沿的集成电路,诸如微处理器、服务器、智能电源(smart power),以及射频信号处理器,一般用部分耗尽的(PD,partially depleted)...