作者:许甫任; 颜诚廷; 洪建中; 李传英 期刊:《电力电子技术》 2017年第08期
介绍了结势垒控制肖特基整流器(JBS)和JBS集成碳化硅金属氧化物半导体场效应晶体管(MOSFET)(SiCJMOS)的特性。JMOS通过将DMOS和JBS合并于单片SiC器件,无需任何额外的工艺和面积。当SiCMOSFET中的寄生体二极管导通时,集成的JBS还可以防止由于注入的少数载流子的复合而导致的位错缺陷转变为堆垛层错的潜在风险。进行特征比较,并构建一个测试平台,以验证SiCJMOS比传统SiCDMOS的效率和可靠性有所提高。实验结果表明,SiCJMOS...
影响因子:1.87
期刊级别:省级期刊
发行周期:月刊
影响因子:1.44
期刊级别:CSSCI南大期刊
影响因子:0.44
发行周期:半月刊
影响因子:0.07
发行周期:旬刊
影响因子:0.65
期刊级别:北大期刊
影响因子:0.35