近日从中科院苏州纳米技术与纳米仿生研究所(以下简称中科院苏州纳米所)获悉,该研究所与多家企业合作,成立了国内首家氮化镓基蓝绿光半导体激光器材料和器件生产企业。这意味着,被国外垄断的蓝绿光半导体激光器将实现国产化。
中科院苏州纳米技术与纳米仿生研究所(以下简称“中科院苏州纳米所”)与多家企业合作,成立了国内首家氮化镓基蓝绿光半导体激光器材料和器件生产企业。这意味着,被国外垄断的蓝绿光半导体激光器将实现国产化。
作者:刘建平 杨辉 期刊:《新材料产业》 2015年第10期
氮化物半导体材料,也称为氮化镓(GaN)基材料,是继硅(Si)、砷化镓(GaAS)之后的第3代半导体材料,包含了GaN、氮化铝(AlN)和氮化铟(InN)及它们的合金(禁带宽度范围为0.7~6.2eV),是直接带隙半导体,