作者:高鹏; 汪东升; 王海霞 期刊:《计算机研究与发展》 2019年第12期
现代存储系统一般是由多个存储芯片通过并列数据线、共享地址线的方式构成的.因此,在多片相变存储芯片并联构成的内存系统中,如果多个芯片间的磨损存在较大差异,那么该系统的寿命将会因短板效应而受到影响.模拟实验和数据分析均确认了这一问题在实际系统中的存在.在此基础上,提出了一种混合内存设计,用于延长相变内存的寿命.该方法引入了一种动态识别机制,可以在每次写入时识别遭受最多磨损的相变存储芯片,并将该芯片未来的写入转...
作者:曲良; 陈岚; 郝晓冉; 倪茂; 李莹 期刊:《电子设计工程》 2019年第21期
在传统终端存储架构中,DRAM内存普遍存在静态刷新功耗高、存储密度难以提升等问题;基于NAND flash的外存也因其与CPU之间巨大的性能差异而成为制约终端系统性能提升的重要瓶颈。新型非易失存储器(Non-volatile Memory,NVM)具有静态功耗低、读写速度与DRAM相近、可按字节访问、非易失等优势,为解决传统存储架构存在的问题提供了希望。本文面向嵌入式系统,提出了基于DRAM+NVM混合内存结构及其存储管理方案。采用目标程序在混合内存中...
作者:张震; 付印金; 胡谷雨 期刊:《计算机工程与科学》 2018年第09期
随着大数据分析应用时效性提升和“存储墙”问题日益突出,存储系统已成为当前计算机系统整体性能的瓶颈。以相变存储器(PCM)为代表的新型非易失性存储器(NVM)具有集成度高、功耗低、读写访问速度高、非易失、体积小和抗震等优良特性,已成为最具潜力的下一代存储设备。然而,写寿命有限是PCM实用化的一道障碍,如何通过减少写操作和磨损均衡以提升PCM使用寿命是当前的研究热点。从减少PCM写操作、均匀写操作分布以及在混合内存中的页...
作者:刘翠梅; 杨璇; 贾刚勇; 韩光洁 期刊:《小型微型计算机系统》 2019年第06期
相变存储器(Phase-change Memory,PCM)具有非易失性、能耗低、密度大等诸多优点,将成为下一代主流存储器.然而,相变存储器的写操作速度慢以及写次数有限的特征限制其立马替代现有主流的双倍速率同步动态随机存储器(DDR系列).为了发挥两种存储介质各自的优势,目前主要采用混合内存的体系结构,该结构不仅包括新型的相变存储器同时还包括传统的动态随机存储器.针对混合内存结构,数据划分变得尤为重要,目前大多数划分算法采用页面迁移...
作者:刘东 张进宝 廖小飞 金海 期刊:《华东师范大学学报·自然科学版》 2014年第05期
提出了一种基于全系统模拟器gem5的混合内存系统模拟器的构建方法.构建混合内存系统模拟器时,首先在gemg5中添加一层混合内存控制器结构,然后引入NVMain中的新型非易失性内存模型与gem5原生DRAM内存模型一起挂接到新添加的混合内存控制器上.实验结果表明,该方法能够实现构建混合内存系统模拟器的目标.
作者:李功 陈岚 郝晓冉 期刊:《微电子学与计算机》 2014年第05期
近些年来,相变存储器(PRAM)凭借其良好的特性极有可能替代动态存储器(DRAM),发展为下一代主流内存技术.由于PRAM在延时和寿命方面的性能退化,因而采用了位于Linux同一物理地址空间的一大块PRAM和一小块DRAM作为主内存.现有的Linux内核并不是针对混合内存架构而开发的,无法降低PDRAM的内存功耗,因而,采用了基于PDRAM混合内存架构的Linux内存管理算法,针对不同页帧进行管理,并根据虚拟地址空间页面的一般访问性质进行选择分配内...