作者:卢佃清; 侯玉娟; 陆金男; 刘学东; 张荣 期刊:《物理实验》 2004年第06期
测量了氢化物气相外延方法生长的非特意掺杂和掺碳GaN外延膜的光致发光谱,并在光致发光谱峰位2.25 eV(550 nm)附近分别测量了光致发光激发谱,对两者进行了比较.从光致发光谱中发现掺碳使黄带明显增强,从光致发光激发谱中看到了掺碳引起的约3.38~2.67 eV(367~465 nn)范围内的特征激发带.利用CC曲线模型说明了特征激发带和黄带之间的关系,分析了黄带的可能起因.
作者:徐庆安; 禹忠; 韦玮; 侯洵 期刊:《化工新型材料》 2005年第08期
利用溶胶-凝胶法合成了Er2O3-Yb2O3-SiO2纳米二氧化硅(SiO2)粉.Er3+和Yb3+直接加入有机酸催化的TEOS反应溶液中,凝胶后经过700~900℃,得到Er3+-Yb3+共掺纳米SiO2粉.样品经过红外光谱、XRD、TEM等分析,结果表明,纳米粉的粒径受有机酸比例和处理温度的影响.在室温PL谱上,样品可观察到较强的1530nm荧光,同时镱的引入对掺铒SiO2纳米粉在1.54μm的荧光发射有增强作用.
作者:栾彩霞; 柴跃生; 孙钢; 马志华; 张敏刚 期刊:《太原科技大学学报》 2005年第02期
用射频共溅射技术和后退火的方法,制备出埋入SiO2基质中的Ge纳米晶复合膜(nc-Ge/SiO2).用XRD对薄膜的晶体结构进行了测试,未经退火的样品呈现非晶状态,600 ℃退火后的薄膜中开始有Ge纳米晶粒出现.研究了薄膜的Raman散射光谱,发现了其红移和宽化现象.测量了薄膜的光致发光谱,所有样品都在394 nm处发出很强的光,随着Ge纳米晶粒的出现,样品有310 nm和625 nm处的光发出,其强度随晶粒平均尺寸的增大而增强.
作者:刘炳灿; 潘学琴; 田强 期刊: 2005年第03期
用半导体量子点的PLE谱分析了光吸收谱的亚结构.用光吸收谱,光致发光谱(PL)和光致发光激发光谱(PLE)对半导体CdSeS量子点玻璃进行了测量.光吸收谱线有明显的量子尺寸效应.PL谱中出现2个发光峰.用PLE谱在光吸收谱的低能侧峰附近探测,发现光吸收谱的低能侧峰附近存在2个峰,其能量间距随着量子点半径的增大而减小,说明了光吸收谱的低能侧峰存在亚结构.证明了PL谱中低能侧峰为缺陷态发光,该峰的PLE谱线说明了该峰的发光来源于1S3/2-1se...
O471.1 2005032330 抛物形量子点中弱耦合极化子的性质=Property of weak- coupling polaron in a parabolic quantum dot[刊,中]/王立 国(内蒙古民族大学物理与机电学院.内蒙古,通辽 (028043)),丁朝华…∥发光学报.-2004,25(6).-625- 628 采用线性组合算符和幺正变换方法研究了抛物形量 子点中弱耦合极化的基态能量和束缚能随有效束缚强度 和电子-体纵光学声子耦合强度的变化关系。通过数值计 算,结果表明,极化子的基态能量和...
O482.31 2005053924 BaFBr:Eu2+中Al3+的最佳掺杂浓度研究=Investigation of optimum of Al3+-doped in BaFBr:Eu2+ by electron paramagnetic resonance[刊,中]/刘永胜(天津理工大学理 学院.天津(300191)),余华∥光电子·激光.-2005,16 (4).-444-446,453 把Al3+掺入BaFBr:Eu2+中,取代了其中部分Ba2+, 这些金属离子将影响到色心F(Br-),使其激发能变小。 通过电子顺磁共振(EPR)谱研究了掺杂Al3+的量值对光 激励发光强度的影响,...
作者:李如永; 段苹; 崔敏; 王吉有; 原安娟; 邓金祥 期刊:《真空》 2019年第03期
本文采用双靶材交替溅射的射频磁控溅射法生长了高质量的Mg掺杂氧化镓薄膜,并将制备的样品在1000℃条件下进行后退火处理,以研究退火前后Mg掺杂Ga2O3薄膜的性质变化。XRD结果表明,退火后的(004)、(202)和(120)峰从无到有,(401)、(601)和(122)峰由强变弱,表明退火改变了Mg掺杂Ga2O3薄膜的结构。AFM结果表明,退火后的薄膜表面均方根粗糙度由1.3637nm增大到17.1133nm。EDS结果表明,退火处理后的Mg元素重量百分比有所提高。紫外可见透...
作者:郑中华; 林建平; 宋孝辉; 熊建辉 期刊:《半导体光电》 2019年第03期
采用简化的种子层制备工艺在ITO基底上制备了ZnO种子层,并使用化学溶液沉积法制备了高度取向的ZnO纳米棒阵列。采用XRD和SEM对ZnO纳米棒的结构和形貌进行表征,并对样品的光学性能进行了测试。测试结果表明,所制备的ZnO纳米棒为c轴择优取向的六角纤锌矿结构,直径为66~122nm可控,且排列紧密,形貌规整。光学性能测试结果表明,吸收光谱在375nm附近表现出强烈的紫外吸收边是由于禁带边吸收引起的;反射光谱具有一定的周期振荡性,可用于薄...
作者:艾汉华; 万淼; 任璐; 段金霞; 黄新堂 期刊:《发光学报》 2005年第05期
利用阳极氧化铝(AAO)模板,采用电化学沉积方法制备出了ZnS纳米线阵列.扫描电子显微镜(SEM)结果显示,AAO模板孔洞分布均匀,孔径基本一致(约50 nm),孔口呈六边形.TEM结果显示硫化锌纳米线的直径约50 nm(与AAM模板孔径一致),长度约为20μm(与AAM模板厚度一致).电子衍射结果表明ZnS纳米线为多晶结构.比较了AAO模板组装ZnS纳米线阵列前后的光致发光谱,所得光谱显示,组装了ZnS纳米线阵列的模板的光致发光谱比没有组装的空模板相比多出两个...
作者:林碧霞; 傅竹西; 廖桂红 期刊:《发光学报》 2004年第02期
为了提高ZnO光发射效率和制备p型ZnO,对热处理的氧分压对薄膜的结构、形貌、光致光发射和ZnO/Si异质结的I-V特性的影响进行了研究.用直流反应溅射法在p型硅衬底上生长ZnO薄膜形成n-ZnO/p-Si异质结.在1000℃下用不同比例的氧和氮热处理,我们发现,在纯氮气中得到的样品有强的紫外发射(390nm),随氧气比例增大,紫外增强,同时绿光也产生并随之增强.但过大的氧分压反而产生多的受主缺陷,使越来越多的激发能量转移到发射能量低的绿光中心,...
作者:袁润章; 薛理辉 期刊:《光散射学报》 2004年第01期
测定并讨论了产自四川冕宁矿区的氟碳铈矿和产自内蒙白云鄂博稀土矿区的黄河矿、氟碳钙铈矿、氟碳铈钡矿的光致发光谱。结果表明,稀土氟碳酸盐矿物在488.0nm和514.5nm激光激发下的光致发光中心是Nd^3+,发光谱中的所有谱带均出自Nd^3+的辐射跃迁。在488.0nm激光激发下,稀土氟碳酸盐矿物在495nm到733nm谱区的发光谱带强而尖锐,但在514.5nm激光激发下,这个谱区的谱带明显变弱或消失。转而出现783nm到907nm谱区的强发光谱带。...
作者:苏付海; 马宝珊; 丁琨; 李国华; CHEN; Wei 期刊:《红外与毫米波学报》 2005年第02期
测量了ZnS:Mn纳米粒子以及相应体材料在不同压力下的光致发光谱.随压力增大,来源于Mn2+离子的4T1-6A1跃迁的桔黄色发光明显红移.体材料和10,4.5,3.5,3 nm的ZnS:Mn纳米粒子中Mn2+发光的压力系数分别是-29.4±0.3和-30.1±0.3,-33.3±0.6,-34.6±0.8,-39±1 meV/GPa,压力系数的绝对值随粒子尺寸减小而增大,该种尺寸关系由晶体场场强Dq和Racah参数B值的尺寸依赖性引起.1nm样品的Mn2+发光的特殊压力行为是因为样品的粒子尺寸比较小,另外,分...
作者:黎大兵; 董逊; 刘祥林; 王晓晖; 王占国 期刊:《人工晶体学报》 2004年第04期
在不同的生长温度和载气的条件下,采用低压金属有机物气相外延方法生长了系列的InAlGaN薄膜,通过能量色散谱(EDS),高分辨X射线衍射(mixRD)和光致发光谱(PL)对样品进行表征与分析,研究了生长工艺对InAlGaN外延层结构和光学性能的影响。发现当以氮气做载气时,样品的发光很弱并且在550nto附近存在一个很宽的深能级发光峰;当采用氮气和氢气的混合气做载气时,样品中的深能级发光峰消失且发光强度明显提高。以混合气做载气,InAlG...
作者:王玉新; 崔潇文; 藏谷丹; 张巍; 宋勇; 李真; 王磊; 赵帅 期刊:《功能材料》 2018年第01期
采用水热合成法以15min的溅射时间,0.7Pa的溅射压强制备的ZnO种子层玻璃片为衬底,制备出具有较好光致发光性能的Al掺杂ZnO纳米棒。采用X射线衍射仪(XRD)、扫描电子显微镜(SEM)和光致发光谱(PL)谱表征了样品的晶体结构、表面形貌和光致发光性能。结果表明,不同的Al掺杂浓度对于ZnO纳米棒产生了一定的影响,适当的Al掺杂使ZnO纳米棒的c轴择优取向更好,改善了ZnO的近紫外发光和蓝色发光特性。其结晶质量随着Al掺杂量的增加而降低...
作者:冯倩; 郝跃; 张晓菊; 刘玉龙 期刊:《物理学报》 2004年第02期
利用扫描电子显微镜、拉曼散射光谱和光致发光谱对在SiC衬底上采用MOCVD异质外延的GaN:Mg薄膜特性进行研究发现:除了一部分Mg原子替代Ga原子呈现受主性外,大部分Mg原子以间隙原子状态(Mgi)存在,并且在缺陷或者位错处大量聚集引起薄膜张力应力减小,薄膜在降温过程中由于应力不均匀会在部分区域内出现大量的裂纹;Mg的掺杂会加剧GaN无序化程度,致使薄膜质量变差;而室温下的PL谱测量表明蓝带发光由DAP(深施主—浅受主)复合引起...
作者:黄凯; 王思慧; 施毅; 秦国毅; 张荣; 郑有炓 期刊:《物理学报》 2004年第04期
从量子限制发光中心模型出发,计算了纳米硅的光致发光(PL)特征与发光中心间的关系.研究发现,纳米硅与发光中心间的内电场对载流子复合率及峰位振荡有着十分重要的影响.在2-5nm的尺寸范围内,纳米硅发光中心上的载流子复合概率远大于内部复合概率,仅需考虑发光中心上的载流子复合发光.还发现发光中心与纳米硅粒子间的内电场对于纳米硅的发光峰位振荡有着显著的影响、发光中心与纳米硅粒子间的内电场的存在会显著减小纳米硅粒...
作者:王引书; 高兴国; 赵亮; 汪艳贞; 王若桢 期刊:《物理学报》 2004年第08期
对掺有镉、硒、硫的玻璃在650--800℃退火4h,生长了不同尺寸的CdS0.13 Se0.87纳米晶体,测量了纳米晶体的吸收光谱、光致发光(PL)谱和电调制光谱,确定了纳米晶体部分电子态的能量,讨论了CdSSe纳米晶体的光学性质与其尺寸之间的依赖关系.随着纳米晶体尺寸的增大,对应激子的吸收峰、PL峰及电吸收信号发生红移,表现出明显的量子尺寸效应.小尺寸纳米晶体的电吸收表现为量子受限的Stark效应,而大尺寸纳米晶体的电吸收线形与体材...
作者:吕惠民; 陈光德; 耶红刚; 颜国君; 谷力; 郭金仓; 孙帅涛 期刊:《光子学报》 2008年第08期
利用AlCl3和NaN3直接反应合成出六方结构氮化铝纳米线.变温光致发光谱显示,在可见光范围内有两个半高宽大约为5nm的尖锐辐射峰,中心波长分别位于413nm和422nm处.同时,在近紫外区还有一个较宽的辐射带,随着温度升高,该辐射峰发生了明显的红移现象,其中心波长随温度线性变化.理论和实验分析表明,413nm辐射与AlN本身性质无关,而422nm辐射峰是与Al有关的两种本征缺陷所致.
作者:马书懿; 张小雷; 杨付超; 黄新丽; 马李刚; 李发明; 赵强; 刘静 期刊:《西北师范大学学报·自然科学版》 2012年第06期
采用射频磁控溅射法制备了ZnO/TiO2/Si薄膜,研究了TiO2缓冲层的不同退火气氛对ZnO薄膜的影响.利用X射线衍射分析(XRD)、紫外-可见分光光度计和荧光分光光度计等技术表征了ZnO/TiO2/Si薄膜的微结构和光学特性.XRD结果表明:沉积在经过O2退火缓冲层上的ZnO薄膜具有最好的c轴择优取向;透射吸收谱显示所有ZnO薄膜在可见光区域的平均透过率超过90%;引入未退火缓冲层后薄膜的光学带隙值增大,而缓冲层在真空、氧气进行退火后薄膜的光学...
作者:赵元黎; 梁二军; 吕晶; 申培红; 姚淑霞 期刊:《激光与光电子学进展》 2004年第01期
用显微共焦拉曼光谱仪采集了乳腺肿瘤组织的拉曼光谱。结果表明,所采集到的是拉曼光谱和光致发光光谱的叠加。不同性质的乳腺肿瘤的拉曼光谱有差异,这些拉曼光谱和光致发光谱的差异对于乳腺肿瘤的癌变研究从分子水平提供了有价值的信息,对应用光谱技术诊断乳腺肿瘤疾病有重要意义。