作者:张小亮; 王兆希 期刊:《北京工业职业技术学院学报》 2019年第04期
用化学沉积法制备硅薄膜时影响成膜质量和速度的因素非常复杂,主要包括气体浓度、流速、温度、压力等,通过研究掺杂气体浓度比例和温度对硅薄膜的成膜质量和成膜速度的影响可知,在一定范围内随着掺杂气体比例的增加成膜速度降低;在其他参数确定时,随着温度的升高,成膜速度提高,孔隙率先降低后增加,即硅薄膜质量先变好再变差。900℃沉积的硅薄膜相对光滑,有一定的致密度,硅薄膜质量较好。实验结果表明:较佳的实验参数为较低的掺杂气...
日本北陆尖端科学技术大学院大学30日宣布,其研究小组开发出能制作大面积硅薄膜“silicene”的技术。这种只有一个原子厚的薄膜,可具备半导体的性质,有望用于制造高速电子线路等。
2001年,我带着报效祖国和家乡、实现人生价值的理想,从大洋彼岸的澳大利亚回到了故土江苏,选择了充满生机和活力的无锡,在领导和各界的关心扶持下, 创办了无锡尚德太阳能电力公司, 经过四年多的艰苦创业,取得了尚可令人欣慰的成绩。我24岁到澳大利亚,在悉尼新南威尔斯大学学习,有幸师从国际太阳能权威、诺贝尔环境奖获得者马丁·格林,进行了十多年晶体硅薄膜电池的研究,在世界上第一个攻克了“如何将硅薄膜生长在
作者:朱建强; 姜英娜; 宋晨路; 韩高荣 期刊:《玻璃》 2005年第02期
采用APCVD工艺,以SiH4为原料在不同温度的玻璃基板上硅质薄膜的制备,采用划痕法测量薄膜与基板之间的附着力,研究了薄膜附着力随基板温度变化趋势.说明了吸附、扩散的增强以及沉积速率的增大等都会导致薄膜附着力的增加.
根据Markets and Markets的消息,有机硅薄膜的市场规模在2018年达到7.94亿美元,预计到2023年将达到10.87亿美元,从2018年到2023年的复合年增长率为6.5%。有机硅薄膜市场的主要参与者包括Wacker Chemie(德国)、Mitsubishi Chemical Corporation(日本)、Elkem(挪威)、Momentive Performance Materials(美国)和DowDuPont(美国),其通过采取扩张、新产品和并购等战略,在市场上建立了稳固的立足点。
作者:杨启鸣; 杨雯; 段良飞; 姚朝辉; 杨培志 期刊:《人工晶体学报》 2017年第12期
采用P型单晶硅片为衬底,并经混合酸溶液腐蚀抛光、清洗后,利用射频磁控溅射镀膜系统在其表面制备非晶硅薄膜;再结合快速光热退火工艺,于N2气氛下480℃退火30min,得到晶化硅薄膜;利用光学金相显微镜、XRD衍射仪和拉曼散射光谱(Raman)仪对单晶硅衬底和晶化硅薄膜进行结构和性能表征。研究了混合酸溶液对单晶硅表面腐蚀效果、籽晶诱导外延生长晶化硅薄膜的物相结构和薄膜带隙。结果表明:采用混合酸溶液腐蚀后得到表面平整、...
作者:张晓丹; 高艳涛; 赵颖; 朱锋; 魏长春; 孙建; 侯国付; 薛俊明; 张德坤; 任慧志; 耿新华; 熊绍珍 期刊:《人工晶体学报》 2005年第01期
本文集中报导了不同硅烷浓度条件下,制备的系列硅薄膜电学特性和结构特性的分析研究.结果表明:随着硅烷浓度的逐渐减小,材料逐渐地由非晶向微晶转变.傅立叶变换红外吸收(FTIR)的测试结果表明:微晶硅材料存在着自然的不稳定性,表现为氧含量随着时间的推移而增多.而且,微结构因子(IR)的结果给出:对于适用于电池有源层的微晶硅材料来说,其IR不能太大,也不能太小,本实验中相对好的微晶硅材料其IR为31%.
作者:郝会颖; 孔光临; 曾湘波; 许颖; 刁宏伟; 廖显伯 期刊:《物理学报》 2005年第07期
采用甚高频等离子体增强化学气相沉积(VHF-PECVD)法,成功制备出从非晶到微晶过渡区域的硅薄膜.样品的微结构、光电特性及光致变化的测量结果表明这些处于相变域的硅薄膜兼具非晶硅优良的光电性质和微晶硅的稳定性.用这种两相结构的材料作为本征层制备了p-i-n太阳能电池,并测量了其稳定性.结果在AM1.5(100mW/cm2)的光强下曝光800-5000min后,开路电压略有升高,转换效率仅衰退了2.9%.
作者:郝会颖; 孔光临; 曾湘波; 许颖; 刁宏伟; 廖显伯 期刊:《物理学报》 2005年第07期
在对不同晶相比硅薄膜的实验研究的基础上,利用有效介质理论估算了这种两相材料的光吸收系数、迁移率寿命乘积及带隙宽度等参量,计算机模拟了不同结晶比硅薄膜电池的伏安特性及光谱响应;结果为随着本征层微晶成分的增多,电池的开路电压逐渐减小,短路电流逐渐增大,本征层的最佳厚度逐渐增大,填充因子有降低的趋势,电池的效率随晶相比的增大而减小.电池的光谱响应曲线表明,随晶相比的增大电池的长波响应明显提高.根据这些模拟结果,分...
作者:王晓强; 陈强; 栗军帅; 杨定宇; 贺德衍 期刊:《真空科学与技术学报》 2004年第06期
用内置式单圈电感耦合等离子体化学气相沉积(ICP-CVD)方法在室温下制备Si薄膜.用傅里叶红外吸收光谱、喇曼光谱、原子力显微镜和分光椭圆偏振谱等测量分析表明,即使在室温下用ICP-CVD也获得了有纳米结晶相的Si薄膜,样品结构与源气体SiH4浓度密切相关.实验结果预示着在高电子密度的ICP-CVD过程中,活性原子集团的形成以及薄膜的生长机理与传统的等离子体CVD过程不同.
作者:孙家祥; 徐同宽; 刘彦军 期刊:《大连工业大学学报》 2017年第02期
运用化学气相沉积技术在不锈钢表面沉积了一层致密的硅薄膜,研究了沉积温度及硅烷气体压力对硅薄膜性能的影响。对沉积的硅薄膜进行了EDS能谱分析,通过SEM扫描电镜对硅薄膜微观形貌进行表征,并对沉积硅薄膜的不锈钢样品进行电化学分析,研究了硅薄膜对不锈钢抗腐蚀性能的影响。结果表明,化学气相沉积温度为390℃、硅烷气压为10kPa时金属表面形成的硅薄膜防腐性能最佳。
摩尔定律预测,只需不断缩小芯片尺寸,芯片密度就能持续增加。但不幸的是,随着硅片层厚度缩小至纳米级,它们的电阻趋于增大,影响了密度进一步增加的效用,潜在阻碍了摩尔定律。威斯康辛大学研究人员偶然发现了扭转这一趋势的表面处理方法,使纳米级硅薄膜变薄时传导性更佳,从而将摩尔定律延伸到原子尺寸。
据媒体报道,纽约罗切斯特大学的研究人员不久前开发出一种可控制孔径的超薄硅薄膜,并用它们分离蛋白质。这种薄膜的厚度达到分子水平,能使运输速度达到最大,蛋白损失降至最低,但却十分坚固。其制造成本不高,所采用的硅平台使得它们非常适合用于微流体设备中。
作者:张正元; 徐世六; 冯建; 胡明雨 期刊:《传感技术学报》 2006年第05期
对硅基MEMS的可动部件很多都是采用在带图形的硅衬底上制备的硅薄膜通过深槽腐蚀释放获得的特点,开展在带图形的硅衬底上制备硅薄膜技术研究,得到一种通过两次硅硅键合、减薄抛光、一次湿法腐蚀硅相结合的在带图形的硅衬底上制备硅薄膜的有效方法,该方法制备出了的薄膜厚度为10 μm,均匀性为±0.5μm,达到了厚膜SOI材料制备的指标要求,硅薄膜完好率达到70%以上,为硅基MEMS的可动部件的制备打下了坚实的基础.
精工爱普生公司(Seiko Epson)与JSR公司共同开发了一种采用液态涂布和喷墨成形工艺的硅薄膜。这种硅薄膜是一种低温多晶硅TFT(薄膜晶体管),其性能可与采用传统CVD(化学气相沉积)方法生产的薄膜相媲美。这种新型材料是一种氢和硅的高级硅烷混合物,它可以被有机溶剂溶解。
作者:刘少林; 邹兆一; 庞春霖; 付国柱; 邱法斌 期刊:《液晶与显示》 2006年第05期
目前有源平板显示领域主要采用PECVD法制备TFT用硅薄膜,但是由于PECVD中等离子对Si薄膜的损伤以及淀积薄膜的温度很高的缺点,使其在制备高迁移率TFT的应用中受到了限制。新出现的催化化学气相淀积法(Cat-CVD)与PECVD法相比,具有淀积速率高、原料气体利用效率高、衬底温度低、生长的薄膜致密、电学特性好等优点,将更有希望成为TFT用硅薄膜制备的新技术。文章对Cat—CVD法的工作机理及其在TFT中的应用进展进行了详细总结,归纳...
作者:张丽伟; 赵剑涛; 杨根; 李红菊; 郭学军; 卢景霄 期刊:《半导体光电》 2007年第01期
用Raman散射谱研究了以SiH4/H2为气源,用等离子体增强化学气相沉积技术,低温制备的一系列硅薄膜的微结构特征。结果表明:在常规气压和常规功率下,衬底温度在200~500℃之间,存在结晶最佳点,400℃结晶效果相对最好;在高压高功率下沉积和常压常功率下沉积相比,高压高功率更有利于薄膜晶化;低温短时的高气压高功率沉积,玻璃衬底与铝覆盖的玻璃衬底相比,玻璃上的硅薄膜晶粒尺寸更大,而铝覆盖的玻璃衬底上的硅薄膜的晶化率更...
作者:张丽伟; 张松青; 卢景霄; 杨仕娥; 文书堂; 杨根; 郭学军; 李瑞 期刊:《可再生能源》 2006年第06期
利用等离子体增强(PECVD)法和快速热处理(RTP)法分别在玻璃衬底上制备了硅薄膜.用光谱测试仪器,对2种方法制备的硅薄膜进行了研究.结果显示,各种制备参数对增大薄膜晶粒尺寸存在一个最佳点;总的来说,RTP法制备的晶粒尺寸大于PECVD中制备的晶粒尺寸.
作者:王岩; 韩晓艳; 任慧志; 侯国付; 郭群超; 朱锋; 张德坤; 孙建; 薛俊明; 赵颖; 耿新华 期刊:《物理学报》 2006年第02期
采用RF-PECVD技术,通过改变反应气体的硅烷浓度制备了一系列不同晶化率不掺杂的硅薄膜材料,研究了工艺变化对材料结构的影响及材料光电特性同微结构的关系.随后进行了光衰退试验。在分析光照前后光电特性变化规律的基础上,认为材料中的非晶成分是导致材料光电特性衰退的主要原因.在靠近过渡区非晶一侧的硅材料比普通非晶硅稳定,衰退率较少;高晶化率微晶硅材料性能稳定,基本不存在光衰退;在靠近过渡区微晶一侧的硅材料虽然...