组织部门:江苏省市场监管局抽查范围:本次共抽查LED读写台灯产品53批次,其中在生产企业抽样3批次,市场实体店购样25批次,电商平台购样25批次时间:2019年8月抽查概况:对产品的结构、内部和外部接线、防触电保护、耐久性试验和热试验、耐热/耐火和耐起痕、电源端子(骚扰电压).
作者:钱福丽; 王光华; 杨启鸣; 段良飞; 高思博; 王灿; 周允红; 段瑜; 季华夏 期刊:《红外技术》 2019年第10期
本文设计了一种磷光顶发射结构制备单色高亮绿光OLED微型显示器件,器件结构为:ITO/2-TNATA/NPB/MCP:Ir(ppy)3/Bphen/LiF/Mg:Ag。为获得低功耗、高亮度的绿光OLED微型显示器件,采用开口率大、益于集成的顶发射结构器件,并对发光层掺杂机制进行实验研究,通过改变掺杂比例获得较佳的器件性能。研究表明,在掺杂比分别为1.0%、1.5%、1.8%、2.0%、2.3%、2.5%的绿光OLED器件中,2.0%的掺杂器件较其他比例的性能更优,通过进一步优化掺杂研究...
作者:方正; 王大镇; 许志龙; 杨星; 李煌 期刊:《微纳电子技术》 2019年第11期
针对在单晶硅片表面制备陷光织构可提高吸光率,但同时将导致光生伏特效应被削弱的问题,定义了电池的光学特性系数和电学特性系数,以表征电池光电特性。通过采用不同的化学制绒工艺参数,在单晶硅片表面获得不同尺寸的表面织构,分析了织构平均高度对电池光电特性和转换效率的影响规律。结果表明:随着单晶硅片表面织构平均高度的增大,单晶硅电池的光学特性系数呈现先升高再降低的规律,电学特性系数呈现逐渐减小的规律;基于中型金字塔...
硅纳米片是一种具有非凡光电特性的二维(2D)薄层,非常类似于石墨烯,然而,它们的本质并不稳定……德国慕尼黑理工大学(Technische Universitat Munchen,TUM)的研究团队设计了一种复合材料,由硅纳米片和能够抗紫外光且易于加工处理的聚合物组成。这项新发现使硅纳米片更接近于工业化,可用于软性显示器面板或光传感器等应用。
液晶就像有生命的物体,在一定的温度范围内才能表现出活力四射的光电特性。科学家发现,从自然界到人造工业,高分子液晶聚合物有广阔的应用前景。甚至连生命系统,也离不开液晶的身影。
采用溶液旋涂方法将单壁碳纳米管与有机红光材料结合并制作出红光探测器,研究了单壁碳纳米管对PBDTTT-F∶PCBM本体异质结活性层薄膜的影响机理及其红光探测器的光电特性.利用原子力显微镜,荧光光谱和紫外-可见吸收光谱等方法对器件进行性能表征及优化.当单壁碳纳米管为最优掺入比1.5wt%时,在-1V偏置电压时,红光光照下该探测器响应度为535mA/W,比探测率达到3.8×10^12 Jones,外量子效率达到104%.结果表明,将单壁碳纳米管与有机红光材...
本文对哈三电厂600MW机组锅炉火检一直不稳定的原因进行了详细的分析,同时结合现场实际情况对原火焰检测装置提出了科学的改进方法,并对改进后火焰检测装置现场应用情况进行了总结。
作者:林伟; 吴雅苹; 李德鹏; 卢诗强 期刊:《物理实验》 2018年第11期
采用APSYS软件设计渐变Al组分隧穿结,利用渐变组分间带阶结合AlGaN材料先天存在的自发极化和压电极化调控能带,增强载流子扩散-漂移联合运动方式,有助于增大载流子在隧穿结内的迁移隧穿概率.经过优化,p+-AlGaN中Al组分自下而上线性地由0.45渐变到0.70,n+-AlGaN中Al组分自下向上线性地由0.70渐变到0.45.器件I-V曲线在开启电压以上,呈现近线性关系,表明渐变Al组分隧穿结深紫外LED器件表现出更佳的电注入特性,297nm室温电致发光峰强度...
作者:唐元洪; 裴立宅 期刊:《中国有色金属学报》 2004年第F01期
采用激光烧蚀法制备了磷掺杂硅纳米线和硼掺杂硅纳米链,并运用透射电子显微镜(TEM)、近边X射线吸收精细结构光谱(NEXAFS)、X射线光电子能谱(XPS)及场发射(FE)测量等对其进行了研究。结果表明:硅纳米线包覆在二氧化硅层中及其核心由磷掺杂的晶体硅构成,磷不仅存在于硅纳米线的核心内,也存在于二氧化硅与硅核心的相界面上;硼掺杂硅纳米链的外部直径约为15nm,由直径11nm的晶核和2nm的无定形氧化物外层构成的晶格所组成,其粒间...
作者:张涛; 洪瑞金; 张大伟; 陶春先 期刊:《光学仪器》 2018年第02期
采用直流磁控溅射法,以柔性PET(聚对苯二甲酸乙二醇酯)为基底,通过参数优化以求在室温下制备高性能ZnO/Ag/ZnO多层薄膜。实验中,使用X射线衍射仪(XRD)、原子力显微镜(AFM)、紫外-可见分光光度计、四探针电阻测试仪等仪器分别对ZnO/Ag/ZnO多层薄膜的微观结构、表面形貌、透过率及方块电阻进行测试及表征。结果表明,随着Ag层厚度增加,薄膜方块电阻急剧下降,通过改变ZnO层厚度,可有效调节薄膜光学性能,随着ZnO层厚度增加,可见光...
作者:梁耀廷; 崔敬忠; 达道安; 刘向; 李智 期刊:《真空与低温》 2004年第02期
用磁控反应溅射法制备出具有红外敏感特性的氧化钒薄膜,进行了薄膜光电特性的测试.通过AFM和XRD对薄膜的结构和特性进行分析研究,并给出了沉积参数对薄膜性能的影响.
作者:刘靖; 仲琳; 杨亚丽; 郑光恒 期刊:《电源技术》 2019年第09期
激光供能系统由光源、光导纤维、光电转换器件等组成,是应用于高电压、强电磁干扰等极端恶劣环境下的光电能量传输系统,能实现安全可靠光电转换。光纤绝缘好、质量轻,在电力系统特别是光电式电流互感器中得到越来越广泛的应用,激光供能系统关键件是光电转换器件。以典型波长为808nm激光光源的光电转换器件(光电池)为实验对象,通过实验及仿真分析发现激光功率密度、温度能影响光电池的伏安特性及光电转换效率。
以LED阵列为基础,分析了LED光源的综合特性,针对其当前在技术上和产业上的发展趋势,探讨LED光源用于建筑照明,并取代传统光源的可能性.
作者:王雪婷; 付钰豪; 那广仁; 李红东; 张立军 期刊:《物理学报》 2019年第15期
近年来,有机-无机杂化卤化物钙钛矿材料(ABX3)由于具有优异的光电性质,受到了材料、能源等领域的广泛关注.但是,卤化物钙钛矿存在两个明显阻碍其商业化应用的问题:热稳定性差和含有有毒的铅(Pb)元素.相比于有机-无机杂化卤化物钙钛矿,全无机卤化物钙钛矿通常拥有更好的热稳定性.同时,采用一些无毒的元素部分替代B位的Pb,可以在保持优异光电特性的同时减小材料的毒性.本文结合无序合金结构搜索方法和第一性原理计算,系统研究了Ba掺...
作者:祁洪飞; 戴松喦; 刘大博; 王锦鹏 期刊:《稀有金属材料与工程》 2017年第10期
采用RF磁控溅射技术在石英衬底上生长了厚度可调的锐钛矿相TiO_2薄膜,继而采用光刻技术在薄膜上生长了Ag叉指电极,获得了MSM结构TiO_2基紫外探测器。I-V特性测试结果表明,Ag与TiO_2之间表现出优良的欧姆接触特性,所制备探测器为欧姆接触。此外,TiO_2薄膜厚度对探测器的光电性能影响显著,当薄膜厚度达到197 nm时,光电性能达到最高。此时,光电流高出暗电流近2.5个数量级,紫外光区的响应度高出可见光区近2个数量级。所制备Ag/TiO_2MSM...
作者:杨丰帆; 王万录; 廖克俊; 付光宗; 张瑞俭; 曹春兰 期刊:《真空》 2004年第03期
研究了直流磁控反应溅射制备三元化合物CdIn2O4薄膜(简称CIO膜)的光电性质和温差电动势,及其反应气体中氧浓度和退火处理对CIO膜性质的影响。结果表明CIO膜在可见光区有良好的导电性和透光性,退火处理明显提高了膜的透光率和载流子浓度,这一影响对CIO的广泛应用具有重要的意义。
作者:王玉新; 崔潇文; 臧谷丹; 赵帅; 李真; 王磊; 丛彩馨 期刊:《光电子激光》 2019年第02期
采用超声喷雾热解法在石英玻璃衬底上,在衬底温度为440℃,喷嘴到衬底距离为4 cm,掺杂原子(Zn∶Mg∶Sn)比例为97.6∶2∶0.4,载气流量为0.8 L/min的固定条件下,制备了不同薄膜沉积时间(5 min、7 min、9 min、11 min)的Sn-Mg共掺的ZnO薄膜。并用X射线衍射仪(XRD)、扫描电子显微镜(SEM)、光致发光谱(PL)、紫外可见分光光度计(UV-VIS)、薄膜测厚仪(SCG-10)和伏安特性曲线(I-V)对薄膜的结构、表面形貌、发光性能、透过率、膜厚和电学性能...
作者:李祯; 杨得草; 李尔波; 岳建设 期刊:《人工晶体学报》 2019年第02期
为了降低PLZT铁电薄膜的结晶温度,使用溶胶-凝胶法配合紫外光辐照的光化学工艺,在单晶硅基板上低温制备了PLZT铁电薄膜。经过紫外辐照过的凝胶膜可以在400℃促使PLZT获得良好的铁电性能,剩余极化强度为12.3μC/cm2。紫外辐照过的薄膜可以在低温下有效地分解金属醇盐,形成活性金属氧化物,保证材料低温结晶。辐照过程中产生的臭氧可以带走薄膜中的残炭,使得薄膜具有良好的铁电性能。低温制备的PLZT铁电薄膜获得了稳定的光电流和较好的...
作者:付少华; 秦靓; 张小娴; 王瑞; 唐东升; 裘晓辉 期刊:《科学通报》 2019年第04期
近年来,有机-无机范德瓦尔斯异质结由于其低成本加工和高性能而在光电应用领域引起了极大的关注.无机的二维材料具有光暗电导比高、载流子迁移率高、稳定性高以及使用寿命长等优点,但是其吸收带窄、可选材料较少、生产成本高;而有机材料具有低成本、透明、柔性、重量轻和易加工等优点,但其介电常数低、载流子迁移率低.如果通过合理的界面设计将二者相结合,扬长避短,有望获得更加优良的光电性能.目前国际上已有多个研究组在这个领域...
作者:胡慧敏; 魏杰; 周洪宇; 苏静杰; 于成龙; 张强; 马锡英 期刊:《微纳电子技术》 2017年第12期
主要研究了硒化钼(MoSe2)薄膜的制备及其光电特性。以硒化钼粉末作为原料、采用化学气相沉积(CVD)法在Si衬底上沉积硒化钼薄膜。利用原子力显微镜(AFM)、X射线衍射仪(XRD)、霍尔效应仪和UV-3600分光光度计分别表征了硒化钼薄膜的表面形貌﹑晶体结构﹑光吸收特性和MoSe2/Si异质结的光电特性。分析可见所制备的硒化钼薄膜由柱状生长的硒化钼纳米颗粒构成,且这些纳米颗粒具有很强的垂直生长的取向。另外,还发现该硒化钼薄膜对...