作者:黄圆; 杭春进; 田艳红; 王晨曦; 张贺 期刊:《机械工程学报》 2019年第24期
一种温和的两步液相法制备的纳米铜银核壳颗粒,实现了均径为6.9 nm的小尺寸纳米银颗粒包覆在均径为57.5 nm的纳米铜颗粒的表面,采用扫描电子显微镜、透射电子显微镜和高分辨率射像对其结构进行了表征。采用模板印刷法制备铜基板/纳米铜银核壳焊膏/铜基板三明治结构,研究了脉冲电流对三明治结构的剪切强度大小和微结构特征的影响。试验结果表明脉冲电流烧结纳米铜银核壳焊膏连接Cu-Cu基板可在短时间(小于200 ms)内快速获得高致密度...
作者:李许军; 坚葆林 期刊:《集成电路应用》 2020年第02期
传统硅材料器件在高温、高压、高开关频率等诸多应用领域受到限制,而以碳化硅SiC为代表的新型宽禁带半导体材料出现,突破了电力电子器件的发展瓶颈,成为未来功率半导体器件发展的必然趋势。探讨高压SiC器件的发展和现状,通过SiC材料和硅材料的性能比较,分析SiC的优点,以及SiC器件在变换器设计中应用的技术和面临挑战。
在科技水平不断提升的情况下,功率集成电路出现了高速的发展态势。在功率集成电路中,音频功率放大器属于重要的构成部分,在消费类电子产品领域中具有广泛的应用。作为全球最大的消费类电子商品市场以及生产的基地,对于音频功率放大器的需求在不断的增多,而且要求标准越来越多。本文对于音频功率集成电路和功率器件展开研究,为实践工作提供有价值的参考。
作者:万萌; 应展烽; 张旭东 期刊:《南京理工大学学报》 2019年第06期
为了提高功率器件结温控制精度,提出了功率器件主动热控制的参数优化方法。基于功率器件主动热控制原理和热网络模型,构建比例-积分(PI)参数优化的目标函数。利用遗传算法对目标函数进行求解,获得最优PI参数。为了验证方法的有效性,以功率MOSFET构成单相全桥电路,以电流动态限幅为手段,在不同的电流限幅最大值、器件初始结温和环境温度等情况下,对功率器件进行了主动热控制仿真与实验。结果表明,该文PI参数优化方法能够提升功率器...
本书介绍了逆变式弧焊机相关的基本电路、功率器件、高频变压器设计及铁磁性材料、高频电容器、PWM集成控制电路、电流传感器、新型绝缘材料等基础知识,同时对逆变式弧焊机发展过程中存在的可靠性、节能、电磁兼容等一系列热点问题进行了探讨和论述,并通过对目前具有代表行的各种逆变式弧焊机的具体描述,反映其市场动态和现状,跟踪逆变式弧焊机的最新发展趋势和法规标准要求,为逆变式弧焊机的制造企业、用户、研发人员等各个层面的...
作者:刘珂; 高文凯; 洪迪峰 期刊:《石油机械》 2019年第11期
随钻仪器工业级功率器件是井下电路不可缺少的电子元器件,其自身发热量大,而井筒的高温环境不利于热量扩散,造成其温升过高导致性能下降甚至损坏,从而影响随钻测量。对其进行温度控制,拓展其工作温度上限很有必要。鉴于此,设计了一种随钻仪器功率器件温控试验系统。通过试验研究获取数据,借助最小二乘法建立温控模型,预测随钻仪器工业级功率器件拓展应用温度上限。研究结果表明:在85℃环境中,通过温控试验系统,可将模拟功率器件所...
作者:盛况; 董泽政; 吴新科 期刊:《中国电机工程学报》 2019年第19期
碳化硅(silicon carbide,SiC)功率器件作为一种宽禁带器件,具有耐高压、高温,导通电阻低,开关速度快等优点。如何充分发挥碳化硅器件的这些优势性能则给封装技术带来了新的挑战:传统封装杂散电感参数较大,难以匹配器件的快速开关特性;器件高温工作时,封装可靠性降低;以及模块的多功能集成封装与高功率密度需求等。针对上述挑战,论文分析传统封装结构中杂散电感参数大的根本原因,并对国内外的现有低寄生电感封装方式进行分类对比;罗...
在路上,看见过繁花似锦。在路上,看见过荆棘满地。在路上,看见过阳光烂漫。在路上,看见过狂风暴雨。在路上,看见过成功喜悦。在路上,看见过挫折不屈。年轻的伺服,在成长的路上。充满热情和动力行走在发展的路上,并在行程中成长蜕变。现代交流伺服系统,经历了从模拟到数字化的转变,数字控制环已经无处不在,据相关调查数据显示国际厂商伺服产品每5年就会换代,新的功率器件或模块每2~2.5年就会更新一次,新的软件算法则日新月异,产品...
赛米控公司的SEMITOP将多个芯片,例如IGBT、二极管、输入整流桥等集成在一个单个的模块中。高集成度封装减少了器件数量和分立功率器件方案所需的巨大空间,同时还保证了
中压变频器不象低压变频器一样具有成熟的一致性的拓扑结构,而是受限于功率器件的耐压,出现了多种拓扑结构。中压变频器主电路结构早期采用低压变频器和输入输出变压器组成“高一低一高”方案,这种方案实质上还是低压变频器,只不过从电网和电机两端来看是高压的,存在中间低压环节电流大,变频器输出含有高次谐波和直流分量,升压变压器须特殊设计,两个变压器的有较大损耗,
作者:周国明; 王建平 期刊:《水下无人系统学报》 2016年第01期
电动力鱼雷动力系统设计的关键环节之一就是利用功率器件组成逆变桥进行逆变电路的设计,而功率器件在开通、关断瞬间会承受较大的电流变化率、电压变化率以及电压电流尖峰,这些工作参数如果超出器件的安全工作区,将会导致器件损坏,因此需要设置缓冲电路。首先以绝缘栅双极型晶体管(IGBT)为例分析了功率器件的开关工作过程,比较了不同结构缓冲电路的应用领域及其优缺点,并进行了对比分析、理论推导和仿真试验,仿真结果表明,电阻电...
VDMOSFET(Vertical Double-diffused Metal Oxide Semiconductor)功率器件不同于传统数模集成电路中器件,除了基本的静态和交流特性以外,UIS(非箝位感性负载开关)雪崩耐量(Eas)也是功率器件重要的衡量指标。非箝位感性负载开关过程所引起的VDMOS器件失效是VDMOS在应用过程中最主要的失效形式。故而,提高非箝位电感开关雪崩耐量的研究具有极为重要的意义。本文通过对工艺及器件结构的优化,使VDMOSFET的UIS雪崩耐量在不增加工...
绝缘栅场效应晶体管场效应晶体三极管简称为场效应管,是一种利用外加电压产生的电场强度来控制其导电能力的一种半导体器件。本文通过对我国功率MOSFET中的绝缘栅场效应晶体管领域及其下属的沟槽栅极MOSFET领域的专利申请趋势、申请人及技术分布进行了分析,为我国绝缘栅FET的发展提供参考。
作者:姚建豪; 陈祥云; 周书勤; 周春堂 期刊:《石油管材与仪器》 2004年第B04期
随着油田开发进入中后期,稠油的开采比例越来越高。感应加热系统对油管内稠油连续加热,以克服稠油在油管内的流动阻力。文章介绍了感应加热采油技术的工作原理及感应加热电源的电路结构。采用IPM全桥逆变器变换,选择单片机和PWM控制器控制模式,可使原油温度控制在50℃~70℃。现场应用表明:该系统运行稳定可靠,增产效果显著。
IR公司宣布在中国西安的新厂正式投产。新的封装和测试工厂将生产功率器件,以满足市场对电源、智能电机控制产品的需求。
作者:张少芳; 林震 期刊:《电子元器件应用》 2004年第04期
介绍FAIRCHILD公司的A-FET类和B-FET类功率器件,分析它们的结构、特点及参数的异同,为整机设计用户提供参考。