作者:SteveMappas 期刊:《今日电子》 2004年第02期
概述 电源设计人员通过正确匹配MOSFET在驱动时的门极驱动电压,有时能够获得额外的效率提高.采用较高的电压驱动MOSFET门极将导致较低的关联导通电阻Rds(ON),直到低至某一特定值.在众多高电流隔离式电源应用中我们可以发现,这对低电压高电流VRM设计以及控制驱动的同步整流器而言是十分有益的.在同步降压电源应用中,降低MOSFET导通电阻对同步整流器而言十分关键,因为多数情况下,快速恢复式整流电流通过MOSFET通道电阻所造成的功率损...
影响因子:1.87
期刊级别:省级期刊
发行周期:月刊
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