作者:李国熠; 滑育楠; 邬海峰 期刊:《电子世界》 2018年第10期
本文在分析目前GaN高功率微波器件研究现状的基础上,总结了GaN高功率微波器件及芯片的关键技术和发展趋势,仅供相关领域的学者参考。
作者: 期刊:《军民两用技术与产品》 2011年第01期
中国科学院等离子体物理研究所经过近两年的努力,成功研制出达到国际先进水平的稳态高功率微波测试系统。该微波测试系统在试验中检测到的入射功率达258千瓦.反射功率为330瓦.是世界上唯一能够稳定实现这一功率且功能最齐备的微波测试系统:其不仅可测试速调管.还可测试各种驻波情况下的高功率微波器件。
作者:孙会芳 李瀚宇 姜幼明 董烨 董志伟 周海京 期刊:《强激光与粒子束》 2014年第04期
为克服全电磁粒子模拟(PIC)程序不利于优化设计的弱点,提高高功率微波器件的优化设计水平,将遗传算法与全电磁粒子模拟算法有机融合,研制出二维全电磁粒子模拟并行优化程序.据此对高功率微波源器件——两个波段的磁绝缘线振荡器(MILO):C-MILO和L-MILO进行优化设计.在输入功率不变的条件下,原C-MILO效率为10.8%,经优化后效率为15.4%;原L-MILO效率为12.6%,经优化后效率为17.7%.由此得出,两类MILO模型经优化后在输入功率基本...