作者:陈均优; 张庆猛; 谭飞虎; 周敏 期刊:《稀有金属》 2019年第09期
通过熔融-快冷-可控结晶技术,成功制备出同时含有铌酸盐和钛酸盐陶瓷相的BaO-SrO-PbO-TiO2-SiO2-Nb2O5纳米复合介电材料,并研究了不同SiO2含量对该玻璃陶瓷介电性能的影响。研究结果表明:800℃晶化处理后,玻璃基体中析出了Pb2Nb2O7,(Ba,Sr,Pb)Nb2O6和(Sr,Pb)TiO3 3种晶相;随着结晶温度升高,烧绿石结构的Pb2Nb2O7相消失,在900℃和1000℃结晶处理的样品中,只析出(Ba,Sr,Pb)Nb2O6和(Sr,Pb)TiO3两种晶相。另外, SiO2含量的调整没有改变...
陶瓷电容器是以陶瓷材料为介质的电容器总称,品种繁多,外形尺寸相差甚大。按使用电压可分为高压、中压、低压3种陶瓷电容器。按温度系数、介电常数不同又可分为负温度系数、正温度系数、零温度系数、高介电常数、低介电常数5种陶瓷电容器。一般陶瓷电容器和其他电容器相比,具有使用温度较高、比容量大、耐潮湿性好、介质损耗较小、电容温度系数可在大范围内选择等优点。广泛用于电子电路中,用量十分可观。下面将介绍3种常见的陶瓷...
作者:陈涛; 王经文; 魏楠; 吴聪聪; 李淑琴 期刊:《广州化工》 2010年第04期
以聚氨酯弹性体(Polyurethane Elastomers,PUE)为基体,以具有高介电常数的铜酞菁齐聚物(Copper phthalocyanine oligomer,CuPc)为填料,并且为改善两者的相容性,通过化学方法将部分CuPc接枝到聚合物链上,制备了具有高介电常数的聚合物基纳米复合材料。在100Hz时,CuPc含量为15wt%的纳米复合材料的介电常数高达440左右,是PUE与CuPc简单共混物的8倍多。介电常数的迅速提高归功于CuPc粒子在纳米复合材料中分散性的改善与粒...
作者:温阿利; 朱基亮; 范平; 马海亮; 张乔丽; 袁大庆 期刊:《原子能科学技术》 2019年第06期
关于CaCu3Ti4O12陶瓷的高介电常数机理,目前广泛接受的是非本征的内阻挡层电容模型。该模型认为在多晶中元素变价、缺陷和非化学计量比等导致的半导化晶粒被绝缘晶界层,即内阻挡层所包围。其中内阻挡层的厚度对材料的介电性能影响较大,而扫描电子显微镜(SEM)测试表明样品晶界呈稀烂的果酱状,SEM难以测量晶界区域绝缘内阻挡层厚度。本文采用正电子湮没技术表征其厚度,通过对CaCu3Ti4O12陶瓷共掺不同浓度的Al、Nb(CaCu3Ti4-xAl0.5xNb...
聚合物基薄膜储能电容器因其具有较高功能密度和超快的充放电响应时间,是脉冲功率技术、电磁炮及激光等高能武器系统无可替代的核心储能器件,以及在可再生能源转化储存、混合动力汽车等领域也得到广泛的应用。但聚合物本身的介电常数较低、极化强度低等问题,限制了其储存电能的能力。目前,科学家们采用在高击穿场强聚合物中加入具有高介电常数无机填料的方法来制备具有高储能密度的复合电介质材料,但高体积分数陶瓷颗粒的引入...
作者:徐静; 何波 期刊:《电子显微学报》 2019年第01期
添加稀土元素是提高Ba0.67Sr0.33TiO3陶瓷材料介电性能的一种最常用有效的方法。本文着重研究了La掺杂诱发Ba0.67Sr0.33TiO3高介电常数机制。研究表明:适量的稀土La掺杂(0.2≤x≤0.7)使陶瓷介电常数显著提高,显著改善了介电温度稳定性。根据电流-电压(J-V)特性可知,适量La掺杂可使陶瓷达到最佳半导化,掺量太少或太多时陶瓷具有良好绝缘性。通过肖特基(Schottky)势垒模型及电学微观结构模型分析发现表面或晶界势垒高度、耗尽层厚度...
作者:王黎明; 叶维平; 梅红伟; 关志成 期刊:《高电压技术》 2018年第09期
目前国内外关于流注在冰层表面传播特性的研究还比较少,少数学者研究了在棒板电极结构下不均匀场中冰面流注的传播特性。为此在冰箱冷冻室内利用"三电极"结构研究了均匀场下冰层表面流注的传播特性,利用3个光电倍增管来观测流注在表面的传播过程。分析了流注在冰层表面传播过程中2个分量的变化情况。测量了流注的传播概率,通过数据拟合得到了流注的稳定传播场强;计算了在不同外加电场条件下流注在冰层表面的传播速度;测量了流注...
作者:郑兴华; 陈湘明; 梁柄亮 期刊:《电子元件与材料》 2005年第09期
将温度系数相反的钛酸钕钙(CNT)和钛酸钕锂(LNT)进行复合,中温下(1 200℃)烧结获得了εr>100的CNT-LNT微波介质陶瓷.该陶瓷为斜方结构的CaTiO3基固溶体单相.介电常数随x增加先增加后减小,在x=0.5处最大.Q·f值和谐振频率温度系数随LNT含量增加而线性下降.中温下制备了性能良好的CNT-LNT系微波介质陶瓷,如x = 0.6时微波性能为:εr=123.9,Q·f =1 500 GHz,τf=12.0×10-6℃-1.
作者:马春雨; 李智; 张庆瑜 期刊:《功能材料》 2004年第04期
在氧气和氩气的混合气体中,在O2/Ar混和气总流量固定的条件下,通过调节O2/Ar流量比,采用反应RF磁控溅射法制备了具有高介电常数的氧化锆薄膜.通过透射电子显微镜(TEM)和原子力显微镜(AFM)研究了O2/Ar流量比与薄膜微观组织和结构、表面平整度之间的关系,并测试分析了在不同O2/Ar流量比下溅射沉积的Al/ZrO2/SiO2/n型Si叠层结构的G-V特性曲线.实验结果表明O2/Ar流量比与薄膜微观组织和结构有一定的关系.纯氧气氛下沉积的ZrO2薄膜基本...
随着微电子技术的不断发展,MOSFET的特征尺寸已缩小至100nm以下,SiO2作为栅介质材料已不能满足技术发展的需求,因此必须寻求一种新型高K的介质材料来取代SiO2.当今普遍认为Hf基栅介质材料是最有希望取代SiO2而成为下一代MOSFET的栅介质材料.综述了高K栅介质材料的意义、Hf基高K栅介质材料的最新研究进展和Hf基高K栅介质材料在克服自身缺陷时使用的一些技术;介绍了一款由Hf基高K介质材料作为栅绝缘层制作的MOSFET.
美国Aviza科技公司和澳大利亚SEZ集团日前就在利用ALD(Atomic Layer Deposition,原子层沉积)技术形成高介电常数(high-k)膜时,对附着在晶圆顶端或背面而造成组件污染的薄膜进行清除的技术达成了合作协议。
作者:戴昭波; 王五松; 褚涛; 张元松; 燕周民 期刊:《材料保护》 2016年第S1期
采用传统的固相烧结法制备了三元系Pb0.82Sr0.13Ba0.05(Sb1/3Nb2/3)0.02(Zr1/2Ti1/2)0.98O3-wBi2O3(PSN-PZT-wBi)压电陶瓷,并研究了Bi3+掺杂对压电陶瓷电性能的影响。结果表明,当Bi2O3掺杂量在0.25wt%时,PSN-PZT压电陶瓷具有最优异的电学性能:d33=980 pC/N,kp=0.83,εr=6 855,tanδ=0.04,Tc=150℃。
ULTEM薄膜UTF120是一种耐高温并具有高能量密度的电容薄膜,可以符合产业严格的技术要求,适用于生产专业耐温级薄膜电容器。其温度特性(-40℃至150℃)和频率特性非常稳定,在150℃工作环境下,具有稳定的容值、高绝缘电阻、高介电常数、低损耗和长期可靠性。ULTEM薄膜UTF120生产出的电容器,其广泛的温度适应能力增加了产品的可靠性,同时降低甚至消除了对转换器主动冷却的需求。
作者:钟少龙; 党智敏 期刊:《绝缘材料》 2016年第12期
本文归纳和总结了高储能密度低损耗介电高分子复合材料的研究进展,主要包括全有机聚合物、陶瓷/聚合物高介电复合材料、纳米结构-陶瓷/聚合物高介电三相复合材料和多层复合结构薄膜的研究情况,同时分析比较了各种改性方法的优缺点。
由七0四厂弋陕西华电材料科技有限公司)研究所承担研制的“HBT-200固态脉冲形成线”项目是为用户单位研制的新型储能器材。该项目利用高介电常数陶瓷聚合物复合材料作为储能介质制作脉冲形成线,具有储能密度高、无泄漏,可简化系统结构等特点。该项目的创新开发了一种介质均匀、
作者:陈金菊; 冯哲圣; 郭洪蕾; 杨邦朝 期刊:《材料工程》 2006年第02期
用水解沉积-阳极氧化法制备高介电常数的Al-Ti复合氧化膜,通过XPS分析Al-Ti复合氧化膜的成分及各元素的相对含量。监测铝电极箔恒电流阳极氧化过程中的升压曲线,对复合氧化膜的介电常数进行理论计算,并测试铝电解电容器的容量及耐久性。结果表明:铝电极箔在含钛无机盐溶液中的最佳处理时间为10min,处理后的铝电极箔阳极氧化速率高于纯铝电极箔,Al-Ti复合氧化膜中的高介电常数相为TiO2。对16V/1000 μF规格的铝电解电容器,形...
一种变压器用绝缘浸渍灌封蜡;10kV 105℃架空绝缘电缆辐照料;环氧树脂组合物,其制备方法和由其制备的制品;一种环氧树脂增韧固化剂;具有高介电常数的嵌入式电容器的印刷电路板及其制造方法。
作者:刘源波; 王琪 期刊:《功能高分子学报》 2007年第02期
采用固相剪切碾磨方法(S^3M)制备高介电常数聚丙烯/钛酸钡复合材料。当钛酸钡体积分数φB4TiO=0.50时,体系的介电常数由纯聚丙烯的2.3增加到108.7(1kHz)。复合材料断面的SEM照片显示,粒径约100nm的钛酸钡粒子均匀分散在聚丙烯基体中。复合粉体的SEM、TGA和FT-IR分析表明固相剪切碾磨产生的强大剪切、挤压、摩擦等作用在聚合物相引起多种复杂的物理及化学变化,聚合物粒径变小,粒子比表面积增大,表面能大幅增加,与具有...
作者:王闯; 钱蓉; 喻筱静; 顾建忠; 孙晓玮 期刊:《固体电子学研究与进展》 2007年第01期
给出了一种应用在毫米波前端的单平衡环形混频器。该混频器采用高介电常数的复合材料(Rogers Duroid3010 εr=10.2),以获得较小的芯片面积;电路设计中重点考虑了在较低的本振功率的情况下获得较小的变频损耗,并给出了一种新的混合环的分析方法。当本振在36.5GHz有9dBm的功率输入时,混频器有7dB的变频损耗,双边带噪声系数11.5dB,本振到中频和射频到中频分别有40.5dB和31dB的隔离度。