作者:唐清; 李艳; 赵方玮; 郑琼林 期刊:《电力电子技术》 2017年第12期
对高频工况下氮化镓(GaN)器件的开关特性精确测量进行了研究,基于市面上两种不同类型的GaN器件,对其开关特性进行对比测试,分析高频工况下不同类型GaN器件的优势。首先,分析不同测量方式对电流测量波形的影响,选择适用于高频工况下的电流测量方式;其次,对高频驱动回路进行优化布局,减小寄生电感,使得开关特性测量结果更为精确;最后,基于双脉冲测试平台,分别对共源共栅(Cascode)型和单体增强(E-Mode)型两类GaN器...
本文从真空微波电子器件的发展历史出发,详细地讨论了各个门类、各种管型的应用情况及目前的发展动态,并与当前的竞争对手—固态微波电子器件、LDMOS器件及GaN器件的特性作了对比,指出了各自的优点与劣势,它们在不同的领域内将充分发挥各自的特长,为我国的四个现代化服务,最后指出了各自的发展潜力与前途及命运。
作者:苏江涛; 郭庭铭; 刘军; 许吉; 郑兴 期刊:《半导体技术》 2019年第08期
大信号测试系统是评估GaN功率器件的非线性特性的重要手段,而精准的矢量校准是获得稳定可信测试数据的第一步。为了解决毫米波频段矢量校准易随时间增加而失效的难题,对不同的校准方法进行了讨论,并以直通-反射-匹配负载(TRM)校准方法为基础,对校准过程中的误差系数随时间变化的趋势进行了数据分析,提出了一种可以实时快速修正校准模型中误差系数的方法。采用这种方法,失效的校准状态可以在1 min内得到快速修正而恢复初始校准状态;...
文中基于第三代半导体氮化镓器件抗辐照性能强的特点,设计了UHF波段星载固态功率放大器。对氮化镓器件进行了仿真设计,通过设计消除了器件的强不稳定性,将高频应用的氮化镓器件设计匹配至所需UHF波段,实现了在UHF波段的功率输出。测试结果显示,在UHF波段(f0±10 MHz)固态功率放大器的输出功率达到48 W(46.81d Bm),功率增益68 dB,功率效率50%。
作者:李国熠; 滑育楠; 邬海峰 期刊:《电子世界》 2018年第10期
本文在分析目前GaN高功率微波器件研究现状的基础上,总结了GaN高功率微波器件及芯片的关键技术和发展趋势,仅供相关领域的学者参考。
作者:邢琨; 李梦影; 曹洁 期刊:《电子技术与软件工程》 2017年第15期
我国的发光二极管(LED)技术从1960年代开始起步,并以Ⅲ-Ⅴ族的化合物半导体为基础发展起来,到目前已经发展成为规模庞大的产业。在1990年代以前LED缺少蓝光发光二极管和纯绿光发光二极管,因此在1990年代LED的研究当中融入了氮化镓的研究,并利用GaN器件的应用弥补了这一不足之处,成为了极具市场潜力的技术。本文试从发光二极管的发展历程梳理来探讨氮化镓基和固态光源的发展进程。
<正>背景时光追溯到2003年到2004年,当遥控简易引爆装置(IED)开始在伊拉克出现时,不仅仅是美国陆军和海军陆战队开始大吃一惊,连美国电子战(EW)工业也没有应对这种威胁的准备。美军当初没有意识到会需要小型的、相对小功率的、宽带的通信干扰器。事实上,这种干扰器可以在车或士兵周围形成30到150
作者:王关全 杨玉青 刘业兵 胡睿 李昊 钟正坤 罗顺忠 期刊:《原子能科学技术》 2013年第12期
利用63Ni和3H源分别辐照两种可作为辐伏电池换能单元的GaN基PiN结型器件,其输出短路电流(Isc)和开路电压(Voe)分别为:对于63Ni源,Isc=5.4nA,Vse=771mV;对于3H源,Isc=10.8nA,Voe=839mv。其开路电压显著优于单晶硅基器件辐伏电池的输出结果,但与理论值有一定的差距。可能是GaN材料生长过程中产生的缺陷、电极欧姆接触不良以及器件结构等原因,导致短路电流和开路电压未能达到期望值。这些是提升GaN换能单元辐伏电池的...
作者:曲燕 司国梁 陈晓梅 期刊:《舰船电子对抗》 2013年第01期
阻抗匹配在高频设计中是一个常用的概念,它是指负载阻抗与激励源内部阻抗互相适配,得到最大功率输出的一种工作状态。介绍了一种利用GaN宽禁带器件的阻抗特性实现宽带阻抗匹配的方法,并利用该设计方法实现了L波段(0.8~1.2GHz)150W功率放大器,进行了性能测试,验证了该匹配方法的现实可行性,对后续的研究有重要的指导意义。