作者:张景文; 范斌; 李志炜; 汉语 期刊:《激光技术》 2020年第01期
为了提高刻蚀的均匀性,对400mm反应离子刻蚀(RIE)腔室建立了气体流动的连续流体模型和热传递模型,研究了反应腔室内压强、流速和温度分布。冷却板恒温285K时,依次改变入口流量和出口压强,分别分析了腔室内部基片晶圆附近的流速、压强、温度的分布;依次改变极板间距离(30mm~60mm)、进气口直径(300mm~620mm)、抽气口直径(50mm~250mm),分析了反应腔室内气流和温度分布。结果表明,压强分布呈现出边缘低中心高的特征,流速呈现边缘高且中...
氮化硅薄膜刻蚀是制造微电子器件的关键技术之一,刻蚀的效果直接影响电子元器件的性能。采用反应离子法对氮化硅薄膜进行了刻蚀,并借助原子力显微镜(AFM)、光学显微镜(OM)、表面轮廓仪表征方法对刻蚀的氮化硅薄膜进行分析。结果表明:反应气体为NH3∶Si H4=40∶10时,制备出的氮化硅薄膜的厚度均匀,薄膜颜色一致;氮化硅薄膜的最佳刻蚀时间为3min,此时氮化硅薄膜的表面较平整,粗糙度较小,氮化硅薄膜与Si基底表面的分界线明显。
<正>本会议录收集了会上发表的121篇论文。内容涉及高 K 电介质.BEOL 电解质,晶体管,静电放电,化合物半导体,MEMS,封装工艺,存储器,失效分析,锗硅合金,90nm CMOS 工艺,硅片反应离子刻蚀检测小尺寸氧沉积。ESD 保护电路 I/O 信号锁定现象,铜金属化中时间相关电介质击穿物理模型,倒装芯片 UBM可靠性。GaAs FET 失效机制,闪速存储器可擦写机理。
作者:刘浩; 刘锦辉 期刊:《科学技术与工程》 2018年第31期
为制备粗细均匀、大长度的硅纳米线,通过金属辅助化学刻蚀方法,以银作为辅助金属,利用场发射扫描电镜(FESEM)和FIB/SEM双束系统作为检测手段,结合微加工工艺,研究了不同的反应离子刻蚀时间和化学刻蚀时间对制备的硅纳米线的尺寸和形貌的影响。结果表明,通过该方法制备的硅纳米线粗细均匀、长度较大。控制反应离子刻蚀时间和化学刻蚀反应时间,可以控制硅纳米线的形貌与尺寸。
作者:赵凡; 许伟伟; 耿海峰; 郁梅; 花涛; 卢亚鹏; 曹春海; 陈健; 吴培亨 期刊:《低温与超导》 2018年第10期
在超导微波电路芯片中,通常存在影响信号传输和控制的杂散信号,利用超导悬空桥连接电路不同接地平面,可有效抑制微波线路中的寄生杂散模式。利用光刻胶作为支撑层,采用直流磁控溅射、反应离子刻蚀(RIE)、深紫外曝光光刻等微加工方法,制备了连接复杂微波电路不同接地平面的悬空桥结构,并给出了制备工艺流程及悬空桥结构的低温超导特性表征。试验结果表明,该悬空桥制备工艺可用于目前比较复杂的超导平面微波电路制备。
作者:邱小永; 赵庆国; 陆波; 何一峰; 李小飞; 张帅; 吕文辉 期刊:《发光学报》 2018年第06期
基于产线工艺制备了纳米绒面多晶硅太阳电池,并表征其光电转换性能。研究结果表明:相对传统微米绒坑,纳米绒面能够提升多晶硅太阳电池的短路电流,相应的光电转换效率绝对值提升大于0.4%,产线均值光电转换效率超过了19.1%。结合漫反射光谱和外量子效率测试结果,改进的光电转换的原因归结为纳米绒面能够有效地诱捕短波和长波太阳光子,增强短波和长波太阳光响应。本研究证实纳米绒面多晶硅太阳电池可利用产线工艺制备且具有较高的光...
作者:许龙来; 钟志亲 期刊:《电子科技》 2019年第02期
鉴于SiC材料具有很强的稳定性以及湿法刻蚀的种种缺点,目前主要使用干法刻蚀来刻蚀SiC材料。但是干法刻蚀后样品表面的粗糙度对器件的性能有一定的影响。针对这一问题,采用电感耦合等离子体-反应离子刻蚀技术,对SiC材料进行SF6/O2混合气体和SF6/CF4/O2混合气体的刻蚀,并且探究了压强、ICP功率和混合气体比例对样品表面粗糙度的影响。实验结果表明使用SF6/O2混合气体刻蚀后,样品的表面平整度较好。在一定RIE功率条件下,当ICP功率为7...
作者:李雄; 徐智谋; 易新建; 何少伟 期刊:《微纳电子技术》 2004年第01期
MEMS器件封装时,为了给具有活动装置的MEMS器件提供足够的空间,需要在封装的帽层上刻蚀出V形腔结构.本文利用V形槽工艺,制作出适合于硅片上大面积MEMS芯片封装用V形腔阵列.SEM照片表明,所做V形腔阵列结构整齐,图形清晰.
作者:谢晓强; 戴旭涵; 赵小林; 丁桂甫; 蔡炳初 期刊:《真空电子技术》 2005年第02期
在反应离子刻蚀中,可以通过提高刻蚀功率来提高反应离子刻蚀速率,但此时由于反应气体浓度分布的影响,Si片中央和边缘的刻蚀速率存在着明显的差异,刻蚀量偏差最多可达±15%以上.本文分析了反应离子刻蚀中不均匀性的产生机理,并通过实验予以验证.进而提出了通过合理设计掩模图形,以减少边缘效应,从而得到均匀刻蚀结果的补偿方法.实验表明,这种补偿方法在刻蚀速率提高近3倍的同时,可以将不均匀性降至±5%以下,适用于对微结构的均匀性要...
作者:郝慧娟; 张玉林; 卢文娟 期刊:《电子工业专用设备》 2005年第07期
对电子束曝光和反应离子刻蚀(RIE)进行了研究.刻蚀使用JR-2B型溅射-刻蚀机,分别采用100 W、150 W、200 W、250 W、300 W的功率,对SiO2进行了刻蚀,反应气为:CHF3,对影响刻蚀的射频功率以及压力、气体流量等工艺参数作了调整,得出了刻蚀速率与射频功率和压力之间、气体流量的关系曲线.实验结果表明:随着射频功率、压力的增大,刻蚀速率不断加快,在某一值上达到最大值.再继续增加射频功率、压力,刻蚀速率反而会下降.随着气体流量的增加...
作者:王祥邦; 李勇; 陈培棣 期刊:《压电与声光》 2005年第06期
声表面波器件广泛应用于有线和无线通讯中.利用半导体加工工艺制作声表面波器件,由于所使用的工艺的特殊性,并不能完全按照硅工艺.该文讲述了用于法刻蚀工艺制作声表面波器件及其工艺特殊性.
作者:柯才军; 易新建; 赖建军 期刊:《红外与激光工程》 2004年第02期
为了提高可见光CCD图像传感器的探测灵敏度,提出了516×516元石英微透镜阵列的设计方法,并简要介绍了其制作工艺.测量结果表明,所制作的微透镜阵列有优良的表面轮廓、较好的几何尺寸均匀性和光学性能,大幅度地提高了CCD图像传感器的填充因子.
作者:曲炳郡; 任天令; 刘华瑞; 刘理天; 李志坚; 库万军 期刊:《功能材料与器件学报》 2004年第03期
对巨磁电阻自旋阀磁场传感器制作中的关键技术之一:自旋阀薄膜的反应离子刻蚀(RIE)工艺,进行了试验研究.自旋阀结构为:Ta(3.5nm)/Cu(0.7nm)/NiFe(4.5nm)/CoFe(1nm)/Cu(3nm)/CoFe(2nm)/Ru(0.7nm)/CoFe(2nm)/MnIr(8nm)/Ta(4nm),刻蚀气体为氢氯碳氟化合物(HCFC:Hydro-chloro-fluoro-carbon),气体流量为10.5sccm,RF功率为180W,时间为27min.结果表明:RIE技术可以加工出理想的巨磁电阻自旋阀薄膜图形,且加工过程对自旋阀的磁性能影响不大...
作者:周宏; 赖建军; 赵悦; 柯才军; 张坤; 易新建 期刊:《半导体技术》 2005年第06期
采用统计实验方法研究了利用SF6/O2/CHF3混合气体产生的等离子体进行硅的反应离子刻蚀技术.为了优化刻蚀条件,将刻蚀速率和选择比表示为SF6、O2、CHF3各自的流量以及气压和射频功率的函数.文中讨论了各种变量的变化对刻蚀速率和选择比的影响以及刻蚀机理,证实了加入CHF3可以显著地减小表面粗糙的结论.
作者:易坤; 张波; 罗小蓉; 李肇基 期刊:《微电子学》 2004年第02期
讨论了基于深阱结构的提高器件击穿电压的技术.采用深阱结构的结终端技术,消除了平面工艺所产生的曲面结,从而使器件的击穿电压接近理想平行平面结的击穿电压.同时,该结终端技术还具有占用器件面积极小的优点;通过向阱中填充低介电常数的物质,深阱结构还能抑制工艺上的横向扩散,并能承受比硅材料更大的峰值电场.
作者:王奉友; 郜艳波; 庞振宇; 杨景海 期刊:《吉林师范大学学报·自然科学版》 2017年第04期
硅纳米线异质结太阳电池因具有良好的陷光效果及径向结收集特性而受到广泛关注.利用低浓度NaOH溶液在硅片表面腐蚀出微米尺度的金字塔结构,并采用反应离子刻蚀(RIE)的方式在其上进一步腐蚀出纳米线形貌,构建硅微纳复合陷光形貌结构.通过分析硅微纳复合陷光形貌结构的陷光机理,指导优化反应离子刻蚀工艺中的刻蚀时间,最终获得不同形貌结构的陷光衬底.通过分析其光学特性发现,在RIE时间为120 s时,硅微纳复合结构衬底反射率可小于5%...
作者:刘首鹏; 周锋; 金爱子; 杨海方; 马拥军; 李辉; 顾长志; 吕力; 姜博; 郑泉水; 王胜; 彭练矛 期刊:《物理学报》 2005年第09期
采用不同的方法裁剪高定向热解石墨(HOPG),制备纳米尺寸的石墨条.首先,发现用聚焦离子束(镓离子)刻蚀高定向热解石墨,可以得到边缘整齐程度在几十纳米的石墨条,另外,用电子束曝光和反应离子刻蚀的工艺,可以得到最小尺寸为50 nm的纳米石墨图型 (nano-sized graphite pattern,纳米尺寸的多层石墨结构).采用了三种不同的方案制备反应等离子刻蚀过程中需要的掩膜,分别是PECVD生长的SiO2掩膜,磁控溅射的方法生长的SiO2掩膜和PMMA光刻胶...
作者:谢玉萍; 吴鹏; 杨正; 尹韶云; 杜春雷; 董连和 期刊:《光子学报》 2015年第09期
为实现在聚酰亚胺薄膜上制备连续面形的微透镜结构,开发了一种薄膜光刻刻蚀的工艺方法.首先利用移动掩模曝光得到连续面形的光刻胶微浮雕结构,再通过反应离子刻蚀技术将微结构高保真度、低粗糙度地转移到PI薄膜上.为解决刻蚀过程中最关键的等比刻蚀问题,分别研究了刻蚀气体组分的优选、气体组分配比和气体流量的优化等对等比刻蚀的影响.实验结果表明:在一定的刻蚀条件(如射频功率、腔室压强和自偏压)下,O2+SF6的混合工...
作者:李晓东; 谭震宇; 王菲; 郑红丽; 孙小强; 张大明 期刊:《光子学报》 2011年第04期
选用价格低廉、介电性能良好、低传输损耗的聚二甲基硅氧烷作为波导的包层材料,旁链型分散红1键合聚甲基丙烯酸甲酯作为芯层,设计并制备了一种倒脊形聚合物波导马赫-曾德尔电光调制器及共面波导行波电极,获得了调制器的调制信号响应.针对SF6气体刻蚀聚二甲基硅氧烷的再淀积现象,提出了采用SF6和O2的混合气体对聚二甲基硅氧烷进行反应离子刻蚀的方法,发现当SF6∶O2流量比为50 sccm∶10 sccm时,刻蚀形成的凹槽侧壁陡直,底部平坦;实验...
作者:王旭迪; 刘颖; 洪义麟; 付绍军; 徐向东 期刊:《真空科学与技术学报》 2004年第04期
研究了HfO2薄膜在CHF3/Ar和SF6/Ar等气体中的反应离子刻蚀机理.结果表明刻蚀气体的组分和射频偏压对刻蚀速率有较大影响,而气体流量影响不大.CHF3和SF6与HfO2的反应产物具有较好的挥发性,Ar的引入不仅可以打破分子之间的键合促进刻蚀产物的形成,而且通过轰击加快产物从材料表面解吸,从而提高HfO2刻蚀速率.AFM测量结果表明刻蚀降低了HfO2表面粗糙度,显示刻蚀工艺对材料的低损伤.