我国成功发射第二颗北斗导航卫星;初步探明神经胶质瘤基因突变分子机理;第五代大面积非晶硅薄膜电池量产
作者:何宇亮; 丁建宁; 彭英才; 高晓妮 期刊:《物理》 2008年第12期
在当前迅速发展的绿色环保能源中,硅太阳电池一直占据着首要地位.然而晶体硅太阳电池(单晶硅和多晶硅)由于价格昂贵和材料短缺已不能满足绿色能源快速发展的需要.因此,薄膜型太阳电池已经被视为今后发展的主要方向.非晶硅薄膜太阳电池虽然在性能上还具有不少缺点,但随着薄膜沉积技术的改进以及膜本身质量的不断提高,它在太阳电池领域中仍占有一席之地.多晶硅薄膜太阳电池集晶体硅与非晶硅电池的优点为一体,也受到人们的...
介绍了各种太阳电池技术和发展概况,其中晶硅太阳电池技术发展比较成熟,商业化程度最高,许多技术和理论问题带有普遍性,对其他电池的研究开发有借鉴作用,文章对此作了较详细的介绍.薄膜电池是未来发展方向,文章对目前国际上研究得最多的几种薄膜电池,如非晶硅(a-Si)、碲化镉(cdTe)、铜铟硒(cuInSe2,CIS)、多晶硅、染料敏化TiO2等电池的技术发展概况作了介绍,并简要说明了不同电池的商业化生产情况。
一.项目概述 随着全球光伏产业的迅猛发展,非晶硅薄膜太阳能电池市场前景看好,技术H臻成熟,光电转换效率和稳定性不断提高。非晶硅薄膜太阳能电池由于其成本优势而具有很大的市场潜力,因此受到投资者青睐。薄膜太阳能电池作为一种新型太阳能电池,由于其原材料来源广泛、生产成本低、便于大规模生产,因而具有广阔的市场前景。近年来,以玻璃为基板的非晶硅薄膜太阳能电池凭借其成本低廉、工艺成熟、应用范围广等优势,
作者:古娜利; 史廷明; 孙刚涛; 邵生文; 陈卫红 期刊:《公共卫生与预防医学》 2012年第02期
四氢化硅是一种常见的工业原料,是一种提供硅组分的重要气体源,可用于制造高纯度单晶硅、多晶硅、异质硅、微晶硅、非晶硅、氮化硅、氧化硅等各种硅化物。四氢化硅在临界温度256℃)和极高的压力下(96和120 GPa)可作为超导体使用〔1〕。由于四氢化硅的高纯度和能实现精细控制,已经成为许多其他硅源无法取代的重要特种气体〔2-3〕。四氢化硅的主要毒性是刺激作用,
作者:李娟; 冯国林 期刊:《科技创新导报》 2017年第25期
本文建立基于pin型结构非晶硅薄膜太阳能电池,采用数值模拟的方法,通过模拟分析表明,在电池的p/i、i/n界面插入缓冲层可以得到电池转化效率为7.474%,比没有缓冲层电池提高0.305%。
X线成像技术经历了100多年的漫长历程,这其中包含了X线穿过人体信息的种种转换——从单独X线胶片到增感屏暗盒系统(中、高、感绿增感屏)——从影像增强器加电荷耦合器件(CCD)到CR(计算机摄影)系统。这些中间转换无论哪种方法、哪种方式都很大程度地损失了X线穿过人体的有用信息。当今最先进的非晶硅X线平板探测器数字成像系统有效地利用穿过人体的X线信息,实现了X线成像的本质飞越。
瑞萨科技公司宣布推出的R61201单片LCD控制器/驱动器,支持561◇240点显示尺寸,专为DSC(数鹦相机)的非晶硅TFT彩色液晶面板应用而设计。该新品是瑞萨科技的首个用于DSC液晶面板的产品,在单个芯片中集成了源和栅驱动器,可以降低整个液晶面板的电流消耗,包括面板在内,可以实现大约20mW或更低的功耗。
作者:李衍 期刊:《中国特种设备安全》 2005年第04期
介招非晶硅(a-si)平板检测器的技术特性,及其取代常用的图像增强器在工业射线实时成像检测中的应用——焊缝和铸件检验。实验结果证明:连用适当型号的a-Si平板检测器,可获得优于图像增强器的像质计(IQI)灵敏度和空间分辨力。这是工业数字射线照相技术实用化的又一新突破。
作者:柴金龙; 李毅; 胡盛明 期刊:《深圳大学学报·人文社会科学版》 2005年第03期
为测试非晶硅和单晶硅太阳能电池组件的实际发电能力,设计了由电子模拟负载和直流安时计组成的发电量测量装置,对两种太阳能电池组件的发电量进行实验测试比较.提出比功率发电量这一物理量,直观表达太阳能电池组件的发电性能.实验表明,在晴天直射强光和阴雨天弱散射光环境下,非晶硅太阳能电池板的比功率发电量均大于单晶硅.
Xineos系列CMOSX射线探测器正在引领医学成像领域的变革。作为非晶硅和模拟成像的替代方案,CMOS成像具有诸多优势,包括实时图像分辨率高、饱和剂量可变、成像动态范围广、校准稳定以及低剂量信噪比性能无与伦比。
盆景造型的electree+是一款用太阳能为手机充电的树,27块正方形的非晶硅太阳能板是它的树叶,长方体的花盆中内置了一块14000mAh的蓄电池。蓄电池完全充满电需要36个小时的光照.这意味着为智能手机充电所需的能量平均为4个小时。通过光照蓄满电的electree+可以为iPhone5充电9次、GalaxyS3充电7次、iPad2充电两次。
TB43 2004064362 大电流高开关比非晶硅薄膜二极管研究=An a-Si thin film diode with big current and high on/off ratio[刊,中]/耿新华(南开大学光电子所.天津(300071)).黄维海…∥光电子·激光.—2004,15(6).—640-644 报道了采用PECVD薄膜沉积技术制备的大电流、高开关比非晶硅薄膜二极管,在制备工艺温度低于200℃下。获得正向电流密度大于50A/cm~3,±3V偏压时开关比接近10~5的优质非晶硅薄膜二极管,完全符合三维集成电路(3D-IC...
作者:贺海晏; 郑佳毅; 单伟; 王仕鹏; 黄海燕; 陆川 期刊:《太阳能学报》 2019年第03期
研究工业化反应等离子体沉积(RPD)设备制备的掺钨氧化铟(IWO)薄膜的厚度变化对薄膜光电性能和非晶硅/晶体硅异质结(SHJ)电池性能的影响。X200℃退火后具有良好的结晶性。通过控制IWO薄膜的沉积时间,制备IWO薄膜厚度递增的一系列8英寸SHJ电池样品。研究发现随着IWO膜平均厚度为82 nm时,SHJ电池转换效率最高达到21.87%,对异质结电池工业化生产具有指导意义。
作者:王春兰; 李玉庆; 韩莎; 姚奇; 高博 期刊:《纺织高校基础科学学报》 2018年第04期
薄膜晶体管(TFTs)为满足高性能平板显示器的发展需求,正经历着快速增长的态势,同时其应用也扩大到新型透明电子和功能型电子领域.基于大量文献和研究工作,阐述金属氧化物TFTs的发展历程,非晶硅、低温多晶硅以及有机物等半导体材料TFTs的研究现状,重点论述基于单一或多元金属组分以及复合纳米结构的高性能氧化物TFTs的关键性结构和迁移率.认为新型复合纳米结构的氧化物TFTs不仅在很大范围内影响现有的电子器件,而且也将应用于新型的...
作者: 期刊:《中国建筑防水》 2009年第A01期
由威海中玻光电有限公司与珠海兴业幕墙工程有限公司联合承建的威海市民文化中心非晶硅光伏屋面工程已进入收尾阶段。该工程是目前全球最大的非晶硅光伏屋面工程,也是建设部和财政部第二批可再生能源建筑应用重点支持示范项目。
用化学气相沉积法制备非晶硅薄膜,测量了样品的光吸收系数及其波长区域范围.测得在最佳工艺条件下,非晶硅薄膜的光吸收系数随入射光波长增大而减小,随衬底温度升高而增大,随射频功率和反应气体流量的增大而减小,在700 nm附近的光吸收系数不低于1×103 cm-1,满足高性能液晶光阀对光电导层的性能要求.
作者:彭敦云; 宋连科; 朱久凯; 杨海磊; 郭文静; 栗开婷 期刊:《激光》 2013年第04期
介绍了太阳能薄膜电池的原理及其结构特点,并从材料成本、制作工艺方面分析了太阳能薄膜电池的发展前景及应用。介绍了目前几种主要的太阳能薄膜电池,分别对几种太阳能薄膜电池从原理、材料、光电转换效率等方面分析了其优缺点。总结出有机太阳能薄膜电池在薄膜电池中的优势以及发展前景,为太阳能薄膜电池的发展提供了一些建议。