基于华虹0.35μm BCD工艺,采用VBE补偿与分段线性补偿技术,设计了一种高精度带隙基准电压源。仿真结果显示在-40~125℃内获得了0.47 ppm/℃的温漂系数,在低频处获得了-58.26 dB的电源抑制比。
作者:程伟杰; 曾以成; 邓庭 期刊:《太赫兹科学与电子信息学报》 2019年第06期
基于0.5μm CMOS工艺,设计了一种采用新颖分段曲率补偿技术的低温漂带隙基准源,利用2种不同的电流补偿结构,分别在中温和高温阶段引入正温度系数补偿电流,使得基准电压的温度特性曲线在中温和高温阶段各产生2个新的极值点,与一般的分段曲率补偿带隙基准相比,提高了补偿效率。利用Cadence软件对电路进行设计与仿真,仿真结果表明,在-40~190℃温度范围内,输入电压为5 V时,输出基准电压为1.231 V,温漂系数为0.885 ppm/℃,低频时电源抑制...
作者:都文和; 刘睿; 程秀娟; 杨占宇 期刊:《电子与封装》 2019年第10期
设计产生正、负温度系数电压的电路,在传统基准电压源电路的基础上引入新型具有负温度系数电压的补偿电路,使基准的温度系数大大降低。设计基于中芯国际SMIC 0.18μm工艺,仿真结果表明:在工作电压5 V及环境温度27℃下,输出电压为1.3 V;在0~145℃温度变化范围内,温度系数为4.46×10-6/℃。采用二级运放结构,在低频时电源电压抑制比(PSRR)为-73.66 dB;完成了版图设计,版图尺寸为81.44μmm×129.47μm。
作者:孙帆; 黄海波; 卢军; 陈宇峰 期刊:《电子元件与材料》 2020年第01期
针对传统的带隙基准源曲率补偿效果较差的问题,采用两路跨导放大器设计了一种新型的分段曲率补偿的带隙基准源。其中一路跨导放大器比较三极管的发射极-基极电压VEB和一个粗略的基准电压,在低温段产生随温度升高近似成指数减小的电流;另一路跨导放大器比较VEB和另一个粗略的基准电压,在高温段产生随温度升高近似成指数增大的电流,对传统的电流型带隙基准源进行精确的分段曲率补偿。基于TSMC 0. 18μm CMOS工艺,对电路进行设计和仿真...
作者:莫啸; 李冬; 张明科; 孔德鑫 期刊:《数字技术与应用》 2019年第08期
本文基于TSMC 28nm HPC工艺,设计了一款应用于900mV低压差线性稳压器(Low output Voltage,LDO)的高精度自偏置带隙基准源。仿真结果表明,在1.8V的工作电压下,该带隙基准的输出电压接近600mV。tt模式,温度范围-40℃到125℃,该带隙基准的温度系数低至8.8ppm/℃,具有良好的温度特性。tt模式,27℃时,低频的电源抑制比达到78.8dB,静态电流15.4μA。
作者:秦国轩; 黄治塬; 靳萌萌; 高静; 毛陆虹 期刊:《南开大学学报·自然科学版》 2018年第03期
介绍了1种无片外输出电容结构的低压差线性稳压器(LDO).该结构采用TSMC 0.18μm标准CMOS工艺设计,利用体调制效应,提高了LDO的稳定性和其瞬态响应.电路的面积为300×165 μm~2,基于Cadence仿真,其最大负载电流为10 mA,输入电压2 V,输出电压为1.8 V.当负载电流为1 m A时,静态电流和电源抑制比分别为83.8μA和-82.6 d B.
作者:周瑞; 周; 赵心越 期刊:《科学技术创新》 2019年第14期
本文设计一种低温漂系数的电压可调式CMOS带隙基准电压源,与传统的CMOS带隙基准电压源相比,该电压源不仅能生成1.24V的标准带隙基准电压,还可以可通过调整电阻的比值产生更低或者更高的基准电压。利用电阻分压法,基准电路可以在低电压条件下运行。采用TSMC 0.18umCMOS工艺,使用spectre仿真,在1.8V的供电电压下,可以产生1.2V的基准电压,在-40℃~120℃的温度范围内,其温度系数为12ppm/℃,电源抑制比为66d B。
双路LDO显著提高图像质量 随着便携式设备、医疗设备以及通信设备等高性能应用对功能、性能和功耗的要求越来越高,电源设计已经成为整个系统的关键所在."尤其在手机以及数码相机等在对电源纹波敏感的应用中,极低的电源纹波和最高的电源抑制比(PSRR)对提高图像质量十分必要,当这些应用有接近兆像素的分辨率时,这方面的要求会变得更加关键."Intersil手持电源产品组市场经理Andrew Baker表示.
作者:MichaelGurevich 期刊:《电子设计应用》 2005年第05期
德州仪器(TI)针对MSC12xx元件的模拟电源变动,提出了一种简单的补偿方法,它只需使用△-∑模拟数位转换器(ADC)尚未连接的ADC输入之一,即可执行。这种电源变动的测量能力可用来调整ADC增益,使其拥有更高的电源抑制比(PSRR)。本文介绍的这种方法,可适用于MSC12xx和ADS1216系列。
作者: 期刊:《工业和信息化教育》 2005年第11期
Intersil公司推出新系列的高性能双路LDO(低压差稳压器),可为RF/电源纹波敏感应用,如数码相机的成像传感器或手机摄像模块MP3播放器和便携式医用仪器设备等提供超高PSRR(电源抑制比),极低的静态电流(lq)和极低的电源纹波。
射频(RF)收发器、Wi-Fi模块和光学图像传感器等应用对开关稳压器产生的噪声或残留交流纹波较敏感。半导体行业领袖安森美半导体最近推出的超高电源抑制比(PSRR)低压降(LDO)稳压器系列NCP16x及汽车变体器件NCV81x,实现超低噪声,是用于这类应用的理想电源管理方案。
作者:崔晶晶; 曾以成; 夏俊雅 期刊:《太赫兹科学与电子信息学报》 2018年第03期
设计了一种线性补偿低温漂高电源抑制比带隙基准电压源电路。带隙基准核心电路采用三支路共源共栅电流镜结构,提高电路电源抑制比。补偿电路采用分段补偿原理,在低温阶段,加入一段负温度系数电流,在高温阶段,加入一段正温度系数电流,通过补偿,使带隙基准输出电压的精确度大大提高,达到降低温度系数的目的;同时电流镜采用共源共栅结构,不仅提高电路的电源抑制比,而且可以抑制负载对镜像晶体管电压的影响。基于0.5μm CMOS工艺,使用Ca...
STLQ020的静态电流(Iq)仅为300nA,最大输出电流200mA,电压调整、电源抑制比(PSRR)、瞬态响应等参数非常优异,封装采用0.8mm×0.8mm的紧凑型倒装片。STLQ020的无与伦比的特性组合源于其专用低功耗设计和自适应偏压电路,为快速响应且高PSRR的稳定输出提供保证。另外,在最大负载时.
作者:李宏杰; 李立; 王丹丹 期刊:《电子技术应用》 2019年第01期
为了减小带隙基准源的温度系数和提高温度补偿的灵活性,设计了一种改进型分段线性补偿方法。利用双极型晶体管的温度非线性在整个温度区域内产生7段不同斜率的补偿电流,通过电流模形式对基准电压的高阶温度分量进行叠加,进而对带隙基准电压实现精确温度补偿。基于0.25μmBCD工艺设计了一款低温漂高精度的带隙基准源。HSPICE仿真结果表明,在5V电源电压下,在-40℃~125℃温度范围内,基准电压的温度系数为0.37×10^-6/℃,低频时电路的电...
作者:肖垣明; 王慧; 刘晨; 杨需哲 期刊:《半导体技术》 2018年第12期
设计了一种带有二阶温度补偿的高精度带隙基准电压源电路。相比传统带隙基准电路,所设计的电路不仅进行了一阶温度补偿,在高温阶段增加了与一阶温度补偿基准电压的温度系数呈负相关的曲率补偿电流,通过电阻将补偿电压叠加到经过一阶补偿的基准电压上,以二阶温度补偿的方式改善了基准电压在高温时的温度特性,降低温度系数,最终输出较低温漂的基准电压。基于0. 5μm BCD工艺进行电路设计,利用Cadence工具进行仿真验证,最终流片,芯片面...
作者:周前能; 罗毅; 徐兰; 李红娟; 唐政维; 罗伟 期刊:《微电子学》 2018年第03期
基于SMIC 0.18μm CMOS工艺,设计了一种高电源抑制比(PSRR)、高阶温度补偿的带隙基准电压源(BGR)。在传统带隙基准电压源的基础上,增加了一个温度分段曲率补偿电路以及一个ΔVGS温度补偿电路,使得该BGR的温度特性得到有效改善。采用前调整器技术,使得该BGR获得高PSRR特性。仿真结果表明,当温度在-55℃-125℃范围变化时,该BGR的温度系数为8.1×10^-7/℃,在10Hz、100 Hz、1kHz、10kHz、100kHz频率处的PSRR分别为-90.15、-90.13、-89...
作者:廖陆威; 冯全源 期刊:《应用科技》 2018年第03期
为了解决传统基准源功耗和版图面积较大而无法适用于超高频射频识别技术中无源标签的设计,设计一无运放、全MOSFETs(metal oxide field-effect transistor)构成的低压低功耗基准电压源。提出的全MOS结构的基准核心电路,有良好的温度特性;加入了预稳压电路而摒弃传统的运放设计,提高电源抑制比。仿真结果表明,在1.5 V典型供电电压下,输出的基准电压为619 m V,静态功耗为1.8μW;1.5-5 V基准电压变化22μV,线性调整率为4.9μV/V;低频时...
作者:阮颐; 王甲; 宋清亮 期刊:《集成电路应用》 2018年第05期
随着智能手机、平板电脑等便携式设备的日益普及,LDO(低压差线性稳压器)得到了飞速发展。便携式系统对LDO的效率、瞬态特性、噪声,特别是电源抑制能力提出了更高的要求。这是一种基于是德科技网络分析仪的测试方法,可以准确地测量LDO芯片高频段的电源抑制能力。
作者: 期刊:《电子产品世界》 2005年第05A期
德州仪器(TI)针对MSC12xx元件的模拟电源变动,提出了一种简单的补偿方法,它只需使用△-∑模拟数位转换器(ADC)尚未连接的ADC输人之一,即可执行。这种电源变动的测量能力可用来调整ADC增益,使其拥有更高的电源抑制比(PSRR)。本文介绍的这种方法,可适用于MSC12xx和ADS1216系列。
作者:来新泉; 刘鸿雁; 魏荣峰 期刊:《中国集成电路》 2005年第09期
针对集成稳压器、射频电路等对精密电压基准的需求,本文设计了一款新型CMOS带隙基准电路.在降低高频噪声,增强输出对电源纹波抑制能力的同时引入快速启动电路,改善了RC滤波电路限制基准启动速度的问题.采用Hynix 0.5μmCMOS Hspice模型进行仿真后表明,此款带隙基准电路在较宽的频带范围内,噪声只有8.5μVrms,电源抑制比(PSRR)为100dB左右,启动时间在100μs以内.