作者:程伟杰; 曾以成; 邓庭 期刊:《太赫兹科学与电子信息学报》 2019年第06期
基于0.5μm CMOS工艺,设计了一种采用新颖分段曲率补偿技术的低温漂带隙基准源,利用2种不同的电流补偿结构,分别在中温和高温阶段引入正温度系数补偿电流,使得基准电压的温度特性曲线在中温和高温阶段各产生2个新的极值点,与一般的分段曲率补偿带隙基准相比,提高了补偿效率。利用Cadence软件对电路进行设计与仿真,仿真结果表明,在-40~190℃温度范围内,输入电压为5 V时,输出基准电压为1.231 V,温漂系数为0.885 ppm/℃,低频时电源抑制...
作者:张哲; 余先银; 张启辉 期刊:《电子产品世界》 2019年第10期
基于经典的带隙基准电路原理,通过优化电路结构和采用寄生NPN晶体管,提出了一种可以降低运放失调电压和等效输入噪声影响的低噪声带隙基准电路。利用运放钳位流过晶体管的电流的比例,降低了运放失调电压和等效输入噪声至带隙输出电压的增益,实现了更稳定的基准电压输出。电路设计采用GSMC 0.18μm工艺,经过Hspice仿真验证,在2.5 V电源电压下,基准输出电压为1.2 V;在(-40~125)℃温度范围内,基准电压温度系数为3.16×10-5/℃;在10 Hz处...
作者:曾健平; 文剑; 晏敏 期刊:《宇航计测技术》 2004年第06期
设计了低功耗、高电源抑制比CMOS带隙基准电压发生器电路.其设计特点是采用了共源共栅电流镜,运放的输出作为驱动的同时还作为自身的偏置电路;使用CSMC标准0.6 μm双层多晶硅n-well CMOS工艺混频信号模型,利用Cadence的Spectre工具对其仿真,结果显示当温度和电源电压变化范围为-50℃~150℃和4.5V~5.5V时输出基准电压变化小于1.6 mV和0.13 mV;低频电源抑制比达到75 dB.电路在5 V电源电压下工作电流小于10 μA.该电路适用于对功耗要...
作者:童伟; 任军 期刊:《电子与封装》 2018年第12期
高速光接收芯片的片上电源稳定性至关重要,片上电源管理单元(PMU,Power Management Unit)为各子模块提供稳定的供电,低温漂带隙基准电压源是PMU设计中的核心模块。提出一种用于高速光接收芯片的低温漂带隙基准电压源的设计。为克服随机失调对基准电压温度系数的影响,在运放设计中采用了OOS(输出失调存储,Output Offset Storage)技术,通过采保电路存储输出失调电压,并对应产生失调电流补偿输出失调电流,有效降低了不同PVT情况下的失...
作者:侯德权; 周莉; 陈敏; 肖璟博; 张成彬; 陈杰 期刊:《微电子学》 2019年第01期
设计了一种低功耗曲率补偿带隙基准电压源。利用亚阈值MOS管差分对,产生曲率补偿电流,对输出基准电压进行曲率补偿。采用低功耗运放来增强基准电压源的电源抑制能力,同时降低基准电压源的功耗。采用SMIC 0.18μm混合信号CMOS工艺进行设计。仿真结果表明,在1.5V电源电压下,基准电压源的输出基准电压为1.224V,在-40℃~125℃范围内的温度系数为1.440×10-6/℃~4.076×10-6/℃,电源抑制比为-77.58dB,消耗电流为225.54nA。
作者:尹勇生; 易昕; 邓红辉 期刊:《微电子学》 2017年第06期
根据带隙基准电压源工作原理,设计了一种带2阶温度补偿的负反馈箝位CMOS基准电压源。不同于带放大电路的带隙基准电压源,该基准电压源不会受到失调的影响,采用的负反馈箝位技术使电路输出更稳定。加入了高阶补偿电路,改善了带隙基准电压源的温漂特性。电路输出阻抗的增大有效提高了电源抑制比。基于0.18μm CMOS工艺,采用Cadence Spectre软件对该电路进行了仿真,电源电压为2V,在-40℃110℃温度范围内温度系数为4.199×10-(-6)/℃,...
作者:田金鹏; 秦少宏; 李儒章; 臧剑栋; 彭毅德 期刊:《微电子学》 2018年第02期
在0.18μm标准CMOS工艺下,设计了一种低温漂基准电压源。该基准电压源由启动电路、带隙基准核电路、偏置电路、高阶补偿电路四部分构成。通过在低温段进行2阶补偿、在高温段进行高阶补偿,使得基准电压源输出在设计标准下趋于稳定。仿真结果表明,当电源电压为1.8V、温度范围为-25℃125℃时,该基准电压源的温度系数为3.12×10–6/℃。
随着现代高精度、低功耗电子产品的发展,对内部电源芯片的要求也越来越高,而电芯片电路中极为重要的一块就是带隙电压基准电路.例如在CMOS-LDO、半导体温度传感芯片以及高速ADC中,带隙电压基准电路也是提高性能的重要部分.
在分析典型带隙基准电压源的基础上,设计了一种低电压、低功耗的带隙基准电压源,采用二次分压技术降低了输出电压;采用亚阈值技术降低了电路的电源电压,进而降低了电路的功耗,通过PSpice的仿真证明该电压源具有较低的输出电压、较低的功耗和较低的温度系数.
作者:尹勇生; 汪涛; 邓红辉 期刊:《仪表技术与传感器》 2017年第06期
为了减小基准源输出信号随温度变化的波动,设计了一种基于温度曲率补偿的带隙基准电压源电路结构,采用负反馈箝位技术,简化了电路结构,减小了噪声和失调误差;同时应用β倍增器电流源作为温度曲率补偿电路,有效降低了温度系数。仿真结果表明,在-20-105℃范围内,所设计的带隙基准电压源的温度系数仅为0.904 ppm/℃,低频时电源电压抑制比为46 dB。该电路结构可以有效地提高带隙基准电压源的温度性能。
作者:周梦嵘; 段杰斌; 谢亮; 金湘亮 期刊:《太赫兹科学与电子信息学报》 2017年第02期
设计了一种片上集成的高精确度、低功耗、无片外电容的低压差线性稳压器(LDO)。采用一种新型高精确度、带隙基准电压源电路降低输出电压温漂系数;采用零功耗启动电路和支路较少的摆率增强模块降低功耗,该电路采用CSMC0.5μmCMOS工艺。经过CadenceSpectre仿真验证,输出电压为3.3V,在3.5~5.5V范围内变化时,线性调整率小于0.3mV/V,负载调整率小于0.09mV/mA,输出电压在-40~+150℃范围内温漂系数达10ppm/℃,整个LDO消耗17.7μA的...
作者:金硕巍; 李贞妮; 李晶皎; 王爱侠 期刊:《集成电路应用》 2016年第12期
这是一种低功耗二阶带隙基准电压源,在传统Kujik带隙基准电压源的电路结构的基础上增加了非线性二阶曲率补偿电路。基于TSMC 0.18μm CMOS工艺对电路功能和性能进行了仿真测试,电源电压为1.8V。仿真结果显示,在温度变化范围为-45℃-85℃的范围内,温度系数为5.5 ppm/℃。输出的基准电压值在1.2 V左右,电路总的电流消耗为10.69μA,电源抑制比为-63d B。根据工艺要求设计版图,在保证性能的前提下尽可能减小面积,横向长度为149μm,纵向宽...
作者:王宇奇; 何进; 张贵博; 童志强; 王豪; 常胜; 黄启俊 期刊:《电子技术应用》 2016年第11期
基于0.18μm SiGe BiCMOS工艺,设计了应用于一款“10-Gbps跨阻放大器(TIA)”芯片的带隙基准电压源。该带隙基准电压源工作在3.0 V~3.6 V的电源电压下,输出基准参考电压为1.2 V,温度系数为10.0 ppm/℃,低频时电源抑制比为-69 d B,具有良好的性能。应用该带隙基准电压源完成了TIA芯片中偏置电路模块的设计,该偏置电路除了提供偏置电流外,还具备带宽调节功能,可实现对TIA输出电压信号带宽进行7.9 GHz、8.9 GHz、9.8 GHz和10.1 GHz四...
作者:闫新强; 张玉明; 林智 期刊:《电子元器件应用》 2007年第08期
给出了一种基于0.35μm标准CMOS工艺设计的新型高性能带隙基准电压源的设计方法.该方法采用高增益两极运算放大器结构来降低失调电压。文中给出了采用Cadence软件进行电路设计、电路仿真以及版图设计、版图仿真的具体做法。
作者:陈海燕; 曹文; 胡莉 期刊:《西南科技大学学报》 2007年第02期
设计了一种基于CMOS工艺的带隙基准电压源。该基准电压源采用MOS管电流镜技术补偿其输出电压所经过的三极管的基极电流,采用共源共栅电流源作为负载,具有结构简单、低温漂、高电源抑制比特性。仿真结果表明,在Vdd=5V时,该电路具有6.5×10^-6V/℃的温度特性和52dB的电源抑制比。经流片测试,其性能良好,已应用到光通信用跨阻放大器中。
作者:闫海鹏; 李平; 罗和平; 周小军 期刊:《今日电子》 2006年第12期
传统的带隙基准源电路中存在运算放大器,其性能指标在很大程度上受到运放失调电压(Offset)、运放电源电压抑制比(PSRR)等参数的限制。要想进一步其性能,就需在电路结构上进行改进。 为此,笔者设计了一种新型基准源电路,其采用电流镜复制技术,没有使用运算放大器,避免了运放输入失调和电源抑制比的限制,并利用深度负反馈技术,极大地提高了电源抑制比。
作者:李彪; 雷天民 期刊:《电子器件》 2007年第01期
文章介绍了一种低温漂的BiCMOS带隙基准电压源.基于特许半导体(Chartered)0.35μm ABiCMOS工艺,采用Brokaw带隙基准电压源结构,通过一级温度补偿技术,设计得到了一种在-40℃到+85℃的温度变化范围内温度系数为15.2×10^-6/℃,输出电压为2.5V±0.002V的带隙基准电压源电路.±20%的电源电压变化情况下,输出电压变化为2.2mV,电源电压抑制比为60dB5V电源电压下功耗为1.19mW.具有良好的电源抑制能力.
作者:马建斌; 金湘亮; 计峰; 陈杰 期刊:《电子器件》 2006年第03期
阐述了一种输出电压为853mV的带隙基准电压源电路,该电路采用0.18肿标准CMOS工艺实现,可在1.8V的电源电压下工作,在-20℃到120℃温度范围内其温度系数为24×10^-6/℃。在频率低于10kHz时,电源抑制比保持在-66dB。电路版图的有效面积为0.022mm^2。该电路已成功应用于低功耗CMOS图象传感器芯片当中。
作者:冯勇建; 胡洪平 期刊:《微电子学》 2007年第02期
运用带隙基准的原理,提出了一种带启动电路的低功耗带隙基准电压源电路。HSPICE仿真结果表明,在25℃3、.3 V下,电路功耗为16.88μW;另外,在-30-125℃范围内,1.9-5.5V下,输出基准电压VREF=1.225±0.0015 V,温度系数为γTC=14.75×10^-6/℃,电源电压抑制比(PSRR)为86 dB。该电路采用台积电(TSMC)0.35μm 3.3 V/5 V CMOS工艺制造。测试结果显示,电路功耗仅为16.98μW。
作者:余国义; 孙丽娟; 邹雪城; 刘三清 期刊:《计算机与数字工程》 2007年第07期
设计一种新颖的低电压CMOS带隙基准电压源电路.电路采用了适合低电源电压工作的nMOS输入对管折叠共源共栅运算放大器,并提出一种新颖的启动电路.基于SMICO.35μm标准CMOS工艺,Cadence Spectre仿真结果表明:在低于1-V的电源电压下,所设计的电路能稳定工作,输出稳定的基准电压为622mV,最低电源电压为760mV.不高于100KHz的频率范围内,电源噪声抑制比为-75dB.在-20℃到100℃范围内,温度系数20ppm/℃.