作者:王艺璇; 高波; 刘泽昆; 邢鹏飞 期刊:《功能材料》 2019年第12期
以Al-20Si合金为原料制备多孔硅粉体材料和多孔硅/石墨烯复合材料,并将其用作锂离子电池的负极材料。采用盐酸浸蚀合金的方法制备多孔硅粉体材料,通过借助超声向硅基材料中分别添加不同含量的石墨烯(0,5%,10%,15%,20%,25%)制备多孔硅/石墨烯复合材料。实验结果显示,在多孔硅基材料中添加10%石墨烯的电化学性能最好,首次充放电容量为2 552 mAh/g,最后稳定在540 mAh/g。首次充放电效率为78.5%,循环至第5次后,后续充放电过程中效率维...
作者:刘文政; 李克; 李旭; 刘晋捷; 李彦博 期刊:《电源技术》 2019年第11期
将微米硅采用金属银诱导化学腐蚀法制成三维多孔硅。以磺化沥青为前驱体,通过喷雾干燥法对多孔硅包覆,高温碳化得到核-壳多孔硅/碳复合阳极材料。利用SEM表征复合材料微观结构,多孔硅表面均匀分布大量纳米级孔洞,热解碳壳则将多孔硅紧密包裹,从而增强锂离子的扩散性能,及容纳体积膨胀空隙的能力。电池循环210次后,活性物质与集流体未见明显分离。所制备的多孔硅/碳复合锂离子电池具有较好的电化学性能,在0.1 C电流密度下首次放电比...
作者:蒋中英; 黄红波; 徐寒; 黄彦君; 夏元复 期刊:《物理》 2005年第02期
用阳极氧化法按不同腐蚀条件制备的多孔硅,其薄层厚度仅为几十纳米,远小于22Na源的正电子平均射程.文章提出了一种用22Na 的正电子测量体寿命谱并扣除基片贡献的方法,来确定多孔硅薄层的平均孔径.
作者:任鹏; 刘小兵 期刊:《赣南师范大学学报》 2006年第03期
发光多孔硅的发现为长期追求的硅基发光材料的研究开辟了一条新路.硅基发光材料的研究日益受到重视.为了实现硅基全色光显示,探寻硅基蓝光发射材料是十分必要的,然而它一般不易获得.所以,研究硅基蓝光发射材料是一个意义深、难度大的课题.本文重点阐述了多孔硅的发光机理,并介绍了多孔硅材料的潜在的应用前景.
作者:赵丽丽; 吴现成; 徐大印; 王文海; 张道明 期刊:《科技创新导报》 2010年第02期
多孔硅是一种新型的纳米半导体光电材料,室温下具有优异的光电特性,易与现有硅技术兼容,极有可能实现硅基光电器件等多个领域的应用。本文简明的论述了多孔硅的光电特性之后,又简单介绍了多孔硅在生物科学、照明材料及太阳能电池等多个领域内的应用进展情况,并对其发展前景作了展望。
作者:黎学明; 潘进; 万体智; 张玉奇 期刊:《分析化学》 2005年第03期
提出一种用于SO2监测的多孔硅光学传感方案,其原理是以光催化氢化硅烷化处理的多孔硅作为敏感材料,根据多孔硅光致发光峰猝灭程度与SO2浓度间定量关系,实现SO2传感.实验采用电化学方法将n-型单晶硅腐蚀形成多孔硅并进行氢化硅烷化处理,获得敏感膜层;研究多孔硅发光特性、传感特性、选择性和稳定性.结果表明:该多孔硅具有良好光致发光性能,在大气环境和碱性介质中稳定性较高;当SO2体积分数为5×10-5~2.5×10-4时,多孔硅传感SO2的过程...
作者:张红梅; 吕长武 期刊:《光学与光电技术》 2018年第03期
研究了CdSe/ZnS量子点与介孔多孔硅偶联吸附结合的复合膜的光致发光谱。实验比较了CdSe/ZnS量子点与硅复合和与多孔硅复合的光致发光,发现量子点与多孔硅复合的发光比与硅复合有很大的增强。对不同孔径的多孔硅与量子点复合后的光致发光谱的比较发现,由于孔径大小对量子点浸入介孔硅有影响,孔径大浸入的量子点较多所以大孔径多孔硅的发光比小孔径的发光强。量子点与多孔硅复合的光致发光具有量子点荧光发光强度高、稳定和窄带发光...
<正> 据《Solid state Adranvde Packaging》2004年第3、4期报道,位于美国德州的International SEMATECH(ISMT)公司已经拥有了可以在12英寸圆片上利用193nm光刻技术、进行0.13μm的极低介电常数材料的铜双嵌入工艺技术。其多孔硅(MSQ)薄膜是由
作者:邢德松; 石建新; 龚孟濂; 庞起 期刊:《高等学校化学学报》 2004年第01期
作者:李宏建; 崔昊杨; 黄伯云; 易丹青; 何英旋; 彭景翠 期刊:《原子与分子物理学报》 2005年第03期
基于Litovchenko提出的多孔硅三层模型和在此基础上由Li等人提出的多孔硅三层发光模型,利用半导体异质结理论导出了多孔硅芯部与夹层中载流子浓度、非平衡载流子数目、扩散电流密度、夹层与芯部发光强度的比值等关系式.结果表明:当Egint>Egcore时,在0.2 eV<ΔEv+ΔEc<0.26 eV范围内发光谱将出现双峰,并在ΔEv+ΔEc>0区域发光峰位不断向高能移动,发生蓝移现象;当Egint<Egcore时,尽管芯部由于量子限制效应仍将导致发光峰蓝移,但芯部...
作者:胡明; 秦岳; 赵博硕; 强晓永; 周立伟 期刊:《传感技术学报》 2019年第02期
针对多孔硅气敏传感器在室温下对NO2气体灵敏度较低、选择性不强的问题,采用双槽电化学腐蚀法制备多孔硅,然后在多孔硅顶部溅射沉积金属钨薄膜并经高温热处理氧化形成WO3纳米线,制备出WO3纳米线修饰多孔硅结构及其气敏传感器。对WO3纳米线/多孔硅材料进行了SEM和XRD分析,测试了传感器室温下对NO2的气敏特性。结果表明,制备WO3纳米线的最佳热处理条件是700℃,此温度下增加金属钨膜溅射时间可提升WO3纳米线的生长密度。所制备的传感...
作者:郁卫飞; 黄辉; 聂福德; 张启戎; 李海波; 李金山 期刊:《含能材料》 2005年第05期
对纳米复合材料的研究进展进行了综述,例举多种纳米复合材料的制备方法: sol-gel法、溶剂/非溶剂法、高能研磨法、多孔金属/填充物复合法.对这些制备方法及制品的性能进行了分析,认为纳米复合材料提供了研究含能材料的新角度,改进了纳米粉体含能材料储存使用过程的安全性,减轻了粒子团聚现象,有利于充分发挥材料的纳米特性.纳米复合含能材料的制备技术、制备工艺参数及制品结构对其性能的影响规律研究还处在探索阶段,今后还需理论...
TN252 2004010372 多孔硅通道型光波导的制备及传输损耗的测量=Fabrication of porous silicon channel waveguides and measurement ofits propagation loss[刊,中]贾振红(新疆大学信息科学与工程学院.新疆,乌鲁木齐(830046))∥光子学报.—2003,32(3).—311-313
IN312.8 2005031617 850 nm超辐射发光二极管=Superluminescent diodes at 850 nm[刊,中]/廖柯(重庆光电所.重庆(400060)),刘刚 明…∥半导体光电.-2004,25(4).-257-261 设计并制作了一种用于中低精度光纤陀螺系统的850 nm超辐射发光二极管,对器件的波导模式进行了分析,给 出了主要技术参数的设计和测试结果。实验结果表明,器
作者:邱宇; 雷振坤; 亢一澜; 胡明; 徐晗; 牛红攀 期刊:《机械强度》 2004年第04期
多孔硅薄膜/硅基底结构是微机电系统(micro-electro-mechanical system,MEMS)中的一个基本组元,其厚度为微米量级.由于薄膜与基底材料之间存在着晶格错配,在薄膜/基底间的界面上会出现残余应力,严重时会导致裂纹出现而发生断裂.微拉曼光谱法(micro-Raman spectroscopy,MRS)是近些年来在化学、物理、材料和力学等学科领域迅速发展的光学测量方法.文中对这一方法进行介绍,并且用来测量化学腐蚀多孔硅薄膜结构的残余应力,发现随着孔隙...
作者:徐甲然; 陈诺夫; 石岱星; 陶泉丽; 吕国良; 杨秀钰; 张航; 陈吉堃 期刊:《微纳电子技术》 2019年第03期
反射率对太阳电池的性能至关重要。采用电化学法在单晶硅衬底上制备多孔硅来降低器件的反射率,并采用快速热退火法对多孔硅层进行磷扩散处理,进而制备了单晶硅太阳电池。扫描电子显微镜(SEM)显示出单晶硅表面形成了孔径均匀的多孔硅层,且孔径随着刻蚀时间的增加而增大;紫外-可见光分光光度计表明,该多孔硅层的反射率在400~1 100 nm的光谱范围达到12%;磷扩散后薄层方块电阻达到42Ω/□,证明多孔硅层促进了磷扩散。最终在850℃、40 s...
作者:裴立宅; 刘翠娟 期刊:《光电技术应用》 2004年第04期
多孔硅是一种新型的纳米半导体光电材料,室温下具有优异的光致发光、电致发光等特性,易与现有硅技术兼容,极有可能实现硅基光电器件等多个领域的应用.扼要论述了多孔硅在绝缘材料、敏感元件及传感器、照明材料及太阳能电池、光电器件以及作为合成其它材料的模板等多个领域内的应用进展情况,并对其发展前景作了展望.
作者:王晓静; 李清山 期刊:《发光学报》 2004年第04期
人们已经提出了许多解释多孔硅发光的理论模型,每个模型都可以针对某些实验现象做出合理的解释,而对其他的实验结果就可能无法解释甚至相悖,因此多孔硅的发光机制至今仍是需要进一步研究和解决的问题.通过改变阳极氧化的条件,制得了一系列样品,其光致发光谱主要有四个峰.随着制备条件的改变,各个峰位的变化不大,但峰值强度比的变化比较大.随着自然氧化时间的延长,各个峰位的变化很小,有红移破也有蓝移,有的则基本不变;而峰值强度的...
作者:陈松岩; 谢生; 何国荣; 刘宝林; 蔡加法; 陈丽荣; 黄美纯 期刊:《发光学报》 2004年第01期
用电化学腐蚀法制备了多孔硅(PS),在氢等离子体气氛中不同温度下对多孔硅样品进行了退火处理,并进行了光致发光(PL)谱和原子力显微镜(AFM)表面形貌的测量。不同退火温度给PS表面形态带来较大变化,也影响了其PL谱特性。在退火的样品中观察到的PL谱高效蓝光和紫光谱带,我们认为主要源于量子限制发光峰和非平衡载流子被带隙中浅杂质能级所俘获而引起的辐射复合所产生的。在420—450℃退火处理的多孔硅的PL谱上观察到了一个未见诸...