作者:燕莎; 张旋; 李晓强; 刘强辉 期刊:《信息技术与网络安全》 2017年第23期
多级单元(Multi-level Cell,MLC)闪存经过大量编程/擦除(Program/Erase,P/E)循环操作之后,MLC单元中隧道氧化层被破坏使得存储在浮栅中电荷容易泄漏,进而导致存储的数据不可靠。在深入研究极化码(Polar code)编译码原理、MLC闪存模型和P/E循环引发噪声的基础上,提出一种适用于MLC闪存系统的缩短Polar码。仿真结果表明,在MLC闪存信道条件下,该方法既可保证MLC闪存单元的可靠性,同时又可保持较低的译码复杂度,从而实现了译码复...
Maxtor500GB容量的SATAⅡ硬盘,英特尔推出90纳米多级单元NOP闪存,宇瞻建立金牌内存数码闪存卡防伪系统,买华硕外置康及鑫能王送大礼。SanDisk开展“宏衢豪礼即刮即中”活动
作者:张旋; 燕莎; 周乐 期刊:《计算机系统应用》 2018年第02期
面向多级单元(Multi-Level Cell,MLC)的LDPC码的最小和(Min-Sum,MS)译码算法译码性能取决于码字中每个比特对应的对数似然比(Log-Likelihood Ratio,LLR)的准确度,然而基于均匀感知策略的MLC电压读取方法需要提高感知精度才能获取精度高的LLR值,这将增加MLC闪存单元的读取时间.针对这种情况,本文提出一种基于非均匀感知策略的MLC闪存MS译码算法,该算法对MLC闪存阈值电压的感知采用非均匀的感知策略.在相同的感知精度下,相比于...
作者:张旋; 周乐; 侯爱华 期刊:《计算机科学》 2018年第B06期
随着多级单元(Multi一Level Cell,MLC)闪存存储密度的增加,单元间干扰(Cell一to一Cell Interference,CCI)成为影响NAND闪存可靠性的主要噪声。在深入研究MLC闪存模型和CCI噪声模型的基础上,提出了一种MLC闪存的CCI噪声均衡化算法。该算法通过估计CCI干扰强度进而对感知MLC阈值电压进行补偿,可以更准确地读取MLC单元中存储的信息。仿真结果表明,在MLC闪存信道条件下,CCI噪声均衡化算法可以有效减少相邻状态的阈值电压交叉现象,...
作者:张旋; 余娟 期刊:《微电子学与计算机》 2018年第02期
多级单元(Multi—Level—Cell,MLC)技术增加了NAND闪存的存储密度,但也增强了单元间干扰(Cell—to-Cell Interference,CCI)噪声强度,导致了NAND闪存的可靠性急剧下降.在深入研究MLC闪存模型和CCI噪声模型基础上,提出了一种MLC型NAND闪存的加权比特翻转硬判决译码方法.仿真结果表明,在MLC闪存信道条件下,该方法既可保证MLC闪存单元的可靠性,对可保持较低的译码复杂度,从而实现了译码复杂度和性能间的良好折衷.
世界首款蓝牙无绳GSM手机量产;英特尔推出90纳米多级单元NOR闪存;北邮-普天联合实验室正式揭牌;中兴思科三大领域联手;我国整顿移动电话市场秩序将进一步加强行业管理、严把移动电话机进网关;我国将推行国家信息安全等级保护;诺基亚打造完全移动生活奥利拉认为中国将成为全球最大的单一移动市场.
作者:张旋; 燕莎; 李晓强; 刘强辉 期刊:《计算机测量与控制》 2017年第09期
随着多级单元(multi-level cell,MLC)闪存存储密度的增加,单元间干扰(cell—to—cell interference,CCI)成为影响NAND闪存可靠性的主要噪声;在深入研究MLC闪存模型和CCI噪声模型基础上,提出了一种MLC闪存多精度感知的比特翻转译码方法,该方法通过选取合适的MLC闪存单元感知精度进而得到MLC单元中存储比特的准确对数似然比信息,利用此信息可降低原始错误比特率并且提高比特翻转译码算法的译码性能;仿真结果表明,在MLC...
Intel公司推出用于多媒体手持机的高性能90nto多级单元(MLC)NOR闪存M18。这种新的Intel StrataFlash蜂窝存储器(M18)可提供比以前130nm型更好的性能、更高的容量和更低的功耗,以满足配备有照相机、彩屏、网络浏缆和视频功能的丰富多彩特性手机的越来越多的需求。M18可为蜂窝手机设计者提供当今手机所需的性能、容量和低功耗的独特组合。
作者: 期刊:《通信世界》 2006年第43A期
爱可信为开源社区应用架构;汤姆逊IPTV解决方案助力运营商三网融合服务;全球首台X86四核服务器浪潮NF380D亮相IDF;英特尔首次量产65纳米NOR闪存多级单元(MLC)产品;宇达电通推出免费升级光盘地图;安捷伦推出带有新应用附件及最深存储器的逻辑分析仪;……
自从三星电子公司开始批量生产60纳米制程的8GB多级单元(MLC)NAND闪存芯片之后,存储卡厂商们纷纷将各自microSD存储卡的容量提高到1GB。但是,SanDisk公司在东芝公司的支持下,最近推出了存储容量为2GB的存储卡产品,将其他存储卡厂商都远远地甩在了身后。
日前,Intel率先推出90纳米多级单元(MCL)NOR闪存M18,它是一款512Mbit蜂窝内存,它的出现将加强Intel在中高端手机内存的市场地位。
作者: 期刊:《工业和信息化教育》 2009年第03期
恒忆(Numonyx)业内首款采用45nm工艺技术的多级单元(MLC)NOR闪存样片。在为客户提供高度的产品连续性和可靠性的同时,新产品还使恒忆能够大幅度提高存储产品的性能。新产品遥遥领先上一代65nm产品,
恒忆公司(Numonyx)针对无线通信、嵌入式设计和数据存储市场推出新系列NAND闪存产品。新系列产品包括32Gb(gigabits)的多级单元(MLC)NAND闪存、32GB(gigabytes)的eMMC存储芯片和高达8GB的microSD产品,均采用先进的41nm制造工艺。对于手机、便携导航仪等消费电子产品厂商,这些新产品将是一系列易于设计的存储器解决方案
TDKGBDriver RS1系列NAND闪存控制器LSI电路。新的GBDriver RS1兼容1.5GbpsSATAI,并且在当作NAND闪存控制器IC使用时,可以控制最新的4K字节/页的SLC(单级单元)和MLC(多级单元)NAND闪存。