本文针对基本构型的介质阻挡放电等离子体激励器(Dielectric barrier discharge plasma actuator,DBDPA),研究分析其在流动控制方面的作用和潜力,并进行部分尝试性试验,分析在不同的工况下激励器的激励性能。通过电学参数测量和流场测量,分别获得了不同工况下的DBDPA工作电学特性和流场特征,以证明其在控制流动方面的可行性。
提起纳米碳管,很多人都知道,那可是纳米科技中的明星。纳米碳管是由碳原子组成的中空的纳米管状分子,强度和钢材相当,密度只是钢的116;它可以用来存储氢,储氢效率比现有的储氢材料高出一倍;纳米碳管中空的结构可被利用开发药物输运载体;奇特的电学特性可以被用来制作未来分子计算机中的晶体管,等等。
作者:许兴哲; 李延海 期刊:《中国运动医学》 2019年第11期
作者:张善庭; 赵岩; 朱均超; 陈枭; 田欢 期刊:《仪表技术与传感器》 2018年第12期
为了提高导电橡胶的检测精度与效率,研制了一套导电橡胶综合特性自动检测系统,该系统可以检测导电橡胶的力学特性与电学特性。首先,利用FPGA驱动步进电机,控制加压装置对被测导电橡胶进行自动施压;同时,利用光栅位移传感器测量导电橡胶的形变,利用压力传感器测量相应的压力变化,利用单稳态触发器电路测量导电橡胶的电阻值;最后,根据采集的数据绘制压力-位移曲线、电阻-位移曲线,并对测量结果进行分析。实验结果表明,该系统可以实现...
作者:马鹏飞; 韩生华 期刊: 2019年第01期
研究了在环氧树脂(EP)中同时加入碳纤维双层间隔织物(CFDSF)与酸化碳纳米管(CNT)来提高EP强度的相关作用机理,探讨CNT对EP/CFDSF/CNT电学特性的影响。结果表明,当改性CNT的含量逐渐上升后,材料的缺口冲击测试强度与弯曲强度都呈现先增大后减小情况。在加入2.5份后,材料达到最大的缺口冲击强度与弯曲强度。此时的断面形成了凹凸不平的结构,断裂后的CF也存在明显的参差不齐现象。当基体中的改性CNT含量增大后,材料的体积电阻率都出现...
作者:齐吉泰; 于长兴 期刊:《绥化学院学报》 2004年第02期
对非晶态半导体的禁带中缺陷定域态,导带(或价带)扩展态,导带(或价带)带尾部定域态中的载流子导电的规律性进行了定性和定量的分析,给出了电导率和温度的关系。
作者:屈少华 期刊:《湖北文理学院学报》 2004年第05期
用常规的陶瓷工艺制备SnO2-Co2O3-Nb2O5-Y2O3陶瓷.采用XRD、SEM来对陶瓷的微结构进行表征,详细研究了温度对陶瓷电学行为的影响.结果表明:烧结的陶瓷结构致密,在陶瓷样品中,除了SnO2相之外,没有发现其他相,在晶粒与晶粒之间没有观察到明显的晶粒层.在直流电条件下,陶瓷具有明显的稳定的变阻器行为,随着温度的升高这种行为减弱,电导率增大,表现出半导体行为.这些事实可以归因于陶瓷中的固熔体和晶格中各种缺陷的形成.
作者:王尚民; 田立成; 张家良; 张天平; 冯玮玮; 陈新伟; 高军 期刊:《中国空间科学技术》 2017年第05期
针对平板烧蚀型微脉冲等离子体推力器(μ-PPT),开展了放电过程研究和性能表征。根据放电过程的电学测量和等离子体区域的发光行为分析,研究了μ-PPT的基本放电特点和放电形态演变。从空间分布看,μ-PPT放电空间可分为3个区域(阴极区、弧柱区和阳极区),随着放电间隙的减少,阳极区逐渐消失。从时间分布看,μ-PPT放电是由多个幅度不同的脉冲放电构成,放电回路和放电间隙的阻抗分布决定放电脉冲的数量,一定条件下可以发生单脉冲放电。...
作者:韩冲; 崔兴柱; 梁晓华; 梁红伟; 夏晓川; 杨存; 叶鑫; 唐吉龙; 王登魁; 魏志鹏 期刊:《核技术》 2019年第05期
碳化硅材料因其禁带宽度大、晶体原子离位能高等物理特性,被视为制作耐高温、抗辐射器件极具代表性的宽带隙半导体材料。为观察辐照对4H-SiC肖特基二极管带电粒子探测器的电学特性及对α粒子响应的能量分辨率的影响。利用60Co源的γ射线对4H-SiC肖特基二极管探测器进行辐照实验。经过总剂量为1 000 kGy的γ射线辐照后,探测器的正向电流相较于辐照前减小了三个数量级;反向电流值在0~120 V偏压下没有明显变化,当反向偏压高于120 V时,反...
超导现象最初是1911年由荷兰物理学家昂内斯(Onnes)发现的。1908年,昂内斯首次获得液化的氦,并且在液氦温度(4.2K)下研究各种物质的电学特性。他发现,在温度为4.2K时,汞的电阻突然消失。
电热爆炸喷涂技术是一种新兴的热喷涂技术。国外,Tamura H等人在上世纪90年代末,开展了利用电热爆炸技术喷涂陶瓷粉末的试验研究,并对粉末爆炸过程中的电学特性进行了研究和分析。电热爆炸喷涂,是指在一定的气体介质氛围下通过对金属导体(丝、箔或粉末)沿轴向施加瞬间直流高电压,在金属导体内部形成106~107A/cm^2的电流密度,使其在短时间内爆炸,金属粒子以极高的速度喷射,
作者:吴德振; 周细应; 邱小小; 郝艳; 刘银杰 期刊:《表面技术》 2019年第07期
目的通过掺杂不同量的ZnO提升ZnSb相变薄膜的晶化温度和晶态膜电阻。方法采用磁控溅射双靶共溅方式制备不同含量ZnO掺杂的ZnSb薄膜,使用真空四探针设备原位测试薄膜电阻随温度的变化情况,用EDS、DSC、XRD、Raman、FESEM、UV-Vis分别对薄膜的成分、晶化温度和熔点、掺杂薄膜的结构、薄膜厚度、表面形貌以及光学带隙进行分析。结果ZnO掺杂量为1.6%时,ZnO掺杂提升了薄膜的晶化温度和晶态薄膜的电阻,并抑制了ZnSb晶粒的长大。薄膜的晶...
由美国哥伦比亚大学领导的国际研究团队近日开发出一种利用压力调控石墨烯电学特性的新技术,有望将石墨烯变为更接近电子器件应用需求的实用半导体材料。相关研究成果已发表在近期的《自然》杂志上。石墨烯是地球上最好的导电体。但正是因为石墨烯导电性太强,缺少半导体特性,使其无法直接应用于电子器件之中。
作者:薛增泉; 奚中和; 邢英杰; 张耿民; 宋教花; 申自勇; 侯士敏; 高崧; 赵兴钰; 张琦锋; 刘惟敏; 吴锦雷 期刊:《真空》 2004年第01期
讨论了纳米材料复合薄膜的结构和特性,涉及到与力学、防护、电池等特性有关的结构,重点分析了电学、光学、光电特性,如新型纳米线复合光电池,氧化锌(ZnO)纳米棒阵列的结构和荧光发射,以及金属纳米线阵列的制备和场发射特性。金属纳米线阵列场发射的高分辨,结构完美,工艺简单和极低的成本,有可能是未来平板显示器的重要组件。
作者:张维; 陈雷; 宋鹏; 杨聪; 刘宇; 曾文 期刊:《沈阳航空航天大学学报》 2019年第01期
为了高效地利用等离子体射流,深入研究大气压下等离子体射流能量机理,优化等离子体射流结构,完善等离子体射流诊断方法已成为等离子体领域的焦点。通过自主搭建的针-环电极射流结构,对大气压放电氩等离子体射流进行试验分析。采用发射光谱法-摄影法-电化学相耦合的测量方法,重点研究了不同放电频率、不同峰值电压对等离子体射流特性的影响。结果表明,针-环电极结构氩等离子体射流放电类似为辉光放电,射流激发的活性粒子主要有亚稳...
作者:任舰; 苏丽娜; 李文佳 期刊:《微电子学》 2019年第03期
基于势垒材料分别为Al0.27Ga0.73N和In0.17Al0.83N的GaN基异质结肖特基二极管(SBD),研究了GaN基异质结的漏电流输运机制、二维电子气密度和反向击穿电压等重要电学特性。结果表明,AlGaN/GaN SBD的反向电流主要由Frenkel-Poole(FP)发射机制主导,而InAlN/GaN SBD的反向电流在低电场下表现为FP发射电流,在高电场下则表现为Fowler-Nordheim隧穿电流。InAlN/GaN SBD的异质界面二维电子气密度明显高于AlGaN/GaN SBD,但是InAlN层存在高密...
作者:谭志中; 赵嘉诚; 丁鲁钰; 张庆华 期刊:《大学物理》 2019年第06期
研究复杂电阻网络的电特性一直是一个比较困难的问题,本文采用电压参数建立递推模型的方法研究了一类复杂的n阶T形网络的电特性(节点电压,支路电流,等效电阻),该网络不仅有一个负载内接在任意节点上而且该网络含有一个任意右边界电阻.文章首先采用网络分析建立关于电压的差分方程模型,然后根据约束条件建立边界条件方程模型,由此导出差分方程程的通解与特解,进而得到任意节点的电压公式以及支路电流和等效电阻.文章所得公式具有多...
作者:许明坤; 毛雷鸣; 叶松; 陈宇 期刊:《电子世界》 2018年第17期
半导体硅材料是微电子、光电子领域的基础材料,而半导体硅纳米线具有优良的光电性质和成熟的制备技术。多年以来,人们对硅纳米线的制备及相关器件应用进行了大量而卓有成效的研究,取得了丰富的研究成果。研究结果发现,半导体硅纳米线在电子器件[1-2]、光电器件[3-4]、生物及化学传感器[5]、能量储存及转换等器件[6]方面都有非常广泛的应用前景。而基于半导体硅纳米线的光电器件、电子器件、传感器件应用是以硅纳米线的电学性质为基...
作者:屠鹏; 边红霞 期刊:《食品工业科技》 2018年第03期
对鲜切苹果块,经10.0 g/L的抗坏血酸溶液保鲜处理,在常温放置96 h的过程中测定了其7项理化指标和4个电学参数的变化情况。结果如下:在常温放置96 h过程中,鲜切苹果块硬度、可滴定酸、可溶性固形物、含水率和质量密度分别下降36.37%、32.58%、24.07%、14.24%和6.34%,褐变度增大2.23倍,固酸比在12~72 h期间呈增大趋势。随放置时间增加,苹果相对介电常数和胞外电阻率下降,胞内电阻率和介质损耗因数呈波浪式变化。对理化品质指标与电...
作者:张满红; 邹其峰 期刊:《现代电子技术》 2018年第14期
沟槽式FS-IGBT是当前IGBT中最为先进的结构,它结合PT-IGBT和NPT-IGBT各自的优点,具有较薄的N-区以及FS场截止层,能够使导通压降更低并且可以有效减少关断时间和关断损耗。主要通过仿真软件Sentaurus TCAD对FS-IGBT进行工艺与电学特性仿真,通过改变不同部分的参数,如栅极的长宽,N型漂移区的厚度,P-base区的注入剂量及能量等,研究对其性能的影响。结果表明栅极的长宽和漂移区厚度的增加会使BV变大,场截止层电阻率的增加会使导通电压...